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講演検索結果
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 23件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-10-19
10:20
ONLINE オンライン開催に変更 [招待講演]エックス線光学素子のニーズ ~ 新プロセス技術への期待 ~
矢代 航東北大SDM2022-54
波長が1Å前後の硬X線、冷熱中性子などは、物質との相互作用が小さいため、物体内部のイメージングなどに広く利用されてきた。... [more] SDM2022-54
pp.1-4
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
11:30
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 FDSOIプロセスにおけるスタック構造を用いたNMOSおよびPMOSトランジスタのソフトエラー耐性の実測による比較
山田晃大古田 潤小林和淑京都工繊大SDM2018-28 ICD2018-15
集積回路素子の微細化に伴いソフトエラーによる集積回路の信頼性低下が問題となっている.本研究では,65nm FDSOI (... [more] SDM2018-28 ICD2018-15
pp.15-20
IBISML 2017-11-10
13:00
東京 東京大学 [ポスター講演]カウントデータに関する多次元ヒストグラムのビン幅最適化
武藤健介坂本浩隆松浦慧介有馬孝尚岡田真人東大IBISML2017-69
J-PARC MLFのチョッパー分光器による非弾性中性子散乱実験により,4次元観測空間上での中性子散乱カウントデータが大... [more] IBISML2017-69
pp.255-260
SCE 2016-08-09
13:40
埼玉 埼玉大(大宮ソニックシティ) 直列接続超伝導細線検出器アレイのSFQ読み出しとディジタル信号処理
内藤亮介神谷恭平上阪 岬田中雅光藤巻 朗名大SCE2016-21
超伝導細線検出器(SSLD)と単一磁束量子(SFQ)回路を組み合わせ,100万画素中性子イメージングセンサを目指して研究... [more] SCE2016-21
pp.45-50
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-02
09:00
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]超低電圧SRAMのソフトエラー耐性
橋本昌宜阪大SDM2016-54 ICD2016-22
本報告では、SRAMのソフトエラー耐性について議論する。特に、ニアスレッショルド回路やサブスレッショルド回路が対象とする... [more] SDM2016-54 ICD2016-22
pp.53-58
R 2015-11-19
14:25
大阪 大阪中央電気倶楽部 ソフトエラーの同時発生範囲の測定方法
益田 昇安永守利筑波大R2015-57
中性子線による半導体集積回路のソフトエラーでは1 粒子の中性子線が複数の回路に同時にエラーを起こす場合があり,これを対策... [more] R2015-57
pp.5-10
RCC, MICT
(共催)
2015-05-28
15:20
東京 機械振興会館 通信装置向けFPGAのソフトエラー高速リカバリ技術
新保健一鳥羽忠信上薗 巧伊部英史日立RCC2015-9 MICT2015-9
通信インフラを流れるデータトラフィック量の急増に伴い,高速・大容量の通信装置開発が求められている.通信装置には設計の柔軟... [more] RCC2015-9 MICT2015-9
pp.37-42
SCE 2014-10-15
15:10
宮城 東北大学・電気通信研究所 500個直列接続した超伝導マイクロストリップ検出器の光応答
上阪 岬喜多祐真神谷恭平名大)・アリ ボズベイTOBB ETU)・藤巻 朗名大SCE2014-38
超伝導ストリップ線検出器は高空間分解能という特長を持つ。我々は、この原理をベースに、さらなる高速応答が可能な直流電流バイ... [more] SCE2014-38
pp.23-26
ICD 2013-04-12
16:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター マルチビットアップセット耐性を有するNMOS内側レイアウトを用いた6T SRAM
吉本秀輔和泉慎太郎川口 博吉本雅彦神戸大ICD2013-23
本論文では,マルチビットアップセット耐性を有するNMOS内側レイアウトを有する6T SRAMセルレイアウトを提案する.提... [more] ICD2013-23
pp.121-126
ITS, IE
(共催)
ITE-AIT, ITE-HI, ITE-ME
(共催)
(連催) [詳細]
2013-02-19
10:20
北海道 北海道大学 DPFにおけるPM計測のための3次元中性子トモグラフィ法の開発
松島宏典久留米高専)・川上拓朗熊本大)・江崎昇二久留米高専)・内村圭一熊本大)・Cotton Jimマクマスタ大)・Harvel Glennオンタリオ工科大)・Chang Jen-Shihマクマスタ大ITS2012-47 IE2012-127
CO_2削減に貢献するディーゼル車の排出ガス中には,問題となる粒子状物質(PM:Particulate Matter)が... [more] ITS2012-47 IE2012-127
pp.275-280
ICD 2012-12-18
10:55
