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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-06-26
14:50
広島 広島大学 ナノデバイス研究所 [招待講演]加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子スケールリアルタイム観察 ~ 多結晶Siチャネル高性能化に向けて ~
手面 学浅野孝典高石理一郎富田充裕齋藤真澄田中洋毅キオクシアSDM2023-34
加熱その場高分解能TEMを用いて,多結晶Siチャネルを模した薄膜Si内で微結晶Siと結晶化していないアモルファス領域の局... [more] SDM2023-34
pp.28-30
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2023-01-27
14:45
ONLINE オンライン開催 (Webex) ZnGa2O4:Cr3+遠赤色蛍光体薄膜のポストアニールによる導電性向上の検討
谷口明輝蓬莱良太山崎彰久大観光徳鳥取大EID2022-6
電子線蒸着法により成膜したZnGa2O4:Cr3+薄膜にラピッドサーマルアニール(RTA)を施した。N2+H2雰囲気下、... [more] EID2022-6
pp.9-12
US 2022-05-19
13:25
東京 機械振興会館 堅牢ハイドロホンの性能評価 ~ 集束超音波音場における耐久性評価 ~
貝瀬不二丸桐蔭横浜大)・椎葉倫久日本医療科学大)・岡田長也本多電子)・森下武志佐藤敏夫桐蔭横浜大)・竹内真一東京都市大/桐蔭横浜大US2022-6
我々は音響キャビテーションの発生を伴う高強度超音波音場を測定することを目的にチタンと水熱合成PZT多結晶膜を用いて堅牢性... [more] US2022-6
pp.21-25
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2021-10-08
13:00
ONLINE オンライン開催 Fe-Co合金の単結晶薄膜および多結晶厚膜の構造と磁歪特性
中村優太明田俊祐近藤 輝大竹 充川井哲郎二本正昭横浜国大)・桐野文良東京藝術大)・稲葉信幸山形大MRIS2021-6
大きな磁歪を示すFe-Co合金は磁歪式振動発電デバイスへの応用に向けて注目されている.本研究では,磁歪の基本特性を調べる... [more] MRIS2021-6
pp.1-5
IMQ 2021-05-28
09:40
ONLINE オンライン開催 自己教師あり学習によるグレースケール画像を用いた特徴表現学習
鷲見優一郎小島拓人名大)・沓掛健太朗理研)・松本哲也工藤博章名大)・竹内義則大同大)・宇佐美徳隆名大IMQ2021-1
住宅用太陽光発電システムとして最も使われている多結晶シリコン太陽電池は,転位クラスターの発生による性能低下領域を含んでい... [more] IMQ2021-1
pp.1-4
EMD, R
(共催)
2021-02-12
15:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]電子デバイスに対する信頼性物理の諸課題 ~ 物理的に解明が必要な故障メカニズム ~
門田 靖リコーR2020-37 EMD2020-28
半導体デバイスをはじめ電子デバイスの多くは,市場の様々な分野・用途で使われている.現在市場で発生している電子デバイスの故... [more] R2020-37 EMD2020-28
pp.19-24
CPM 2020-10-29
14:50
ONLINE オンライン開催 多結晶Si基板上へのGaN系ナノ柱状結晶によるpn接合ダイオード形成とその諸特性
谷口真悟齋藤 宇薛 後耀齋藤 翼佐藤祐一秋田大CPM2020-16
低コスト太陽電池の形成に広く用いられている多結晶 Si を基板として,GaN 系ナノ柱状結晶による pn 接合ダイオード... [more] CPM2020-16
pp.19-22
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-24
10:55
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]導電性三元硫化物・酸化物蛍光体薄膜を用いた電流注入型発光素子
辻森和樹古賀峻丞石垣 雅大観光徳鳥取大EID2019-13
本研究では CuAlS_2:Mn及び ZnGa_2O_4:Cr多結晶薄膜を用いた電流注入型発光素子の作製を 検討した 。... [more] EID2019-13
pp.117-120
IMQ, IE, MVE
(共催)
CQ
(併催) [詳細]
2019-03-15
14:25
鹿児島 鹿児島大学 郡元キャンパス 畳み込みニューラルネットワークの転移学習による多結晶シリコンPL像中の転位領域の推定
工藤博章松本哲也名大)・沓掛健太朗理研)・宇佐美徳隆名大IMQ2018-69 IE2018-153 MVE2018-100
本報告では,多結晶シリコンウェハのPL像に対して,ウェハ内部の結晶欠陥である転位を含んだ領域を特定する方法について検討を... [more] IMQ2018-69 IE2018-153 MVE2018-100
pp.257-262
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
11:00
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ
内海大樹東北学院大)・北原邦紀塚田真也島根大)・鈴木仁志原 明人東北学院大EID2018-4 SDM2018-77
