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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, AP (併催) |
2023-09-28 10:10 |
高知 | 高知城歴史博物館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
周波数選択性並列帰還回路を有する C-Ku 帯 GaN MMIC 低雑音増幅器 ○久樂 顕・神岡 純・桑田英悟・山口裕太郎・加茂宣卓・新庄真太郎（三菱電機）  MW2023-81 |
マイクロ波送受信モジュール向けのC-Ku帯広帯域GaN低雑音増幅器( LNA)について報告する．広帯域化と低雑音化を両立... [more] | MW2023-81 pp.7-10 |
| AP, RCS (併催) |
2019-11-21 09:50 |
佐賀 | 佐賀大学 | 増幅器の利得変動に対処した自己干渉キャンセラの部分的再学習 ○石井建至・小松和暉・宮路祐一・上原秀幸（豊橋技科大） RCS2019-215 |
帯域内全二重は，周波数利用効率とスループットの改善が期待されるが，その実現には自己干渉の除去が必須である．これまでに提案... [more] | RCS2019-215 pp.73-78 |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | ゲート接地MOSFETを利用して並列負帰還を形成した低電力化雑音打ち消しLNAの小面積化 ○下川直樹・和田和千（明大） CAS2017-79 ICD2017-67 CPSY2017-76 |
ゲート接地増幅回路とソース接地増幅回路を組み合わせた，雑音打消しLNAの内部に並列負帰還を用いた回路が知られている．低雑... [more] | CAS2017-79 ICD2017-67 CPSY2017-76 pp.79-84 |
| EMCJ, MW, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2016-10-20 11:20 |
宮城 | 東北大学 | 5Gにおける高SHF帯・広帯域Massive MIMO向けRFフロントエンド増幅器モジュール ○中谷圭吾・新庄真太郎・小松崎優治・神岡 純・幸丸竜太・中溝英之・宮脇勝巳・山中宏治（三菱電機） EMCJ2016-64 MW2016-96 EST2016-60 |
3段送信用増幅器(PA)，2段低雑音増幅器(LNA)およびスイッチ(SW)の各チップを集積・実装した第5世代移動通信(5... [more] | EMCJ2016-64 MW2016-96 EST2016-60 pp.25-30 |
| SAT, SANE (併催) |
2016-02-16 14:35 |
広島 | 広島工業大学 | 小型衛星でXバンド合成開口レーダーを実現するための高出力RF送信機等の開発 ○渡邊宏弥（東大）・齋藤宏文（JAXA） SANE2015-109 |
齋藤宏文研究室ではX帯合成開口レーダー(SAR)を100kg級の小型衛星で実現するべく，様々なサブシステムを研究している... [more] | SANE2015-109 pp.13-18 |
| EMT, MW, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2015-07-16 13:00 |
北海道 | 釧路市生涯学習センター | 400MHz-6GHz高線形GaN低雑音増幅器の一検討 ○山口 陽・加保貴奈・川島宗也・上原一浩（NTT） EMT2015-12 MW2015-50 OPE2015-24 EST2015-16 MWP2015-15 |
周波数高度利用のためには、当該周波数がその場所、その時間帯に他システムで利用することが可能かどうかを把握する必要があり、... [more] | EMT2015-12 MW2015-50 OPE2015-24 EST2015-16 MWP2015-15 pp.23-27 |
| MW, ICD (共催) |
2015-03-05 10:00 |
福井 | 福井大学 | 高利得かつ広帯域なCMOS多段低雑音増幅器の設計 前田健吉・水草真一・高野恭弥・片山光亮・天川修平・吉田 毅・○藤島 実（広島大） MW2014-203 ICD2014-116 |
ミリ波帯の低雑音増幅器には、高利得、広帯域、低雑音であることが求められる。ミリ波帯ではMOSFETの利得が小さいため、高... [more] | MW2014-203 ICD2014-116 pp.7-11 |
| EMCJ, MW, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2014-10-24 14:30 |
秋田 | 秋田県立大 本荘キャンパス | 断熱導波管を用いた高感度超伝導受信モジュールの開発 ○河口民雄・塩川教次・中山浩平・山崎六月・池内裕章・加屋野博幸（東芝） EMCJ2014-64 MW2014-120 EST2014-78 |
本稿では、断熱導波管を用いて高感度高温超伝導受信モジュールの開発を行ったので報告する．断熱導波管は、表面に銀をメタライズ... [more] | EMCJ2014-64 MW2014-120 EST2014-78 pp.123-128 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2013-07-05 16:25 |
北海道 | サン・リフレ函館 | 最適オンオフ制御を用いた磁界結合パルス通信用間欠動作LNA ○徐 照男・小平 薫・浦野雄貴・黒田忠広・石黒仁揮（慶大） ICD2013-42 |
この論文は磁界結合パルス通信で用いるための低消費電力なLNAについて述べている．消費電力を削減するために，パルス信号が現... [more] | ICD2013-42 pp.113-118 |
| ICD | 2011-12-15 16:10 |
大阪 | 大阪大学会館 | ［ポスター講演］差動型LNAの設計手法 ○増本崇大・兼本大輔・金谷晴一（九大）・ラメシュ ポカレル（日本エジプト科学技術連携術連センター）・吉田啓二（九大） ICD2011-125 |
近年無線通信需要の拡大により、無線機器のアナログフロントエンド部の研究が盛んに行われている。近年の動向としては、より機器... [more] | ICD2011-125 pp.115-117 |