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [招待講演]ソフトエラー評価技術と対策技術
上村大樹富士通セミコンダクターICD2012-116
ソフトエラーとは一過性のエラーのことで、宇宙線起因の中性子線、IC材料中の放射性不純物起因のα線により発生する。近年微細... [more] ICD2012-116
pp.103-108
ICD 2012-12-18
11:45
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール 65 nmプロセスにおける低消費電力冗長化FF(BCDMR-ACFF)の設計と評価
増田政基久保田勘人山本亮輔京都工繊大)・古田 潤京大)・小林和淑京都工繊大)・小野寺秀俊京大ICD2012-117
集積回路の微細化に伴い、ソフトエラーが問題となっている。対策として冗長化を行なうが、面積・消費電力が増大する。面積を削減... [more] ICD2012-117
pp.109-113
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2012-11-28
14:55
福岡 九州大学百年講堂 中性子起因SEMTの電源電圧及び基板バイアス依存性測定
原田 諒阪大)・密山幸男高知工科大)・橋本昌宜尾上孝雄阪大VLD2012-100 DC2012-66
本稿では,中性子起因一過性複数パルス(SEMT) の測定結果を示す.まずSEMT 測定回路を提案し,65nmプロセスで試... [more] VLD2012-100 DC2012-66
pp.237-241
ITS, IE
(共催)
ITE-AIT, ITE-HI, ITE-ME
(共催)
(連催) [詳細]
2012-02-21
10:20
北海道 北海道大学 3次元中性子トモグラフィ法を用いた炭素煤堆積非破壊計測法の開発
松島宏典江崎昇二久留米高専)・内村圭一熊本大)・Cotton Jimマクマスタ大)・Harvel Glennオンタリオ工科大ITS2011-52 IE2011-128
近年,欧州では,低燃費ながら高出力を保てることから,中大型車を中心にディーゼル車の普及が進んでいる.しかし,ディーゼル車... [more] ITS2011-52 IE2011-128
pp.269-274
ICD 2011-12-16
14:50
大阪 大阪大学会館 マルチビットアップセット耐性及びシングルビットアップセット耐性を備えた8T SRAMセルレイアウト
梅木洋平吉本秀輔天下卓郎川口 博神戸大)・吉本雅彦神戸大/JSTICD2011-134
本論文ではマルチビット・アップセット(MBU)を軽減する分割ワード線構造における新規8TSRAMセルレイアウトを提案する... [more] ICD2011-134
pp.161-166
SDM 2010-11-12
13:50
東京 機械振興会館 インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング
田中克彦中村英之上村大樹竹内 幹福田寿一熊代成孝最上 徹MIRAI-SeleteSDM2010-180
宇宙線中性子起因の二次イオンが発生させた電荷によって生じたエラー信号パルスが組み合わせ回路中を伝播する Single E... [more] SDM2010-180
pp.47-52
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2009-12-02
13:50
高知 高知市文化プラザ [招待講演]最新半導体デバイスの環境中性子線エラー ~ デザインルール22nmへのインパクトと対策 ~
伊部英史新保健一谷口 斉鳥羽忠信日立CPM2009-139 ICD2009-68
メモリ、論理ゲートなど半導体デバイスの環境中性子線によるエラーのメカニズム、各種エラーモードの現状と22nmデザインルー... [more] CPM2009-139 ICD2009-68
pp.29-34
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2009-12-03
10:00
高知 高知市文化プラザ 情報システム装置の中性子照射試験とフィールドエラーとの相関
新保健一鳥羽忠信伊部英史西井浩士日立CPM2009-143 ICD2009-72
中性子照射試験により情報システム装置のソフトエラー耐性評価を行った.メモリ構成の異なる2台の装置のソフトエラー比について... [more] CPM2009-143 ICD2009-72
pp.51-55
ITE-MMS, ITE-CE, MRIS
(共催)
2009-01-15
13:30
大阪 パナソニック 松心会館 超高記録密度塗布型磁気記録媒体用Fe16N2超微粒子の開発
佐々木勇治井上鉄太郎渡辺利幸土井嗣裕岸本幹雄日立マクセル)・奥 隆之加倉井和久原子力機構MR2008-51
新しい磁気記録媒体用の磁性粉末としてFe16N2超微粒子を開発した.18nm程度の球状超微粒子であり,表面は酸化物,内部... [more] MR2008-51
pp.5-9
DC, CPSY
(共催)
2008-04-23
15:00
東京 東大・武田ホール 電子システムの環境中性子線起因のエラーの現状と対策
伊部英史日立CPSY2008-7 DC2008-7
地上における民生用半導体デバイスのソフトエラーの主因として環境中性子線の影響が2000年前後から顕在
化しはじめ、各種... [more]
CPSY2008-7 DC2008-7
pp.37-42
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