研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
SDM |
2023-10-13 14:30 |
宮城 |
東北大学未来情報産業研究館5F |
[招待講演]不揮発性メモリのシリコン窒化膜に捕獲されたキャリヤの電荷重心とエネルギー深さの検討 ○小林清輝(東海大) SDM2023-56 |
NAND型フラッシュメモリおよびマイコン混載不揮発性メモリの一部では,シリコン窒化膜を電荷捕獲層とするMetal-Oxi... [more] |
SDM2023-56 pp.13-20 |
CPM |
2023-07-31 15:10 |
北海道 |
北見工業大学 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
抵抗変化型メモリとしてのZrN電極を用いたMIM構造の検討 ○三浦豊生・佐藤 勝・武山真弓(北見工大) CPM2023-14 |
近年, 急速に進む情報社会において, 不揮発性メモリには, さらなる高性能化が求められているため, 次世代不揮発性メモリ... [more] |
CPM2023-14 pp.11-12 |
ICD |
2023-04-11 15:15 |
神奈川 |
川崎市産業振興会館10階第4会議室 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]MCU向け混載MRAM IP開発の動向 ○斉藤朋也(ルネサス エレクトロニクス) ICD2023-12 |
MCU向け混載不揮発メモリとして、近年MRAMをはじめとする様々なEmerging メモリが開発され、その一部では量産が... [more] |
ICD2023-12 p.29 |
HWS, VLD (共催) |
2023-03-03 13:25 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
一時的メモリアクセスリダイレクションによる高性能かつプログラマ・フレンドリーなセキュアNVM ○小池 亮・高前田伸也(東大) VLD2022-106 HWS2022-77 |
バイトアドレス型の不揮発性メモリ(NVM)は,永続性ゆえにDRAMよりセキュリティ上脆弱である.改ざん検知機構として整合... [more] |
VLD2022-106 HWS2022-77 pp.179-184 |
IPSJ-DBS, IPSJ-IFAT (共催) DE (連催) [詳細] |
2022-09-09 13:00 |
富山 |
富山県民会館 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
不揮発メモリを対象とする性能マイクロベンチマークpmmeterの検討と予備試験 ○吉岡弘隆・早水悠登・合田和生・喜連川 優(東大) DE2022-7 |
近年製品出荷された不揮発メモリ(Non Volatile Memory 以下 NVM)を対象とする性能マイクロベンチマー... [more] |
DE2022-7 pp.1-6 |
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM (連催) (併催) [詳細] |
2021-12-01 10:35 |
ONLINE |
オンライン開催 |
不揮発性FFを用いたマルチコンテキストCGRA ○亀井愛佳・小島拓也・天野英晴(慶大)・横山大輝・宮内陽里・宇佐美公良(芝浦工大)・平賀啓三・鈴木健太(ソニーセミコンダクタソリューションズ) VLD2021-20 ICD2021-30 DC2021-26 RECONF2021-28 |
近年,バッテリー駆動のエッジデバイスでは計算性能と並びアイドル時の省電力性能が重要視される.またIoT 端末に高頻度の間... [more] |
VLD2021-20 ICD2021-30 DC2021-26 RECONF2021-28 pp.19-24 |
ED, SDM, CPM (共催) |
2021-05-27 14:10 |
ONLINE |
オンライン開催 |
抵抗変化型メモリのためのZr/ZrOx/Pt構造の電気的特性評価 ○川合祐貴・佐藤 勝・武山真弓(北見工大) ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14 |
抗変化型メモリは、次世代の不揮発性メモリとして注目されている。しかしながら、フォーミングに高電圧が必要なことやフォーミン... [more] |
ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14 pp.11-14 |
CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2021-03-26 14:40 |
ONLINE |
オンライン開催 |
不揮発性素子を用いたノンストッププロセッサ ○中別府将太・杉山尚央・山﨑信行(慶大)・鈴木健太・平賀啓三・神田泰夫(ソニーセミコンダクタソリューションズ) CPSY2020-66 DC2020-96 |
特定の機能を満たすために機器に組み込まれるコンピュータシステムを組込みシステムという.組込みシ
ステムの例としてウェア... [more] |
CPSY2020-66 DC2020-96 pp.97-102 |
CPM |
2021-03-03 13:45 |
ONLINE |
オンライン開催 |
薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性 ○川合祐貴・山本和輝・大塚 祐・佐藤 勝・武山真弓(北見工大) CPM2020-69 |
近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるた... [more] |
CPM2020-69 pp.52-54 |
DE, IPSJ-DBS (連催) |
2020-12-22 10:00 |
ONLINE |
オンライン開催 |
不揮発メモリデバイスを対象とするデータベース演算の実行コスト測定方式に関する検討 ○吉岡弘隆・合田和生・喜連川 優(東大) DE2020-23 |
近年不揮発性メモリ(NVM)が注目を浴びている.SSD/HDDのように不揮発性でありながらDRAMのように高速にバイト単... [more] |
DE2020-23 pp.36-41 |
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM (連催) (併催) [詳細] |
2020-11-18 14:25 |
ONLINE |
