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光ファイバ応用技術研究会 (OFT)
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スマート無線研究会 (SR)
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ユビキタス・センサネットワーク研究会 (USN)
無線電力伝送研究会 (WPT)
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機構デバイス研究会 (EMD)
電磁界理論研究会 (EMT)
エレクトロニクスシミュレーション研究会 (EST)
集積回路研究会 (ICD)
レーザ・量子エレクトロニクス研究会 (LQE)
磁気記録・情報ストレージ研究会 (MRIS)
マイクロ波研究会 (MW)
マイクロ波・ミリ波フォトニクス研究会 (MWP)
マイクロ波テラヘルツ光電子技術研究会 (MWPTHz)
有機エレクトロニクス研究会 (OME)
光エレクトロニクス研究会 (OPE)
超伝導エレクトロニクス研究会 (SCE)
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
人工知能と知識処理研究会 (AI)
クラウドネットワークロボット研究会 (CNR)
コンピュテーション研究会 (COMP)
合意と共創研究会 (Consen)
コンピュータシステム研究会 (CPSY)
ディペンダブルコンピューティング研究会 (DC)
データ工学研究会 (DE)
マルチメディア情報ハイディング・エンリッチメント研究会 (EMM)
教育工学研究会 (ET)
情報論的学習理論と機械学習研究会 (IBISML)
情報通信システムセキュリティ研究会 (ICSS)
画像工学研究会 (IE)
知能ソフトウェア工学研究会 (KBSE)
ライフインテリジェンスとオフィス情報システム研究会 (LOIS)
MEとバイオサイバネティックス研究会 (MBE)
医用画像研究会 (MI)
ニューロコンピューティング研究会 (NC)
言語理解とコミュニケーション研究会 (NLC)
パターン認識・メディア理解研究会 (PRMU)
リコンフィギャラブルシステム研究会 (RECONF)
サービスコンピューティング研究会 (SC)
音声研究会 (SP)
ソフトウェアサイエンス研究会 (SS)
ソフトウェアインタプライズモデリング研究会 (SWIM)
ヒューマンコミュニケーション基礎研究会 (HCS)
ヒューマン情報処理研究会 (HIP)
メディアエクスペリエンス・バーチャル環境基礎研究会 (MVE)
福祉情報工学研究会 (WIT)
センサネットワーク研究会 (SN)
次世代無線設備試験認証技術研究会 (ACT)
バイオメトリックシステムセキュリティ研究会 (BS)
通信行動工学研究会 (CBE)
ネットワーク仮想化研究会 (NV)
新世代ネットワーク研究会 (NwGN)
ネットワークソフトウェア研究会 (NWS)
光応用電磁界計測研究会 (PEM)
水中無線技術研究会 (UWT)
光集積及びシリコンフォトニクス研究会 (PICS)
量子情報技術研究会 (QIT)
シリコンフォトニクス研究会 (SIPH)
テラヘルツ応用システム研究会 (THz)
合意と共創研究会 (Consensus)
サイバーワールド時限研究会 (CW)
フェロー&マスターズ未来技術研究会 (FM)
ネットワークロボット研究会 (NR)
サステナブルコンピューティング研究会 (SUSC)
食メディア研究会 (CEA)
人間とICT倫理研究会 (EHI)
HCGシンポジウム (HCGSYMPO)
ヒューマンプローブ研究会 (HPB)
革新的無線通信技術に関する横断型研究会 (MIKA)
超知性ネットワーキングに関する分野横断型研究会 (RISING)
バイオ・マイクロシステム研究会 (IEE-BMS)
通信研究会 (IEE-CMN)
誘電・絶縁材料研究会 (IEE-DEI)
電子デバイス技術委員会 (IEE-EDD)
電子材料研究会 (IEE-EFM)
電磁環境技術委員会 (IEE-EMC)
電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
家電・民生技術委員会 (IEE-HCA)
産業電力電気応用研究会(解散) (IEE-IEA)
次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
