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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMCJ 2022-06-10
09:05
北海道 北海道大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ワイドバンドギャップ半導体を用いた電源モジュールの広帯域放射ノイズ評価
渡邊 航酒井陵多田中 聡永田 真神戸大EMCJ2022-14
ガリウムナイトライド(GaN)やシリコンカーバイド(SiC)などのワイドバンドギャップ半導体の発展に伴い,スイッチング電... [more] EMCJ2022-14
pp.1-4
SDM 2021-11-12
10:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]4H-SiCの高エネルギー輸送における一軸性応力の影響に関するフルバンドモンテカルロ解析
西村智也永久克己園田賢一郎緒方 完ルネサス エレクトロニクスSDM2021-61
SiCは、パワーデバイス向けの次世代半導体材料として期待されており、一部はすでに実用化されている。しかし、その応力応答は... [more] SDM2021-61
pp.43-46
CPM 2019-11-08
10:50
福井 福井大学 文京キャンパス [招待講演]界面顕微光応答法による金属/半導体、半導体/半導体界面の2次元評価
塩島謙次福井大CPM2019-51
埋もれた金属/半導体界面を非破壊で2次評価できる界面顕微光応答法を開発し、ワイドバンドギャップ半導体のショットキー接触、... [more] CPM2019-51
pp.35-38
SDM 2016-11-11
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究
望月和浩産総研SDM2016-85
ワイドバンドギャップ半導体である4H-SiCおよび2H-GaNを用いたパワーデバイスの開発に資する,市販プロセス・デバイ... [more] SDM2016-85
pp.37-42
ED 2016-01-20
13:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 ~ 大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討 ~
大石敏之嘉数 誠佐賀大ED2015-116
Ga2O3やダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体が,レクテナ回路のRF-DC変換効率に与える影響を等価回路モデル... [more] ED2015-116
pp.25-29
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
15:40
愛知 豊橋技科大VBL棟 コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作
伊藤義人金子健太郎・○藤田静雄京大ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23
サファイア基板を用いたコランダム構造の酸化物半導体について、適切なバッファ層を導入しミストCVD法による成長条件を明らか... [more] ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23
pp.27-30
SDM, R, ED
(共催)
2007-11-16
13:00
大阪 中央電気倶楽部 イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価
松之内恵子小松直佳木村千春青木秀充杉野 隆阪大R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214
ワイドバンドギャップ半導体を用いた高性能なハイパワーFETを実現するためには、バンドギャップが大きく、誘電率の高い絶縁膜... [more] R2007-46 ED2007-179 SDM2007-214
pp.1-6
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