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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2014-10-21
16:20
北海道 北大エンレイソウ a-Seのキャリア増倍を利用した光検出器の高感度化
増澤智昭静岡大)・大西正徳胡谷大志大畑慧訓月村玲菜落合 潤齋藤市太郎国際基督教大)・山田貴壽産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・岡野 健国際基督教大ED2014-67
アモルファスセレン(a-Se)を用いた光検出器は,高い位置分解能と応答速度を兼ね備え,さらにキャリア増倍による高感度化が... [more] ED2014-67
pp.25-28
ED 2013-10-22
13:30
北海道 北海道大学エンレイソウ [招待講演]ダイヤモンドpn接合冷陰極の形成と真空スイッチ応用
小泉 聡竹内大輔物質・材料研究機構/JSTED2013-50
水素終端ダイヤモンド表面に負電子親和力を利用して、高い電子放出効率を示すpn接合型冷陰極の作製に成功した.電子放出特性の... [more] ED2013-50
pp.1-4
ED 2012-11-19
15:30
大阪 阪大中之島センター アモルファスセレンとダイヤモンド冷陰極を用いた光検出器の評価
増澤智昭国吉真吾大西正徳斎藤市太郎国際基督教大)・Angel T. T. KohDaniel H. C. ChuaNUS)・山田貴壽産総研)・下澤達雄東大)・岡野 健国際基督教大ED2012-57
アモルファスセレン(a-Se)を用いた光検出器は,高い位置分解能と応答速度を兼ね備え,さらにキャリア増倍による高感度化が... [more] ED2012-57
pp.15-17
ED 2012-11-20
09:55
大阪 阪大中之島センター nc-Si MOS冷陰極からの電子放射における光照射効果
嶋脇秀隆八戸工大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2012-61
微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に光... [more] ED2012-61
pp.37-40
ED 2011-10-21
09:00
青森 八戸ポータルミュージアム はっち nc-Si MOS冷陰極からのレーザ支援による電子放射
嶋脇秀隆山崎勇人八戸工大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2011-66
He-Neレーザ(出力1 mW、波長633 nm)をp-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に照射し、放射電流特性、... [more] ED2011-66
pp.33-36
ITE-IDY, EID, IEIJ-SSL, IEE-EDD
(共催)
2010-01-29
12:00
福岡 九州大学(筑紫地区) C12A7エレクトライド:液晶バックライト用CCFLの新陰極材料とそのグロー放電特性
渡邉 暁伊藤和弘宮川直通伊藤節郎旭硝子)・御子柴茂生電通大EID2009-79
液晶バックライト等に用いられている冷陰極蛍光ランプでは、消費電力低減のため、電子放出特性にすぐれた電極材料が求められてい... [more] EID2009-79
pp.131-132
CPM 2009-10-29
16:15
富山 富山県立大学 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブを用いた冷陰極の試作と評価
斉藤裕史萩野達也松本純樹山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2009-93
絶縁体中にカーボンナノチューブを分散させることにより、電界増幅係数を高く保ったまま安定な冷陰極を構成できることを提案した... [more] CPM2009-93
pp.17-20
ED 2006-08-03
16:05
大阪 大阪大学 コンベンションセンター LCDバックライト用冷陰極蛍光ランプへのダイヤモンド放電陰極の応用
小野富男酒井忠司佐久間尚志鈴木真理子吉田博昭東芝
LCDバックライト光源として用いられる冷陰極蛍光ランプは低消費電力かつ長寿命であることが要求されている。この放電ランプで... [more] ED2006-125
pp.41-46
ED 2005-12-22
14:55
東京 機械振興会館 アクティブ駆動型HEED冷陰極HARP撮像板の試作
難波正和宮川和典大川裕司渡部俊久岡崎三郎谷岡健吉江上典文NHK)・田中亮太中田智成酒村一到奥田義行根岸伸安佐藤英夫渡辺 温吉川高正パイオニア
小型超高感度カメラを目指して、電界放射陰極アレイに超高感度なHARP光電変換膜を対向配置した冷陰極HARP撮像板の開発に... [more] ED2005-187
pp.27-32
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