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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2023-08-18 14:25 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電極/Nb:SrTiO3接合の光応答特性評価 ～ 光電子シナプスデバイス実現に向けて ～ ○佐田 晋・鄭 雨萌・木下健太郎（東京理科大）  ED2023-11 |
Sn ドープ In_2O_3(ITO)/Nb:SrTiO_3(NSTO)接合は電圧印加により、光誘起電流の緩和時定数の制... [more] | ED2023-11 pp.6-9 |
| ED, IEE-BMS, IEE-MSS (連催) |
2022-08-18 15:20 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ITO/Nb:SrTiO3接合における光誘起電流特性を利用したニューロモルフィックコンピューティング ～ リザバーコンピューティング応用に向けて ～ ○山﨑悠太郎・甲斐洋行・木下健太郎（東京理科大） ED2022-21 |
近年，エッジコンピューティングのニーズが高まり，高い学習性能を維持したまま計算コストを削減する手法が求められている．その... [more] | ED2022-21 pp.17-20 |
| CPM | 2021-10-27 15:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 抵抗変化メモリのためのHfO2膜の特性評価 ○川合祐貴・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2021-31 |
近年，フラッシュメモリより動作速度が速く，消費電力を低くすることができる抵抗変化メモリが注目されている．しかしながら，低... [more] | CPM2021-31 pp.43-45 |
| CPM | 2020-10-29 16:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 抵抗変化メモリに適用可能なZrO2膜の低温作製 ○佐藤 勝・川合祐貴・向井高幸・武山真弓（北見工大） CPM2020-21 |
抵抗変化メモリに適用可能な絶縁膜を形成するために、我々は、ZrO2膜の低温作製を行ってきた。本研究で得られたZrO2膜は... [more] | CPM2020-21 pp.38-40 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 16:15 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価 ○李 遠霖・福地 厚・有田正志（北大）・森江 隆（九工大）・高橋庸夫（北大） ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 |
抵抗変化型メモリ(Resistive Random Access Memory: ReRAM)は，人工シナプスを実現可能... [more] | ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 pp.29-34 |
| SDM | 2016-06-29 13:30 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス ○角嶋邦之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大） SDM2016-38 |
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] | SDM2016-38 pp.33-36 |
| ICD | 2016-04-14 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察 ○高橋庸夫（北大）・工藤昌輝（九大）・有田正志（北大） ICD2016-5 |
抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている．しかし、その長期信頼... [more] | ICD2016-5 pp.21-26 |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-25 09:30 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］低電力混載ReRAM技術 ○植木 誠・田辺 昭・砂村 潤・成廣 充・上嶋和也・増﨑幸治・古武直也・満生 彰・武田晃一・長谷 卓・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス） SDM2015-65 ICD2015-34 |
低電力MCU向けの不揮発メモリーとしてスケーラブルなReRAM素子（活性領域は0.009um2）から成る 2MbのReR... [more] | SDM2015-65 ICD2015-34 pp.41-46 |
| SDM | 2015-06-19 13:20 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性 ○加藤祐介・荒井 崇・大田晃生・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2015-46 |
リモートH2プラズマ(H2-RP)支援によるTiナノドットの形成とその埋め込みがSiOx膜の抵抗変化特性に与える影響につ... [more] | SDM2015-46 pp.41-45 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:45 |
京都 | 京都大学 | 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ～ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ～ ○森山拓洋（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2014-39 SDM2014-134 |
