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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
12:40
愛知 名古屋工業大学 SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ
飯田涼介名城大)・林 菜摘村永 亘岩山 章竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101
窒化物半導体面発光レーザのしきい値電流低減に向けて、SiO2埋め込みによる光導波構造を検討した。本論文では、まず、SiO... [more] ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101
pp.71-74
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
10:30
京都 京都大学 薄型結晶シリコン太陽電池に向けたナノインプリントテクスチャの光閉じ込め効果
中井雄也石河泰明浦岡行治奈良先端大EID2017-11 SDM2017-72
薄型結晶シリコン太陽電池の実現には光吸収層内での光り閉じ込め効果が重要であり,光の多重反射を目的としたテクスチャを形成す... [more] EID2017-11 SDM2017-72
pp.1-4
MRIS, IEE-MAG
(連催)
2017-03-10
15:10
愛知 名古屋大学 GeSbTe-Siマイクロ共振器を用いた2次元情報符号化素子の提案と動作実証
木原雄也中村政輝ソビ ファラビ片岩大智慶大)・桑原正史産総研)・斎木敏治慶大MR2016-63
近年、インターネットやSNSの発展に伴い、情報量が年々膨大に増加している。その対策として情報保存量の増加のみでなく、情報... [more] MR2016-63
pp.35-40
OPE, LQE
(共催)
2016-06-17
14:40
東京 機械振興会館 量子構造混晶化を用いたVCSELのキャリア及び光閉じ込めに関する研究
齋藤 季森脇翔平宮本智之東工大OPE2016-15 LQE2016-25
VCSELは二次元アレー・低消費電力・優れた生産性といった特徴を有し,広く実用されている.今後,VCSELは光無線給電と... [more] OPE2016-15 LQE2016-25
pp.31-34
LQE, LSJ
(共催)
2015-05-21
13:20
石川 金沢能楽美術館 電流注入形半導体薄膜分布反射型レーザの室温連続動作
平谷拓生井上大輔冨安高弘厚地祐輝福田 快雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2015-1
近年のLSIは素子の微細化による高性能化を進める一方で、配線層上部のグローバル配線において、信号遅延や発熱などが問題とな... [more] LQE2015-1
pp.1-6
LQE 2013-12-13
10:50
東京 機械振興会館 オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの消費電力検討
平谷拓生土居恭平厚地祐輝雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2013-128
近年、LSIの微細化による配線遅延や発熱の影響が無視できなくなってきており、電気配線の光配線への代替が有望視されている。... [more] LQE2013-128
pp.15-20
LQE 2013-12-13
13:10
東京 機械振興会館 [奨励講演]オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低しきい値動作への進展
進藤隆彦二見充輝土居恭平平谷拓生雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2013-130
LSI内のグローバル配線層の代替として、我々はこれまで半導体薄膜構造を用いたオンチップ光集積回路を提案してきた。オンチッ... [more] LQE2013-130
pp.27-32
LQE 2012-12-13
10:25
東京 機械振興会館 GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化
進藤隆彦二見充輝土居恭平雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2012-123
LSIの微細化・高速化に伴い、素子間の配線におけるRC遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念さ... [more] LQE2012-123
pp.9-14
LQE, CPM, EMD, OPE, R
(共催)
2012-08-23
15:15
宮城 東北大学電気通信研究所 GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析
土居恭平進藤隆彦二見充輝雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大R2012-29 EMD2012-35 CPM2012-60 OPE2012-67 LQE2012-33
我々は、オンチップ光インターコネクション用の光源として半導体薄膜(membrane)DFBレーザを提案してきた。半導体薄... [more] R2012-29 EMD2012-35 CPM2012-60 OPE2012-67 LQE2012-33
pp.41-46
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
13:50
愛知 名古屋大学 VBL Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長
熊谷啓助小路耕平河合 剛山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23
格子整合系III-V-N/Siの発光素子構造において、Siと格子整合した低屈折率混晶があれば光閉じ込め構造作製に応用でき... [more] ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23
pp.49-54
LQE 2010-12-17
11:10
東京 機械振興会館 a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ
進藤隆彦奥村忠嗣伊藤 瞳小口貴之高橋大佑渥美裕樹姜 ジュンヒョン長部 亮雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2010-118
LSIの高速化に伴い、現在のグローバル配線層における遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念され... [more] LQE2010-118
pp.17-22
OPE 2010-12-17
17:30
東京 機械振興会館地下3階2号室 BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性
前田泰奈李 智恩渥美裕樹西山伸彦荒井滋久東工大OPE2010-141
LSIの性能律速となりつつあるLSI内電気グローバル配線を代替するために極低消費電力かつ小型な光配線への期待が高まってい... [more] OPE2010-141
pp.55-60
OPE 2007-02-16
13:25
東京 機械振興会館 ブラッグファイバの光閉じ込め効果による損失評価
左貝潤一立命館大
ブラッグファイバの光閉じ込め効果に起因した光損失を、クラッド材損失、光ファイバ構造パラメータ、動作波長λ0の関数として定... [more] OPE2006-164
pp.5-10
OPE, LQE
(共催)
2006-06-30
09:45
東京 機械振興会館 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ
阪本真一内藤秀幸田村茂雄丸山武男荒井滋久東工大
半導体薄膜活性層分離型DFBレーザは、光閉じ込め係数$\xi$と屈折率結合係数$\kappa$_{i}の増大により、低し... [more] OPE2006-15 LQE2006-19
pp.1-6
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