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 66件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-10-13
14:30
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]不揮発性メモリのシリコン窒化膜に捕獲されたキャリヤの電荷重心とエネルギー深さの検討
小林清輝東海大SDM2023-56
NAND型フラッシュメモリおよびマイコン混載不揮発性メモリの一部では,シリコン窒化膜を電荷捕獲層とするMetal-Oxi... [more] SDM2023-56
pp.13-20
CPM 2023-07-31
15:10
北海道 北見工業大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
抵抗変化型メモリとしてのZrN電極を用いたMIM構造の検討
三浦豊生佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2023-14
近年, 急速に進む情報社会において, 不揮発性メモリには, さらなる高性能化が求められているため, 次世代不揮発性メモリ... [more] CPM2023-14
pp.11-12
ICD 2023-04-11
15:15
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]MCU向け混載MRAM IP開発の動向
斉藤朋也ルネサス エレクトロニクスICD2023-12
MCU向け混載不揮発メモリとして、近年MRAMをはじめとする様々なEmerging メモリが開発され、その一部では量産が... [more] ICD2023-12
p.29
HWS, VLD
(共催)
2023-03-03
13:25
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
一時的メモリアクセスリダイレクションによる高性能かつプログラマ・フレンドリーなセキュアNVM
小池 亮高前田伸也東大VLD2022-106 HWS2022-77
バイトアドレス型の不揮発性メモリ(NVM)は,永続性ゆえにDRAMよりセキュリティ上脆弱である.改ざん検知機構として整合... [more] VLD2022-106 HWS2022-77
pp.179-184
IPSJ-DBS, IPSJ-IFAT
(共催)
DE
(連催) [詳細]
2022-09-09
13:00
富山 富山県民会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
不揮発メモリを対象とする性能マイクロベンチマークpmmeterの検討と予備試験
吉岡弘隆早水悠登合田和生喜連川 優東大DE2022-7
近年製品出荷された不揮発メモリ(Non Volatile Memory 以下 NVM)を対象とする性能マイクロベンチマー... [more] DE2022-7
pp.1-6
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2021-12-01
10:35
ONLINE オンライン開催 不揮発性FFを用いたマルチコンテキストCGRA
亀井愛佳小島拓也天野英晴慶大)・横山大輝宮内陽里宇佐美公良芝浦工大)・平賀啓三鈴木健太ソニーセミコンダクタソリューションズVLD2021-20 ICD2021-30 DC2021-26 RECONF2021-28
近年,バッテリー駆動のエッジデバイスでは計算性能と並びアイドル時の省電力性能が重要視される.またIoT 端末に高頻度の間... [more] VLD2021-20 ICD2021-30 DC2021-26 RECONF2021-28
pp.19-24
ED, SDM, CPM
(共催)
2021-05-27
14:10
ONLINE オンライン開催 抵抗変化型メモリのためのZr/ZrOx/Pt構造の電気的特性評価
川合祐貴佐藤 勝武山真弓北見工大ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14
抗変化型メモリは、次世代の不揮発性メモリとして注目されている。しかしながら、フォーミングに高電圧が必要なことやフォーミン... [more] ED2021-3 CPM2021-3 SDM2021-14
pp.11-14
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2021-03-26
14:40
ONLINE オンライン開催 不揮発性素子を用いたノンストッププロセッサ
中別府将太杉山尚央山﨑信行慶大)・鈴木健太平賀啓三神田泰夫ソニーセミコンダクタソリューションズCPSY2020-66 DC2020-96
特定の機能を満たすために機器に組み込まれるコンピュータシステムを組込みシステムという.組込みシ
ステムの例としてウェア... [more]
CPSY2020-66 DC2020-96
pp.97-102
CPM 2021-03-03
13:45
ONLINE オンライン開催 薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性
川合祐貴山本和輝大塚 祐佐藤 勝武山真弓北見工大CPM2020-69
近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるた... [more] CPM2020-69
pp.52-54
DE, IPSJ-DBS
(連催)
2020-12-22
10:00
ONLINE オンライン開催 不揮発メモリデバイスを対象とするデータベース演算の実行コスト測定方式に関する検討
吉岡弘隆合田和生喜連川 優東大DE2020-23
近年不揮発性メモリ(NVM)が注目を浴びている.SSD/HDDのように不揮発性でありながらDRAMのように高速にバイト単... [more] DE2020-23
pp.36-41
VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM
(連催)
(併催) [詳細]
2020-11-18
14:25