塗布型ポリイミド(PI)上に銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化(MIC)を用いて, ダブルゲート(DG)構造の多結晶ゲル... [more] EID2018-4 SDM2018-77
pp.1-4
CPM, IEE-MAG
(連催)
2018-11-02
11:40
新潟 まちなかキャンパス長岡 多結晶Si基板上に形成したGaN系ナノ柱状結晶の微細構造
佐藤祐一齋藤嘉一佐藤勝彦齋藤 宇藤原亜斗武齋藤 翼秋田大CPM2018-51
太陽電池に多用されている多結晶Siウェハを基板としてGaN系半導体のナノ柱状結晶を形成した.その微細構造を走査型および透... [more] CPM2018-51
pp.75-80
IMQ 2018-10-19
15:05
京都 京都工芸繊維大学 多層パーセプトロンによる多結晶シリコンPL像中の転位領域の推定における次元数に関する検討
工藤博章松本哲也名大)・沓掛健太朗理研)・宇佐美徳隆名大IMQ2018-14
多結晶シリコンウェハのPL像に対して,ウェハ内部の結晶欠陥である転位を含んだ領域を特定する方法について検討を行った.多層... [more] IMQ2018-14
pp.19-24
IMQ 2017-12-15
14:20
静岡 静岡大学浜松キャンパス 多結晶シリコンPL像中の転位領域の非負値行列因子分解による推定
工藤博章羽山優介松本哲也沓掛健太朗宇佐美徳隆名大IMQ2017-22
多結晶シリコンウェハのPL像に対して,ウェハ内部の結晶欠陥である転位を含んだ領域を特定する方法について検討を行った.非負... [more] IMQ2017-22
pp.13-18
IMQ 2017-10-06
16:15
兵庫 神戸大学 多結晶シリコンPL像中の転位領域のスパースコーディングによる推定に関する検討
工藤博章羽山優介松本哲也名大)・沓掛健太朗東北大)・宇佐美徳隆名大IMQ2017-19
近年,多結晶シリコンウェハの組織制御が着目されている.本報告では多結晶シリコンウェハのPL像を用い,転位を含んだ領域を特... [more] IMQ2017-19
pp.29-34
OME, SDM
(共催)
2017-04-20
13:00
鹿児島 龍郷町生涯学習センター 300℃プロセスによって形成した自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFTの開発
内海大樹佐々木大精関口竣也竹内翔弥原 明人東北学院大SDM2017-1 OME2017-1
IoTやトリリオンセンサ社会の実現に向けてフレキシブルデバイスやウェアラブルデバイスに対する期待が高まっている. これを... [more] SDM2017-1 OME2017-1
pp.1-4
US 2015-05-25
14:45
東京 機械振興会館 水熱合成PZT多結晶膜を用いた医療応用を目的とした二振動子型コイル状ステータ超音波モータの基礎検討
大関誠也阿部峻靖桐蔭横浜大)・黒澤 実東工大)・竹内真一桐蔭横浜大US2015-12
あらまし 医療応用を目的として開発されたコイル状ステータ超音波モータ (CS-USM: Coiled Stator Ul... [more] US2015-12
pp.19-23
SDM 2015-01-27
11:15
東京 機械振興会館 [招待講演]フラッシュランプアニール法による多結晶Ge tri-gateジャンクションレスp-/n-MOSFET動作の実証
臼田宏治鎌田善巳上牟田雄一森 貴洋小池正浩手塚 勉産総研SDM2014-138
多結晶Siに比べて低温形成が可能な多結晶Geは、既存集積回路への熱負荷を抑制しつつ直接積層が可能で、3次元積層CMOS用... [more] SDM2014-138
pp.13-16
SDM 2014-06-19
16:55
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ~ 低融点Snの活用 ~
黒澤昌志名大/学振)・田岡紀之名大)・池上 浩九大)・竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大SDM2014-60
積層型 CMOS 回路や近赤外・中赤外光フォトディテクタの新規材料として,我々は IV 族多元半導体(GeSn, SiS... [more] SDM2014-60
pp.91-95
SDM 2013-12-13
11:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 Poly-Si TFTを用いたGate Arrayの設計開発
井上雅志松田時宜木村 睦龍谷大SDM2013-123
本研究では、Poly-Si TFTを用いたゲートアレイの設計開発を行った。今回は、相補型インバータとNAND、NORを実... [more] SDM2013-123
pp.43-47
SDM 2013-12-13
11:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 スパッタリングより形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温poly-Si TFT
目黒達也原 明人東北学院大SDM2013-124
高誘電率ゲート絶縁膜は,低温多結晶Si(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)の性能向上のためのテクノロジ・ブースタ... [more] SDM2013-124
pp.49-53
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