| MW | 2010-12-17 09:25 |
石川 | 金沢工業大学 | 小面積アクティブフィードバック型低雑音増幅器の設計 ○金丸正樹・齊藤典昭（パナソニック） MW2010-129 |
近年の無線端末の多機能化や利用周波数帯の増加に伴い、無線ブロックの小型化が強く望まれている。これに対する動きとして、複数... [more] | MW2010-129 pp.41-46 |
| EMCJ, ITE-BCT (共催) |
2010-03-12 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | 低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化磁界プローブの設計及び試作 ○難波志織・小舘 航・山口正洋（東北大）・川人祥二（静岡大）・石原 昇（東工大） EMCJ2009-132 |
チップ内の電源配線上の高調波ノイズ評価を最終目標として，LSIチップの近傍磁界を測定するために，CMOS 0.18 μm... [more] | EMCJ2009-132 pp.37-42 |
| RCS, AN, MoNA, SR (併催) |
2010-03-05 15:10 |
神奈川 | YRP | フレキシブル・アクセスポイントとプロトコルフリー信号処理部からなるヘテロジニアスネットワークシステムの提案 ～ Part1：システムアーキテクチャとRF回路技術 ～ ○山口 陽・芝 宏礼・赤羽和徳・山田貴之・李 斗煥・加保貴奈・上原一浩（NTT） RCS2009-321 MoMuC2009-94 SR2009-118 AN2009-87 |
現在，携帯電話，無線LAN，RFID等，多種多様な無線通信システムが使用されており，また，多くの無線通信システムの標準化... [more] | RCS2009-321 MoMuC2009-94 SR2009-118 AN2009-87 pp.373-378(RCS), pp.123-128(MoMuC), pp.183-188(SR), pp.111-116(AN) |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 10:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 14GHzの帯域を持つ63GHz 36mW CMOS差動低雑音増幅器 ○藤島 実・夏苅洋平（東大） SDM2009-97 ICD2009-13 |
シングルエンド入力・差動出力を持つ低消費電力・広帯域63GHz CMOS低雑音増幅回路(LNA)を提案する．提案するLN... [more] | SDM2009-97 ICD2009-13 pp.1-6 |
| MW | 2008-08-28 13:20 |
大阪 | 大阪大学（豊中） | 0.18μmCMOS上超広帯域(UWB)用低雑音増幅器(LNA)の設計・評価に関する検討 ○ポカレル ラメシュ・ガラル アハモッド・金谷晴一・吉田啓二（九大） MW2008-83 |
A CMOS low noise amplifier (LNA) for ultra-wideband (UWB) sy... [more] | MW2008-83 pp.25-30 |
| MW | 2008-08-28 13:45 |
大阪 | 大阪大学（豊中） | GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器 ○山中宏治・湯川秀憲・井上 晃（三菱電機） MW2008-84 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研... [more] | MW2008-84 pp.31-36 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-18 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | フィンラインを用いた40GHz帯低雑音ダウンコンバーター ○鈴木洋介（キーコム）・グェン タイン・亀井利久・内海要三（防衛大） ED2007-233 MW2007-164 |
本論文では，都市型CATVの双方向無線伝送システムへの利用を想定し，フィルターなどとともに送受信回路高周波部を導波管回路... [more] | ED2007-233 MW2007-164 pp.159-164 |
| EMT, OPE, MW (共催) |
2007-08-03 11:15 |
北海道 | 室蘭工業大学 | GaAsFETを用いた反射型増幅器の雑音特性の検討 ○水野秀樹（東海大） MW2007-72 OPE2007-59 |
マイクロ波帯低雑音増幅器では通常トランジスタ等を用い，二端子対回路型増幅器として構成することが多いが，単位増幅器あたりの... [more] | MW2007-72 OPE2007-59 pp.169-174 |
| SR | 2007-05-24 17:35 |
東京 | 電気通信大学 | ［特別講演］［特別講演］Recent Advances in RF Devices for Future Wireless Systems ○Yo Yamaguchi・Munenari Kawashima・Takana Kaho・Kazuhiro Uehara（NTT） SR2007-9 |
ソフトウェア無線機の究極の構成は，到来したRF信号を直接AD変換器でデジタル信号に変換し，信号処理プロセッサで処理すると... [more] | SR2007-9 pp.47-52 |
| RCS, AP, WBS, SR, MW, MoNA (併催) |
2006-03-03 13:00 |
神奈川 | YRP | 60GHz帯0.4V，5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC 西川健二郎・榎木孝知・杉谷末広・○豊田一彦（NTT） |
本稿では低消費電力な60GHz帯低雑音増幅器（LNA）について報告する．本LNAに用いたデバイスは光通信向け高速ディジタ... [more] | MW2005-180 pp.13-18 |
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