ONLINE オンライン開催 Approximate Computingを用いた不揮発性メモリへの画像データ書き込みにおけるエネルギー削減手法
小野義基宇佐美公良芝浦工大VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57
MTJを用いた不揮発性メモリ(NVM)は、読み書き性能が良い・細粒度電源遮断が可能である一方、書き込みエネルギーが大きい... [more] VLD2020-38 ICD2020-58 DC2020-58 RECONF2020-57
pp.145-150
DE, IPSJ-DBS, IPSJ-IFAT
(連催)
2020-09-05
15:50
ONLINE オンライン開催 不揮発メモリデバイスの性能評価のためのマイクロベンチマークに関する初期検討
吉岡弘隆合田和生喜連川 優東大DE2020-14
近年不揮発性メモリ (Non-Volatile Memory (NVM)) が注目を浴びている.SSD/HDD のように... [more] DE2020-14
pp.7-12
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-02-27
16:05
鹿児島 与論町中央公民館 NDCKPT: 不揮発性メインメモリを用いたOSによる透過的なプロセスチェックポインティングの実現
西田 耀木村啓二早大CPSY2019-102 DC2019-108
アプリケーションの耐障害性を向上させる手法の一つにチェックポインティングがある.これまでに,アプリケーションを変更するこ... [more] CPSY2019-102 DC2019-108
pp.87-92
SDM 2020-01-28
15:45
東京 機械振興会館 [招待講演]Future of Non-Volatile Memory - From Storage to Computing
石丸一成キオクシアSDM2019-87
最初のNANDフラッシュメモリが国際学会で発表されてから30年以上経つ。NANDフラッシュメモリは単位容量辺りのコスト(... [more] SDM2019-87
p.19
PN 2019-11-15
11:05
神奈川 慶應義塾大学 [招待講演]計算機メモリシステムの研究最新動向
広渕崇宏産総研PN2019-28
本発表では計算機メモリシステムにおける研究の最新動向を紹介する。相変化メモリや磁気メモリに代表される新たなメモリデバイス... [more] PN2019-28
pp.29-35
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-15
13:00
愛媛 愛媛県男女共同参画センター [基調講演]Persistent Memoryの技術動向
今村智史富士通研VLD2019-48 ICD2019-37 IE2019-43 CPSY2019-47 DC2019-72 RECONF2019-43
アプリケーションが処理するデータ容量は年々増大し続けており,大容量データの高速処理を実現するために主記憶の容量増大が求め... [more] VLD2019-48 ICD2019-37 IE2019-43 CPSY2019-47 DC2019-72 RECONF2019-43
p.175(VLD), p.43(ICD), p.43(IE), p.55(CPSY), p.175(DC), p.33(RECONF)
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2018-12-06
15:30
愛媛 愛媛大学 電圧トルクMRAMにおける書き込みエラー率のシミュレーション解析
今村裕志産総研MRIS2018-23
電圧印加による磁気異方性の変化を書き込みに利用した電圧トルクMRAMは高速・超低消費電力な不揮発性メモリとして注目を集め... [more] MRIS2018-23
pp.19-23
SDM 2018-10-17
16:05
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Si(100)表面原子レベル平坦化プロセスを用いたHf系MONOS型不揮発性メモリ作製プロセスに関する検討
工藤聡也堀内勇介大見俊一郎東工大SDM2018-55
我々は高速・低電圧動作可能な不揮発性メモリ実現のために、Si(100)表面を原子レベル平坦化した基板上にHf系MONOS... [more] SDM2018-55
pp.15-19
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2018-08-23
15:55
北海道 小樽経済センター [招待講演]デジタルデータの長期保管を実現する高信頼メモリシステム ~ その背景と課題さらにその展望 ~
小林敏夫芝浦工大R2018-23 EMD2018-26 CPM2018-26 OPE2018-53 LQE2018-42
半導体技術に支えられたデジタル技術はその圧倒的な利便性と能力によって個人の生活と社会活動のために必須な技術なった.その一... [more] R2018-23 EMD2018-26 CPM2018-26 OPE2018-53 LQE2018-42
pp.31-36
ICD 2018-04-20
11:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology
Hiroshi MaejimaKazushige KandaSusumu FujimuraTeruo TakagiwaSusumu OzawaJumpei SatoYoshihiko ShindoManabu SatoNaoaki KanagawaJunji MushaSatoshi InoueKatsuaki SakuraiToshifumi HashimotoTMC)・Hao NguyenKen CheahHiroshi SugawaraSeungpil LeeWDC)・Toshiki HisadaTetsuya KanekoHiroshi NakamuraTMCICD2018-10
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] ICD2018-10
pp.39-44
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