ITS研究会 (IEE-ITS)
マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
スマートファシリティ研究会 (IEE-SMF)
半導体電力変換研究会 (IEE-SPC)
固体光源分科会 (IEIJ-SSL)
立体映像技術研究会 (ITE-3DMT)
映像表現&コンピュータグラフィックス研究会 (ITE-AIT)
放送技術研究会 (ITE-BCT)
コンシューマエレクトロニクス研究会 (ITE-CE)
ヒューマンインフォメーション研究会 (ITE-HI)
情報ディスプレイ研究会 (ITE-IDY)
情報センシング研究会 (ITE-IST)
メディア工学研究会 (ITE-ME)
マルチメディアストレージ研究会 (ITE-MMS)
スポーツ情報処理研究会 (ITE-SIP)
アクセシビリティ研究会 (IPSJ-AAC)
アルゴリズム研究会 (IPSJ-AL)
システム・アーキテクチャ研究会 (IPSJ-ARC)
オーディオビジュアル複合情報処理研究会 (IPSJ-AVM)
バイオ情報学研究会 (IPSJ-BIO)
コンピュータと教育研究会 (IPSJ-CE)
コンピュータグラフィックスとビジュアル情報学研究会 (IPSJ-CGVI)
教育学習支援情報システム研究会 (IPSJ-CLE)
コラボレーションとネットワークサービス研究会 (IPSJ-CN)
コンピュータセキュリティ研究会 (IPSJ-CSEC)
コンピュータビジョンとイメージメディア研究会 (IPSJ-CVIM)
データベースシステム研究会 (IPSJ-DBS)
ドキュメントコミュニケーション研究会 (IPSJ-DC)
デジタルコンテンツクリエーション研究会 (IPSJ-DCC)
マルチメディア通信と分散処理研究会 (IPSJ-DPS)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
SDM
2023-10-13
16:40
宮城
東北大学未来情報産業研究館5F
界面酸化を抑制したGaN MOS界面形成プロセス
○
近藤 剣
・
上野勝典
・
田中 亮
・
高島信也
・
江戸雅晴
(
富士電機
)・
諏訪智之
(
東北大
)
SDM2023-60
本稿ではGaN MOSFETのMOS界面酸化が電気的特性に及ぼす影響とともに, 低酸化なGaN/SiO2 MOS界面形成...
[more]
SDM2023-60
pp.40-45
SDM
2023-06-26
10:10
広島
広島大学 ナノデバイス研究所
[記念講演]表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく 極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計
○
隅田 圭
・
姜 旼秀
・
陳 家驄
・
トープラサートポン カシディット
・
竹中 充
・
高木信一
(
東大
)
SDM2023-27
FinFETの次世代チャネルとしてCMOSに採用され始めているナノシートチャネルは, チャネルの極薄膜化により短チャネル...
[more]
SDM2023-27
pp.1-4
SDM
2023-06-26
10:50
広島
広島大学 ナノデバイス研究所
[記念講演]極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響
○
岡 博史
・
稲葉 工
・
飯塚将太
・
浅井栄大
・
加藤公彦
・
森 貴洋
(
産総研
)
SDM2023-28
高集積量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させるクライオCMOS技術が期...
[more]
SDM2023-28
pp.5-6
ED
,
MWPTHz
(共催)
2022-12-19
16:05
宮城
東北大学・電気通信研究所
[招待講演]テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G超高速大容量通信実現のためのInP-HEMT-IC製造技術
○
堤 卓也
・
濱田裕史
・
徐 照男
・
杉山弘樹
・
佐々木太郎
・
高橋宏行
・
中島史人
(
NTT
)
ED2022-76 MWPTHz2022-47
無線トラヒックの需要急増に対応するためB5G もしくは6G と呼ばれるシステムの検討が始まっており,その周波数帯の一候補...