オンライン開催 |
Approximate Computingを用いた不揮発性メモリへの画像データ書き込みにおけるエネルギー削減手法 ○小野義基・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57 |
MTJを用いた不揮発性メモリ(NVM)は、読み書き性能が良い・細粒度電源遮断が可能である一方、書き込みエネルギーが大きい... [more] |
VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57 pp.145-150 |
DE, IPSJ-DBS, IPSJ-IFAT (連催) |
2020-09-05 15:50 |
ONLINE |
オンライン開催 |
不揮発メモリデバイスの性能評価のためのマイクロベンチマークに関する初期検討 ○吉岡弘隆・合田和生・喜連川 優(東大) DE2020-14 |
近年不揮発性メモリ (Non-Volatile Memory (NVM)) が注目を浴びている.SSD/HDD のように... [more] |
DE2020-14 pp.7-12 |
CPSY, DC (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2020-02-27 16:05 |
鹿児島 |
与論町中央公民館 |
NDCKPT: 不揮発性メインメモリを用いたOSによる透過的なプロセスチェックポインティングの実現 ○西田 耀・木村啓二(早大) CPSY2019-102 DC2019-108 |
アプリケーションの耐障害性を向上させる手法の一つにチェックポインティングがある.これまでに,アプリケーションを変更するこ... [more] |
CPSY2019-102 DC2019-108 pp.87-92 |
SDM |
2020-01-28 15:45 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]Future of Non-Volatile Memory - From Storage to Computing ○石丸一成(キオクシア) SDM2019-87 |
最初のNANDフラッシュメモリが国際学会で発表されてから30年以上経つ。NANDフラッシュメモリは単位容量辺りのコスト(... [more] |
SDM2019-87 p.19 |
PN |
2019-11-15 11:05 |
神奈川 |
慶應義塾大学 |
[招待講演]計算機メモリシステムの研究最新動向 ○広渕崇宏(産総研) PN2019-28 |
本発表では計算機メモリシステムにおける研究の最新動向を紹介する。相変化メモリや磁気メモリに代表される新たなメモリデバイス... [more] |
PN2019-28 pp.29-35 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-15 13:00 |
愛媛 |
愛媛県男女共同参画センター |
[基調講演]Persistent Memoryの技術動向 ○今村智史(富士通研) VLD2019-48 ICD2019-37 IE2019-43 CPSY2019-47 DC2019-72 RECONF2019-43 |
アプリケーションが処理するデータ容量は年々増大し続けており,大容量データの高速処理を実現するために主記憶の容量増大が求め... [more] |
VLD2019-48 ICD2019-37 IE2019-43 CPSY2019-47 DC2019-72 RECONF2019-43 p.175(VLD), p.43(ICD), p.43(IE), p.55(CPSY), p.175(DC), p.33(RECONF) |
MRIS, ITE-MMS (連催) |
2018-12-06 15:30 |
愛媛 |
愛媛大学 |
電圧トルクMRAMにおける書き込みエラー率のシミュレーション解析 ○今村裕志(産総研) MRIS2018-23 |
電圧印加による磁気異方性の変化を書き込みに利用した電圧トルクMRAMは高速・超低消費電力な不揮発性メモリとして注目を集め... [more] |
MRIS2018-23 pp.19-23 |
SDM |
2018-10-17 16:05 |
宮城 |
東北大学未来情報産業研究館5F |
Si(100)表面原子レベル平坦化プロセスを用いたHf系MONOS型不揮発性メモリ作製プロセスに関する検討 ○工藤聡也・堀内勇介・大見俊一郎(東工大) SDM2018-55 |
我々は高速・低電圧動作可能な不揮発性メモリ実現のために、Si(100)表面を原子レベル平坦化した基板上にHf系MONOS... [more] |
SDM2018-55 pp.15-19 |
EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2018-08-23 15:55 |
北海道 |
小樽経済センター |
[招待講演]デジタルデータの長期保管を実現する高信頼メモリシステム ~ その背景と課題さらにその展望 ~ ○小林敏夫(芝浦工大) R2018-23 EMD2018-26 CPM2018-26 OPE2018-53 LQE2018-42 |
半導体技術に支えられたデジタル技術はその圧倒的な利便性と能力によって個人の生活と社会活動のために必須な技術なった.その一... [more] |
R2018-23 EMD2018-26 CPM2018-26 OPE2018-53 LQE2018-42 pp.31-36 |
ICD |
2018-04-20 11:10 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology ○Hiroshi Maejima・Kazushige Kanda・Susumu Fujimura・Teruo Takagiwa・Susumu Ozawa・Jumpei Sato・Yoshihiko Shindo・Manabu Sato・Naoaki Kanagawa・Junji Musha・Satoshi Inoue・Katsuaki Sakurai・Toshifumi Hashimoto(TMC)・Hao Nguyen・Ken Cheah・Hiroshi Sugawara・Seungpil Lee(WDC)・Toshiki Hisada・Tetsuya Kaneko・Hiroshi Nakamura(TMC) ICD2018-10 |
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] |
ICD2018-10 pp.39-44 |