| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2022-12-08 14:10 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | 直流および高周波マグネトロンスパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の測定 ○大住知暉（京大）・長尾昌善（産総研）・後藤康仁（京大）  ED2022-53 |
直流および高周波マグネトロンスパッタ法を用い, 成膜時に導入するガスの窒素流量比を変化させ, 窒素組成の異なる窒化ハフニ... [more] | ED2022-53 pp.15-17 |
| ED | 2022-12-09 12:05 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | 通常より低い加熱温度でのLaB6熱電子放出およびショットキー放出の電子放出特性 ○梶田寵太郎・岡田風杜・田中崇之・村田英一・六田英治（名城大） ED2022-64 |
我々は、ショットキー放出モードで動作し、(1)高輝度と大電流の同時達成、(2)長寿命、(3)安定動作の条件を満たす新しい... [more] | ED2022-64 pp.44-46 |
| EE, OME, CPM (共催) |
2021-11-18 16:05 |
ONLINE | オンライン開催 | シリコン太陽電池に適応するアルミナパッシベーション膜のケルビン法による特性評価 ○大石凌也・渡邊良祐（弘前大） EE2021-30 CPM2021-48 OME2021-24 |
シリコン太陽電池のパッシベーション材料として，近年アルミナが注目されている．アルミナは高い負の固定電荷をもつため，シリコ... [more] | EE2021-30 CPM2021-48 OME2021-24 pp.67-71 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-11-30 16:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 金属仕事関数依存性 ～ ○塩島謙次・今立宏美（福井大）・三島友義（法政大） ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 |
GaN結晶の劈開性を利用して得たn-GaN自立基板の非極性面(m面)に9種類の金属(Ag, Ti, Cr, W, Mo,... [more] | ED2017-56 CPM2017-99 LQE2017-69 pp.33-38 |
| ED | 2017-10-26 16:20 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 | 炭化タングステンを用いた低仕事関数電界放射陰極に関する研究 ○山梨遼太郎・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大） ED2017-42 |
走査型電子顕微鏡(SEM)において高輝度カソードとして広く用いられているタングステン電界放射陰極(W-FE)は，高価であ... [more] | ED2017-42 pp.27-29 |
| ED | 2017-10-27 09:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 | 時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算(第3報) ○樋口敏春，佐々木正洋・山田洋一（筑波大） ED2017-44 |
カーボンナノチューブのエミッション電流を時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて計算する方法の検討を行っている. フ... [more] | ED2017-44 pp.35-38 |
| ED | 2016-10-25 13:00 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | トリウム被覆されたW電界放射陰極の電流放出特性 ○山梨遼太郎・根尾陽一郎（静岡大）・大野輝昭（テクネックス工房）・三村秀典（静岡大） ED2016-43 |
タングステン電界放射陰極(W-FE)は，タングステン熱放射陰極と比較して放出電子のエネルギー分布が狭く高い輝度を有するカ... [more] | ED2016-43 pp.1-4 |
| ED | 2016-10-25 15:45 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | 時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算(第2報) ○樋口敏春，佐々木正洋・山田洋一（筑波大） ED2016-48 |
カーボンナノチューブのエミッション電流を時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて計算する方法の検討を行っている. 第... [more] | ED2016-48 pp.21-26 |
| ED | 2016-10-26 09:55 |
三重 | 三重大学 新産業創成研究拠点（旧VBL） | Ⅲ族酸化物で修飾したW(100)面からの電子放射 ～ Sc酸化物, Pr酸化物, Nd酸化物による仕事関数低下現象 ～ ○川久保貴史（香川高専）・中根英章（室蘭工大） ED2016-52 |
高融点金属の一つであるタングステンは，電子源の材料として用いられている．W(100)面は仕事関数が4.6eVと比較的高い... [more] | ED2016-52 pp.41-46 |
