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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
15:20
ONLINE オンライン開催 AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価
森 隆一上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45
スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に,MOVPE法を用いてチャネル膜厚1... [more] ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45
pp.83-86
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:00
ONLINE オンライン開催 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長
白土達也上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
本研究では,低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10–80... [more] ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
pp.41-44
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
15:20
ONLINE オンライン開催 ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価
伊庭由季乃正直花奈子窪谷茂幸上杉謙次郎肖 世玉三宅秀人三重大ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75
Face-to-face配置でアニールしたスパッタAlNテンプレート(FFA Sp-AlN)に周期300 nmと深さ12... [more] ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75
pp.91-94
LQE 2017-12-15
10:35
東京 機械振興会館 [奨励講演]Polar-plane-free faceted InGaN microstructures for highly efficient polychromatic emitters
Yoshinobu MatsudaMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.LQE2017-86
InGaNマルチファセット量子井戸構造は,蛍光体フリーな高効率白色合成が期待できることから,近年注目を集めている.しかし... [more] LQE2017-86
pp.5-8
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
10:05
京都 京大桂キャンパス 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現
松田祥伸船戸 充川上養一京大ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86
三次元GaN上に作製したInGaN量子井戸は,蛍光体フリーな新規白色LEDとして有望である.しかし,これまで報告されてき... [more] ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86
pp.67-70
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
13:10
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析
堀田昌宏京大)・高島信也田中 亮松山秀昭上野勝典江戸雅晴富士電機)・須田 淳京大ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104
低濃度Mgドープp型GaN (Mg濃度$6.5times 10^{16}~mbox{cm}^{-3}$)に対してホール効... [more] ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104
pp.21-25
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-17
14:55
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性
高木達也華 俊辰宮原 亮・○高野 泰静岡大ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に4°オフ基板を使用した。成長温度を770-830℃... [more] ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23
pp.19-23
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
11:15
大阪 阪大 中ノ島センター Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討
田辺 悟西尾 礼小林由貴根本幸祐宮本智之東工大ED2010-145 CPM2010-111 LQE2010-101
今回,MOCVD法を用いて,Si基板上へのGaNP層成長及びInAs系量子ドット成長の基礎特性の検討を行った.Si基板上... [more] ED2010-145 CPM2010-111 LQE2010-101
pp.15-19
OPE, EMD, CPM, LQE
(共催)
2009-08-20
15:15
宮城 東北大学 ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED
鈴木勇介川島史裕斉藤泰仁下村和彦上智大EMD2009-38 CPM2009-62 OPE2009-86 LQE2009-45
キャリアを0次元に閉じ込める構造を持つ量子ドットは独特な特性を持つとされている.そして量子ドットはレーザやLEDのような... [more] EMD2009-38 CPM2009-62 OPE2009-86 LQE2009-45
pp.63-68
OPE, LQE
(共催)
2008-06-27
09:45
東京 機械振興会館 量子ドットアレイ導波路の作製とデバイス応用
斉藤泰仁赤石昌隆大川達也下村和彦上智大OPE2008-18 LQE2008-19
我々は次世代デバイスへ広く応用が期待されている量子ドットについて研究を行っている.量子ドットは構造的に電子を三次元的に閉... [more] OPE2008-18 LQE2008-19
pp.1-6
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-15
16:15
愛知 名古屋工業大学 有機金属気相成長法によるInGaPN/GaPN DH LEDの作製と評価
松野文弥畠中 奨中西快之岡田 浩古川雄三若原昭浩豊橋技科大
GaP0.98N0.02はSiに格子整合可能であり,光電子融合集積回路(OEIC: optoelectronic int... [more]
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