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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM, CPM
(共催)
2021-05-27
15:40
ONLINE オンライン開催 単層Feナノドットアレイを用いて作製した単電子デバイスの電気特性
瘧師貴幸浅井佑基卞 範模天野郁馬福地 厚有田正志高橋庸夫北大ED2021-6 CPM2021-6 SDM2021-17
単電子デバイス(Single-Electron Device: SED)は超低消費電力・高機能性を有するナノデバイスであ... [more] ED2021-6 CPM2021-6 SDM2021-17
pp.23-26
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
10:00
北海道 北海道大学百年記念会館 コンパクトなシリコン三重量子ドットの作製と評価
内田貴史福地 厚有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2016-130 SDM2016-147
高集積シリコンマルチ量子ドットは量子ビットへの応用が期待されている. 我々は, シリコン細線をパターン依存酸化することで... [more] ED2016-130 SDM2016-147
pp.1-6
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
15:05
北海道 北海道大学(百年記念会館) 多入力・多出力高機能デバイスを念頭においた3端子ナノドットアレイの高機能特性
吉岡 勇佐藤 光内田貴史福地 厚有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大ED2014-141 SDM2014-150
ナノドットアレイ単電子デバイスは多入力・多出力であり、単一デバイスでこれまでのCMOSにはない高機能性を実現できる。この... [more] ED2014-141 SDM2014-150
pp.17-22
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
13:00
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 [招待講演]Si single-electron FETs for single-photon detection
Michiharu TabeRatno NuryadiZainal BurhanudinShizuoka Univ.
我々は、Siデバイスのブレークスルーにとって、3つの要素が重要と考えて研究を進めている。すなわち、単電子の転送制御、単一... [more]
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