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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2024-05-24 16:40 |
北海道 | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
AlGaN/GaNヘテロ構造に対するコンタクトレス光電気化学（CL-PEC)エッチングの制御と応用 ○沖 勇吾・塩澤直生・富樫拓也・佐藤威友（北大） |
(ご登録済みです．開催日以降に掲載されます) [more] | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 10:45 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
2次元層状材料g-C3N4/SnS2/grapheneヘテロ接合のCVD成長 ○森 耀平・松岡晃汰・Baskar Malathi・中村篤志（静岡大）  ED2022-26 CPM2022-51 LQE2022-59 |
人工光合成は,太陽光を利用して,光触媒により水と二酸化炭素から価値のあるソーラー燃料へと変換する技術 であり,地球温暖... [more] |
ED2022-26 CPM2022-51 LQE2022-59 pp.11-16 |
| SDM | 2022-06-21 15:50 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］遷移金属カルコゲン化合物ヘテロ構造体の電子物性 ○丸山実那（筑波大） SDM2022-29 |
[more] | SDM2022-29 pp.20-22 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 16:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製 ○伊藤滉朔・小松祐斗・渡久地政周（北大）・井上暁喜・田中さくら・三好実人（名工大）・佐藤威友（北大） ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47 |
低損傷加工技術である光電気化学（PEC）エッチング法を，AlGaInN/AlGaN MIS HFETのゲートリセス加工に... [more] | ED2021-35 CPM2021-69 LQE2021-47 pp.91-94 |
| SDM | 2020-11-20 15:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション ○森 伸也・橋本風渡・三島嵩也・田中 一（阪大） SDM2020-33 |
層間トンネルを非平衡グリーン関数(NEGF)法を用いて調べた．はじめに，層間トンネルの特徴について単純化したモデルの範囲... [more] | SDM2020-33 pp.52-57 |
| SDM | 2016-06-29 17:00 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の成長と評価 ○宮田耕充（首都大東京） SDM2016-47 |
近年、電子素子の微細化の限界の打破、高効率エネルギー変換、もしくは軽くて柔軟な電子機器の実現などの様々な目的を達成するた... [more] | SDM2016-47 pp.79-84 |
| LQE, EST, OPE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT, PEM (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2016-01-28 10:55 |
兵庫 | 神戸市産業振興センター | 埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの特性評価 ○只野翔太郎・金子貴晃・山中健太郎・西山伸彦・荒井滋久（東工大） PN2015-38 EMT2015-89 OPE2015-151 LQE2015-138 EST2015-95 MWP2015-64 |
長波長帯トランジスタレーザ（TL）は、従来のLDと異なり3電気端子を有する構造ため、端子の組み合わせにより複数の動作モー... [more] | PN2015-38 EMT2015-89 OPE2015-151 LQE2015-138 EST2015-95 MWP2015-64 pp.21-26 |
| CPM, OPE, LQE, R, EMD (共催) |
2015-08-28 09:35 |
青森 | 青森県観光物産館アスパム | 1.3μm帯InGaAlAs埋め込みヘテロレーザの放熱効果解析と駆動電流削減量評価 ○進藤隆彦・小林 亘・小木曽義弘・藤原直樹・伊賀龍三・大礒義孝・石井啓之（NTT） R2015-37 EMD2015-45 CPM2015-61 OPE2015-76 LQE2015-45 |
将来のbeyond 100 GbEに向けた低消費電力・大容量光源として、1.3 μm帯InGaAlAs直接変調レーザが有... [more] | R2015-37 EMD2015-45 CPM2015-61 OPE2015-76 LQE2015-45 pp.73-76 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 14:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価 ○藤田 周・三好実人・江川孝志（名工大） ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121 |
InAlN/AlGaNヘテロ構造は、高耐圧特性と高濃度の二次元電子ガス(2DEG)生成という二つの特長を併せ持つことが期... [more] | ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121 pp.97-102 |
| LQE, CPM, EMD, OPE, R (共催) |
2012-08-24 14:00 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | SiGe/Si細線導波路構造による省電力光スイッチ・可変光減衰器 ○関口茂昭・朱 雷・倉橋輝雄・河口研一・森戸 健（富士通研） R2012-45 EMD2012-51 CPM2012-76 OPE2012-83 LQE2012-49 |
シリコンプラットフォーム上のキャリアプラズマを利用した導波路型光アクティ ブデバイスの省電力化・小型化には，高効率な... [more] |
R2012-45 EMD2012-51 CPM2012-76 OPE2012-83 LQE2012-49 pp.115-120 |
| ED | 2011-12-14 14:05 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | 薄層AlGaN障壁層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの小信号および30 GHzパワー特性 ～ AlGaN障壁層薄層化の影響 ～ ○東脇正高（NICT/JST）・Yi Pei・Rongming Chu・Umesh K. Mishra（カリフォルニア大サンタ・バーバラ校） ED2011-102 |
ミリ波応用を念頭においた、非常に薄いAlGaN障壁層を有する短ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタ(HFET)... [more] | ED2011-102 pp.13-17 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 15:40 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 ○前田就彦・廣木正伸・佐々木 智・原田裕一（NTT） ED2011-83 CPM2011-132 LQE2011-106 |
リセスゲート構造を用いたE-mode用のAlGaN/GaNヘテロ構造FET（HFET）において、高電流化およびデバイス作... [more] | ED2011-83 CPM2011-132 LQE2011-106 pp.49-54 |
| CPM | 2011-10-26 14:55 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製 ○堀田 徹・杉田憲一・A. G. Bhuiyan・橋本明弘・山本あき勇（福井大） CPM2011-113 |
InGaNとInAlNによるヘテロ構造デバイス作製にむけて、MOVPE法を用いて単層でのInAlN、InGaNの成長条件... [more] | CPM2011-113 pp.23-26 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 09:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討 ○廣木正伸・西村一巳（NTT）・渡邉則之（NTT-AT）・小田康裕・小林 隆（NTT） ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 |
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるオーミック接合として，Al/Ti/Al/Ni/Au電極材料を試みた． 1x10-5&... [more] | ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 pp.51-56 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 15:45 |
京都 | 京都大学 | XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価 ○小野島紀夫・東脇正高（NICT）・須田 淳・木本恒暢（京大）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） |
SiN保護膜(パッシベーション)の有無におけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のAlGaN表... [more] | ED2006-158 CPM2006-95 LQE2006-62 pp.35-38 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 11:40 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成 ○則竹陽介・山田 巧・田渕雅夫・竹田美和（名大） |
本研究では非晶質Asマスクを用いて化合物半導体におけるヘテロ／量子構造デバイスの作製・集積を可能にする新しい真空一貫形成... [more] | ED2006-35 CPM2006-22 SDM2006-35 pp.85-90 |
| OPE | 2006-02-17 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD ○鶴岡清貴・小林隆二・難波江宏一・徳留圭一・大澤洋一・加藤友章（NEC） |
狭幅選択MOVPE成長AlGaInAs-MQW活性層をルテニウム(Ru)ドープ高抵抗InPで埋め込んだ1.3 μm帯埋め... [more] | OPE2005-153 pp.41-46 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 16:40 |
滋賀 | 立命館大学 | Ni/i-AlGaN/GaNゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響 ○澤田孝幸・米田里志・高橋健輔（北海道工大）・金 聖祐・鈴木敏正（日本工大） |
Ni/i-AlGaN/GaN HFETゲート構造の電気的特性について、表面酸化膜と熱処理の影響を調べた。酸化膜の存在は、... [more] | ED2005-135 CPM2005-122 LQE2005-62 pp.79-84 |
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