[more]
ED2022-76
MWPTHz2022-47
pp.23-27
OME
2022-11-11
13:00
大阪
近畿大学東大阪キャンパス ブロッサムカフェ ルームA
[招待講演]有機半導体の電荷・励起子移動の計算化学研究
○
鬼頭宏任
(
近畿大
)
OME2022-25
有機半導体における電荷・励起子移動の微視的メカニズムを、量子化学計算、古典分子動力学(MD)シミュレーション、半古典シミ...
[more]
OME2022-25
pp.1-6
SDM
2022-11-10
11:00
ONLINE
オンライン開催
[招待講演]表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFETチャネル材料と面方位の最適設計
○
隅田 圭
・
姜 旼秀
・
陳 家驄
・
トープラサートポン カシディット
・
竹中 充
・
高木信一
(
東大
)
SDM2022-65
将来のCMOSチャネルには極薄膜(ETB)のナノシート構造が最も有望視されている. また別の応用として, 量子コンピュー...
[more]
SDM2022-65
pp.7-12
SDM
2022-11-11
13:00
ONLINE
オンライン開催
[招待講演]クライオCMOSにおける電子移動度制限要因の理解
○
岡 博史
・
稲葉 工
・
飯塚将太
・
浅井栄大
・
加藤公彦
・
森 貴洋
(
産総研
)
SDM2022-74
高集積量子コンピュータを実現するため、量子ビットの制御機能を集積回路化し極低温環境下で動作させる技術が期待されている。量...
[more]
SDM2022-74
p.49
SDM
2022-11-11
14:00
ONLINE
オンライン開催
[招待講演]酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETにおける反転層移動度の評価とモデル化
○
野口宗隆
・
渡邊 寛
(
三菱電機
)・
喜多浩之
(
東大
)・
西川和康
(
三菱電機
)
SDM2022-75
本研究では、酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETの反転層移動度を広範囲のアクセプタ濃度で評価し...
[more]
SDM2022-75
pp.50-54
ICD
,
SDM
(共催)
ITE-IST
(連催)
[詳細]
2022-08-09
11:05
ONLINE
オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止
[招待講演]極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響
○
岡 博史
・
稲葉 工
・
飯塚将太
・
浅井栄大
・
加藤公彦
・
森 貴洋
(
産総研
)
SDM2022-46 ICD2022-14
大規模な量子コンピュータの実現に向けて、量子ビットの制御機能を集積回路化するクライオCMOS技術が期待されている。極低温...
[more]
SDM2022-46
ICD2022-14
pp.54-59
OME
,
SDM
(共催)
2022-04-23
11:50
宮崎
高千穂ホール(宮崎市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]固相結晶化In2O3:Hによる薄膜トランジスタの高移動度化(>100 cm2V-1s-1)
○
曲 勇作
(
島根大
)・
片岡大樹
(
高知工科大
)・
葉 文昌
(
島根大
)・
古田 守
(
高知工科大
)
SDM2022-13 OME2022-13
本研究では低温で固相結晶化した水素化多結晶酸化インジウム(In2O3:H)薄膜の金属から半導体への転移に成功し、酸化物半...
[more]
SDM2022-13
OME2022-13
pp.61-64
SDM
2022-01-31
15:00
ONLINE
オンライン開催
[招待講演]表面ラフネス散乱の新モデルに基づく極薄膜nMOSFETの最適なチャネル材料と面方位の設計
○
隅田 圭
・
陳 家驄
・
トープラサートポン カシディット
・
竹中 充
・
高木信一
(
東大
)
SDM2021-71
極薄膜(ETB)ナノシートチャネルは, 優れたスケーラビリティを理由に将来のテクノロジーノードにおけるチャネル構造として...
[more]
SDM2021-71
pp.12-15
ED
,
CPM
,
LQE
(共催)
2021-11-26
15:20
ONLINE
オンライン開催
AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価
○
森 隆一
・
上杉謙次郎
・
窪谷茂幸
・
正直花奈子
・
三宅秀人
(
三重大
)
ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45
スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に,MOVPE法を用いてチャネル膜厚1...