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] | EID2014-39 SDM2014-134 pp.135-138 |
| SDM | 2014-06-19 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性 ○大塚慎太郎・濱田佳典・清水智弘・新宮原正三（関西大） SDM2014-57 |
抵抗変化メモリは次世代不揮発性メモリとして期待されているが，抵抗変化のメカニズムが詳しく解明されていないことが問題である... [more] | SDM2014-57 pp.75-78 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-28 11:40 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察 ○大野裕輝・廣井孝弘・工藤昌輝・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫（北大） ED2013-148 SDM2013-163 |
固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では，固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作... [more] | ED2013-148 SDM2013-163 pp.89-94 |
| SDM | 2013-06-18 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | シリコン酸化膜中に埋め込んだバイオナノ粒子の抵抗変化メモリ効果 ○上沼睦典（阪大）・番 貴彦・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） SDM2013-55 |
シリコン酸化膜中にFe3O4ナノ粒子を埋め込むことで安定した抵抗変化スイッチング動作が確認された。バイオ鋳型を用いてナノ... [more] | SDM2013-55 pp.57-60 |
| ICD, IPSJ-ARC (連催) |
2013-02-01 11:40 |
東京 | 早稲田大学グリーン・コンピューティング・システム研究開発センター | 電圧センスアンプを用いたReRAMの多値化のための読み出し・書き込み回路 ○伊部泰貴・中山和也・北川章夫（金沢大） ICD2012-126 |
ReRAMの多値化に向け，既存の電圧センスアンプを利用した読み出し回路を提案する．ReRAM素子のビット線とグランドの間... [more] | ICD2012-126 pp.45-49 |
| SDM | 2012-12-07 16:30 |
京都 | 京都大学(桂) | 微細領域に閉じ込められたReRAMフィラメントのメモリ特性 ○高 相圭・木下健太郎・福原貴博・澤居優圭・岸田 悟（鳥取大） SDM2012-136 |
抵抗変化型メモリ(ReRAM)実用化の観点から微細セルのメモリ特性を明らかにすることが重要である. しかし, 実際にRe... [more] | SDM2012-136 pp.123-127 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-27 14:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 ～ 薄膜中の局所欠陥制御 ～ ○上沼睦典・番 貴彦・鄭 彬・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大） SDM2012-4 OME2012-4 |
抵抗変化型メモリ（ReRAM）は、次世代の不揮発性メモリとして期待されている．その動作原理は、抵抗変化膜中に形成されるフ... [more] | SDM2012-4 OME2012-4 pp.15-20 |
| ICD | 2011-04-18 11:40 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | ［招待講演］高速記録再生回路を有するReRAMテストマクロ ～ Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput ～ ○筒井敬一・大塚 渉・宮田幸児・北川 真・対馬朋人（ソニー） ICD2011-3 |
従来型のメモリとしてDRAMとNANDは将来の微細化が困難になることが予想され，微細化に適した次世代メモリの技術開発が行... [more] | ICD2011-3 pp.13-18 |
| ICD | 2011-04-19 16:15 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析 ○田中隼人・木下健太郎・岸田 悟（鳥取大） ICD2011-20 |
抵抗変化型メモリ(ReRAM)は, 次世代不揮発性メモリとして期待されている. ReRAMの実用化に向けてリセット(低抵... [more] | ICD2011-20 pp.111-116 |
| NC | 2010-10-23 14:30 |
福岡 | 九工大（北九州学研都市） | バイポーラ型抵抗変化メモリ素子を用いたSTDPシナプスデバイス ○赤穂伸雄・浅井哲也（北大）・柳田 剛・川合知二（阪大）・雨宮好仁（北大） NC2010-46 |
抵抗変化メモリ（resistive RAM: ReRAM）を用いたSTDPシナプスデバイスを提案する。提案デバイスは、バ... [more] | NC2010-46 pp.23-28 |
| SDM | 2010-06-22 17:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 ～ 金属ナノ粒子による伝導パスの制御 ～ 上沼睦典・○川野健太郎（奈良先端大/CREST JST）・吉井重雄・山下一郎（奈良先端大/パナソニック）・浦岡行治（奈良先端大/CREST JST） SDM2010-48 |
本研究では、フェリチンにより内包した金ナノ粒子とフェリチンのバイオミネラリゼーションにより形成したPtナノ粒子を用いて抵... [more] | SDM2010-48 pp.85-88 |
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