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 185件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM, CPM
(共催)
2024-05-24
14:45
北海道 北海道大学クラーク会館(札幌キャンパス)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
自己発電型デバイスに向けたフレキシブル熱電発電モジュールの開発
池田浩也フドゥザイファ アル ヒジュリ小野田 樹本名智朗井上 翼早川泰弘静岡大)・池田和司奈良先端大)・濱﨑 拡静岡大ED2024-7 CPM2024-7 SDM2024-14
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more] ED2024-7 CPM2024-7 SDM2024-14
pp.21-24
SDM 2024-02-21
13:30
東京 東京大学 本郷 工4号館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]材料・デバイス局所領域の電磁場直接観察
柴田直哉東大SDM2023-84
我々のグループでは原子分解能STEMの更なる可能性を開拓することを目的として,微分位相コントラスト法(Different... [more] SDM2023-84
pp.16-19
EMD 2023-12-22
13:00
栃木 帝京大学(宇都宮) 平板状多数ターンコイルによる金属薄板の無衝突電磁圧接実験
相沢友勝都立工業高専EMD2023-32
Al/CuまたはAl/Al薄板を無衝突で電磁圧接した実験結果は,H字形の平板状 1 ターンコイルを用いてすでに報告されて... [more] EMD2023-32
pp.1-6
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
14:55
静岡 アクトシティ浜松 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価
吉村遥翔今林弘毅福井大)・堀切文正成田好伸藤倉序章住友化学)・太田 博三島友義法政大)・塩島謙次福井大ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58
界面顕微光応答法( Scanning Internal Photoemission Microscopy : SIPM ... [more] ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58
pp.21-24
SDM 2023-10-13
16:40
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス
近藤 剣上野勝典田中 亮高島信也江戸雅晴富士電機)・諏訪智之東北大SDM2023-60
本稿ではGaN MOSFETのMOS界面酸化が電気的特性に及ぼす影響とともに, 低酸化なGaN/SiO2 MOS界面形成... [more] SDM2023-60
pp.40-45
SID-JC
(共催)
ITE-IDY, EID
(連催) [詳細]
2023-08-04
14:20
ONLINE オンライン開催 (Zoom) [招待講演]超低電圧で発光する有機EL素子の開発
伊澤誠一郎東工大
有機ELの駆動電圧を低減することは省エネルギー化のために必須の課題である。本研究では、界面近傍での三重項消滅による励起状... [more]
CPM 2023-08-01
10:40
北海道 北見工業大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
金属/GaNショットキー電極評価の変遷
塩島謙次福井大CPM2023-21
本講演では著者が黎明期から携わってきた金属/GaNショットキー接触に関する実験結果を紹介し、結晶品質、プロセス技術、およ... [more] CPM2023-21
pp.36-39
WPT, EMCJ, EMD
(併催)
2023-07-21
14:10
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
密着したAl/Cu薄板の電磁圧接が無衝突でできる理由
相沢友勝都立工業高専EMD2023-10
密着したAl/Cu薄板を無衝突で電磁圧接した実験結果はすでに報告されている.ここでは,無衝突で圧接できる理由を詳しく説明... [more] EMD2023-10
pp.1-6
SDM 2023-06-26
11:30
広島 広島大学 ナノデバイス研究所 自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価
奥平 諒関西学院大)・川那子高暢東工大)・細井卓治関西学院大SDM2023-29
オクタデシルホスホン酸(ODPA: octadecylphosphonic acid)の自己組織化単分子膜(SAM: s... [more] SDM2023-29
pp.7-10
MW, ED
(共催)
2023-01-27
13:15
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
GaAs基板上に形成したNi-Pめっき膜の応力解析
西澤弘一郎三菱電機)・松本 歩福室直樹兵庫県立大)・中川康幸佐久間 仁後藤清毅三菱電機)・八重真治兵庫県立大ED2022-92 MW2022-151
GaAs 半導体デバイスの裏面電極には電解 Au めっき膜などが用いられ,そのシード層として,GaAs基板との密着性が高... [more] ED2022-92 MW2022-151
pp.33-35
SDM 2022-06-21
13:00
愛知 名古屋大学 VBL3F [招待講演]酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性
柴山茂久土井拓馬坂下満男田岡紀之名大)・清水三聡産総研)・中塚 理名大SDM2022-24
4H-SiCパワーMOSFETのオン状態における可動自由電子比率向上およびクーロン散乱抑制において,界面準位密度(Dit... [more] SDM2022-24
pp.1-4
OME 2022-02-18
14:30
大分 J:COMホルトホール大分
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
表面科学の手法を用いたバイオマテリアル近傍の水の解析
林 智広東工大OME2021-59
水中で役割を果たすバイオマテリアルの機能発現のメカニズムを探るにはバイオマテリアル近傍の分子の振る舞いの理解が必要不可欠... [more] OME2021-59
pp.7-10
US 2021-11-26
13:25
ONLINE オンライン開催 微細粒子に対する超音波ピッティング効果への周波数及び界面活性溶質添加の影響
杉野史弥山本 健関西大US2021-41
液体への超音波照射によって生じるキャビテーション気泡は微細試料(細菌、藻類、マイクロカプセル等)に物理的作用を及ぼす。そ... [more] US2021-41
pp.7-12
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
13:00
ONLINE オンライン開催 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価
塩島謙次福井大)・田中 亮高島信也上野勝典江戸雅晴富士電機ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて,n-GaNに電極を蒸着する前の表面処理に着目して、面内均一性、熱的安定性を評価した... [more] ED2021-28 CPM2021-62 LQE2021-40
pp.63-66
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
13:25
ONLINE オンライン開催 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga₂O₃ショットキー接触の面内均一性評価
川角優斗福井大)・堀切文正福原 昇サイオクス)・三島友義法政大)・四戸 孝FLOSFIA)・塩島謙次福井大ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて,Ni/SiC,Ni/GaN,Cu/Ti/α-Ga2O3ショットキー接触の電極面内に... [more] ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41
pp.67-70
SDM 2021-11-12
09:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化
小林拓真京大/東工大)・奥田貴史立木馨大伊藤滉二京大)・松下雄一郎東工大)・木本恒暢京大SDM2021-60
SiC MOSFETは電力変換用のパワーデバイスとして有望である。しかしSiC/SiO$_2$界面の高密度欠陥に起因した... [more] SDM2021-60
pp.38-42
SDM 2021-10-21
13:25
ONLINE オンライン開催 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討
田沼将一Joong-Won Shin大見俊一郎東工大SDM2021-47
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] SDM2021-47
pp.12-15
SDM 2021-06-22
13:50
ONLINE オンライン開催 [記念講演]Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ~ MOS(MFS)界面で起こる現象 ~
トープラサートポン カシディット李 宗恩林 早阳田原建人渡辺耕坪竹中 充高木信一東大SDM2021-23
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] SDM2021-23
pp.7-12
US 2021-01-29
16:25
ONLINE オンライン開催 超音波キャビテーション気泡の成長過程に対する有機化合物の影響
乾 綾華芝 航汰山本 健関西大US2020-63
水中への超音波照射によって観測されるソノルミネッセンス(SL)は,キャビテーション気泡の物理的および化学的作用の情報を得... [more] US2020-63
pp.32-37
MW, ED
(共催)
2021-01-29
13:00
ONLINE オンライン開催 HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価
越智亮太北大)・前田瑛里香芝浦工大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀物質・材料研究機構)・塩﨑宏司名大)・橋詰 保北大/名大ED2020-31 MW2020-84
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] ED2020-31 MW2020-84
pp.22-25
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