| SDM | 2016-06-29 13:30 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス ○角嶋邦之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大） SDM2016-38 |
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] | SDM2016-38 pp.33-36 |
| SDM | 2015-10-30 14:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | 窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成 ○石井秀和（東北大）・高橋健太郎（住友大阪セメント）・後藤哲也・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2015-81 |
LaB6薄膜をマグネトロンスパッタ法で形成し，その仕事関数を評価した．LaB6薄膜の仕事関数は，LaB6ターゲット中の窒... [more] | SDM2015-81 pp.53-56 |
| ED | 2015-10-23 09:25 |
愛知 | 名城大学名駅サテライト（ＭＳＡＴ） | 時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算 (第1報) ○樋口敏春・佐々木正洋・山田洋一（筑波大） ED2015-62 |
カーボンナノチューブのエミッション電流を時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて計算する方法の検討を行った. Oct... [more] | ED2015-62 pp.41-46 |
| ED | 2014-10-21 13:30 |
北海道 | 北大エンレイソウ | カーボン被覆フィールドエミッタの電子放射モデルの検討(第3報) ○樋口敏春・佐々木正洋・堀江翔太・山田洋一（筑波大）・松本修二・福田茂樹（高エネルギー加速器研究機構） ED2014-62 |
コーン型シリコンエミッタにカーボンを被覆することにより，エミッション特性は約２桁向上する．我々はエミッション向上機構の解... [more] | ED2014-62 pp.1-6 |
| ED | 2013-10-22 16:30 |
北海道 | 北海道大学エンレイソウ | 希土類酸化物及び遷移金属酸化物で修飾したW電界放射陰極の検討 ～ PEEMとFEMによる検討 ～ ○中根英章・武田紘己（室蘭工大）・川久保貴史（香川高専） ED2013-55 |
W電界放射陰極の先端に希土類酸化物や遷移金属酸化物を拡散してモノレイヤを形成すると先端のW(100)面の仕事関数が低減し... [more] | ED2013-55 pp.19-22 |
| SDM | 2013-10-18 10:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討 ○前田康貴・大見俊一郎（東工大）・後藤哲也・大見忠弘（東北大） SDM2013-93 |
低仕事関数を有するLaB6は，窒素を添加することで酸化耐性が向上することが報告されている．本研究では窒素添加したLaB6... [more] | SDM2013-93 pp.27-31 |
| ED | 2012-11-19 14:00 |
大阪 | 阪大中之島センター | カーボン被覆フィールドエミッタの電子放射モデルの検討 (第1報) ○樋口敏春・佐々木正洋・遠藤俊宏・堀江翔太・山田洋一（筑波大）・松本修二・福田茂樹（高エネルギー加速器研究機構） ED2012-54 |
コーン型シリコンエミッタにカーボンを被覆することにより，エミッション特性は約２桁向上する．我々はエミッション向上機構の解... [more] | ED2012-54 pp.1-6 |
| SDM | 2012-06-21 12:15 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | (TaC)1-xAlx/HfO2/SiO2ゲートスタックで熱処理温度に対するAl原子の評価 ○木村将之（芝浦工大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・山田博之（芝浦工大）・大井暁彦・成島利弘・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大） |
フラットバンド電圧(Vfb）を制御するために、HfO2 MOSキャパシタのゲート電極として低仕事関数なAl原子を導入した... [more] | |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| ED | 2010-10-25 13:25 |
京都 | 宇治おうばくプラザ(京都大学） | 三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性 ○後藤康仁・遠藤恵介・辻 博司（京大）・石川順三（中部大）・酒井滋樹（日新イオン機器） ED2010-129 |
三フッ化メタンプラズマ処理を施したシリコン電界放出電子源の電子放出特性の経時変化の原因を調べる目的で、同じ処理を施したシ... [more] | ED2010-129 pp.7-10 |
| SDM | 2010-10-21 15:30 |
宮城 | 東北大学 | Yb混晶化PtSiの仕事関数変調機構 ○石川純平・高 峻・大見俊一郎（東工大） SDM2010-154 |
極微細CMOSの拡散層における超低コンタクト抵抗の実現を目的として、Yb混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を... [more] | SDM2010-154 pp.13-16 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]