[more]
ED2021-33
CPM2021-67
LQE2021-45
pp.83-86
ED
,
CPM
,
LQE
(共催)
2021-11-26
16:00
ONLINE
オンライン開催
低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製
○
渡久地政周
・
三輪和希
(
北大
)・
堀切文正
・
福原 昇
・
成田好伸
・
市川 磨
・
磯野僚多
・
田中丈士
(
サイオクス
)・
佐藤威友
(
北大
)
ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46
コンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチングを用いて、リセスゲート型AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(H...
[more]
ED2021-34
CPM2021-68
LQE2021-46
pp.87-90
SDM
2021-11-12
11:30
ONLINE
オンライン開催
[招待講演]セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング
○
福田浩一
・
服部淳一
・
浅井栄大
(
産総研
)・
矢板潤也
・
小谷淳二
(
富士通
)
SDM2021-62
GaN HEMTの移動度の温度依存モデリングにセルオートマトン法を適用した。分布関数をテーブルで持ち微小時間ステップごと...
[more]
SDM2021-62
pp.47-52
LQE
,
CPM
,
ED
(共催)
2020-11-26
15:00
ONLINE
オンライン開催
高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長
○
白土達也
・
上杉謙次郎
・
窪谷茂幸
・
正直花奈子
・
三宅秀人
(
三重大
)
ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
本研究では,低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10–80...
[more]
ED2020-11
CPM2020-32
LQE2020-62
pp.41-44
LQE
,
CPM
,
ED
(共催)
2020-11-26
15:30
ONLINE
オンライン開催
酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究
○
神谷俊佑
・
西谷高至
・
松田 悠
・
高野 望
・
ジョエル タクラ アスバル
・
徳田博邦
(
福井大
)・
葛原正明
(
関西学院大
)
ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63
窒化ガリウム(GaN)は高い破壊電界強度を持っており、シリコン(Si)に代わるパワーデバイスの材料となることが期待されて...
[more]
ED2020-12
CPM2020-33
LQE2020-63
pp.45-48
LQE
,
CPM
,
ED
(共催)
2020-11-26
15:50
ONLINE
オンライン開催
Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
○
ロー ルイ シャン
・
永瀬 樹
・
バラトフ アリ
・
アスバル ジョエル タクラ
・
徳田博邦
(
福井大
)・
葛原正明
(
関西学院大
)・
谷田部然治
・
内藤健太
・
本山智洋
・
中村有水
(
熊本大
)
ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
近年、ミスト化学気相成長(mist-CVD)法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成...
[more]
ED2020-13
CPM2020-34
LQE2020-64
pp.49-52
MWP
2020-05-28
13:30
ONLINE
オンライン開催
[招待講演]Beyond 5G応用を見据えたサブミリ波帯InP-HEMT-IC技術
○
堤 卓也
・
杉山弘樹
・
濱田裕史
・
野坂秀之
・
松崎英昭
(
NTT
)
MWP2020-1
あらまし第5 世代無線アクセスネットワークシステム(5G)の次世代となるBeyond 5G 実現に向けた議論が早くも進展...
[more]
MWP2020-1
pp.1-6
ED
,
MW
(共催)
2020-01-31
16:00
東京
機械振興会館 地下3階6号室
注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造
○
南雲謙志
・
木本大幾
・
諏訪智之
(
東北大
)・
寺本章伸
(
広島大
)・
白田理一郎
・
高谷信一郎
(
国立交通大
)・
黒田理人
・
須川成利
(
東北大
)
ED2019-104 MW2019-138
ノーマリオフを達成する構造として従来のFloating Gate型に新たに電荷注入用の注入ゲートを設けた構造のGaN高電...
[more]
ED2019-104
MW2019-138
pp.55-58
ED
,
THz
(共催)
[詳細]
2019-12-23
16:20
宮城
東北大学・電気通信研究所
テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス
○
堤 卓也
・
濱田裕史
・
杉山弘樹
・
野坂秀之
・
松崎秀昭
(
NTT
)
ED2019-82
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ...
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ED2019-82
pp.23-28
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