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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-07 11:30 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | FDSOIプロセスにおけるスタック構造を用いたNMOSおよびPMOSトランジスタのソフトエラー耐性の実測による比較 ○山田晃大・古田 潤・小林和淑（京都工繊大）  SDM2018-28 ICD2018-15 |
集積回路素子の微細化に伴いソフトエラーによる集積回路の信頼性低下が問題となっている．本研究では，65nm FDSOI (... [more] | SDM2018-28 ICD2018-15 pp.15-20 |
| R | 2015-11-19 14:25 |
大阪 | 大阪中央電気倶楽部 | ソフトエラーの同時発生範囲の測定方法 ○益田 昇・安永守利（筑波大） R2015-57 |
中性子線による半導体集積回路のソフトエラーでは1 粒子の中性子線が複数の回路に同時にエラーを起こす場合があり，これを対策... [more] | R2015-57 pp.5-10 |
| ICD | 2012-12-18 11:45 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | 65 nmプロセスにおける低消費電力冗長化FF（BCDMR-ACFF）の設計と評価 ○増田政基・久保田勘人・山本亮輔（京都工繊大）・古田 潤（京大）・小林和淑（京都工繊大）・小野寺秀俊（京大） ICD2012-117 |
集積回路の微細化に伴い、ソフトエラーが問題となっている。対策として冗長化を行なうが、面積・消費電力が増大する。面積を削減... [more] | ICD2012-117 pp.109-113 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2009-12-02 13:50 |
高知 | 高知市文化プラザ | ［招待講演］最新半導体デバイスの環境中性子線エラー ～ デザインルール22nmへのインパクトと対策 ～ ○伊部英史・新保健一・谷口 斉・鳥羽忠信（日立） CPM2009-139 ICD2009-68 |
メモリ、論理ゲートなど半導体デバイスの環境中性子線によるエラーのメカニズム、各種エラーモードの現状と22nmデザインルー... [more] | CPM2009-139 ICD2009-68 pp.29-34 |
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