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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2023-12-07
15:15
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) カーボンナノチューブのエミッション電流パターンの計算 ~ 時間依存密度汎関数法と密度汎関数法の比較 ~
樋口敏春山田洋一佐々木正洋筑波大ED2023-42
カーボンナノチューブのエミッション電流パターンを計算する方法の検討を行っている. 時間依存密度汎関数法と密度汎関数法の2... [more] ED2023-42
pp.15-18
ED 2022-12-09
15:00
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) 時間依存密度汎関数法によるカーボンナノチューブのエミッション放出メカニズムの検討
樋口敏春山田洋一佐々木正洋筑波大ED2022-67
カーボンナノチューブ (CNT) のエミッションメカニズムを調べるため,9種類のCNTのエミッション電流を,時間依存密度... [more] ED2022-67
pp.55-58
SDM 2021-11-12
10:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]4H-SiCの高エネルギー輸送における一軸性応力の影響に関するフルバンドモンテカルロ解析
西村智也永久克己園田賢一郎緒方 完ルネサス エレクトロニクスSDM2021-61
SiCは、パワーデバイス向けの次世代半導体材料として期待されており、一部はすでに実用化されている。しかし、その応力応答は... [more] SDM2021-61
pp.43-46
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2021-10-08
14:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]スピン軌道相互作用が絡む磁性多層薄膜の第一原理計算と物質設計
中村浩次名和憲嗣三重大MRIS2021-8
スピン軌道相互作用が絡む磁気・伝導・光物性において、その物理的起源の複雑さのため、所望する物性を引き出す物質設計指針を得... [more] MRIS2021-8
pp.11-12
SDM 2020-11-19
14:10
ONLINE オンライン開催 [招待講演]第一原理計算とマテリアルズ・インフォマティクスに基づくペロブスカイト型酸化物の誘電率予測モデル
野田祐輔金沢学院大SDM2020-25
本研究の目的は、マテリアルズデザインの合理的な設計指針を得るために、第一原理計算および多変量回帰分析を用いて、ペロブスカ... [more] SDM2020-25
pp.15-20
ED 2019-11-21
13:25
東京 機械振興会館 時間依存密度汎関数法によるカーボンナノチューブのエミッション電流の計算
樋口敏春山田洋一佐々木正洋筑波大ED2019-60
高輝度電子源材料としてカーボンナノチューブ(CNT)が注目されている. 時間依存密度汎関数法を用いて, ① (5,5)ア... [more] ED2019-60
pp.5-8
ED 2018-10-24
16:25
東京 機械振興会館 地下3階1号室 時間依存密度汎関数によるカーボンナノチューブのエミッションパターンの計算
樋口敏春山田洋一佐々木正洋筑波大ED2018-31
時間依存密度汎関数法を用い,カーボンナノチューブ(CNT)のフィールドエミッションパターンを計算した.アームチェア型,ジ... [more] ED2018-31
pp.21-24
OME 2017-12-28
14:30
東京 機械振興会館 第一原理計算に基づく白金-カーボン担体間相互作用の検討
中條雄太東京理科大)・溝口照康東大)・菅野康仁吉武 優田中優実東京理科大OME2017-52
固体高分子形燃料電池のカソード触媒として広く用いられているカーボン担持白金触媒において、触媒活性に影響を与えると考えられ... [more] OME2017-52
pp.15-18
SDM 2017-11-09
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション
白石賢二関口一樹長川健大白川裕規川上賢人山本芳裕洗平昌晃岡本直也芳松克則名大)・寒川義裕柿本浩一九大SDM2017-61
これまでのGaNのMOVPE成長シミュレーションではトリメチルガリウム(TMG)とアンモニアがまず反応してアダクトが形成... [more] SDM2017-61
pp.1-4
ED 2017-10-27
09:30
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算(第3報)
樋口敏春佐々木正洋山田洋一筑波大ED2017-44
カーボンナノチューブのエミッション電流を時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて計算する方法の検討を行っている. フ... [more] ED2017-44
pp.35-38
CPM 2017-07-21
14:57
北海道 北見工業大学第一総合研究棟2F多目的講義室 第一原理計算を用いたCa3Co4O9の電子状態に及ぼす元素置換の影響
小林大悟豊橋技科大)・谷林 慧一関高専)・中村雄一内田裕久井上光輝豊橋技科大CPM2017-25
層状コバルト酸化物Ca3Co4O9(Co349)は、中高温域の熱電変換材料としての応用が期待されるが、実用化に向けて変換... [more] CPM2017-25
pp.21-26
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
13:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 第一原理計算による多結晶酸化物薄膜の抵抗変化メカニズムの検討
森山拓洋肥田聡太鳥取大)・山崎隆浩大野隆央物質・材料研究機構)・岸田 悟木下健太郎鳥取大EID2016-18 SDM2016-99
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 金属酸化物(MO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である. 薄膜... [more] EID2016-18 SDM2016-99
pp.41-44
SDM 2016-11-11
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]高品位Si,Ge基板の開発に資する第一原理計算 ~ 大口径結晶成長中の点欠陥制御から基板熱処理中の不純物ゲッタリングまで ~
末岡浩治岡山県立大SDM2016-87
最近10年間において,半導体シリコン(Si)結晶中の真性点欠陥,すなわち原子空孔(V)と自己格子間原子(I)の物性や挙動... [more] SDM2016-87
pp.49-54
ED 2016-10-25
15:45
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) 時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算(第2報)
樋口敏春佐々木正洋山田洋一筑波大ED2016-48
カーボンナノチューブのエミッション電流を時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて計算する方法の検討を行っている. 第... [more] ED2016-48
pp.21-26
ED 2015-10-23
09:25
愛知 名城大学名駅サテライト(MSAT) 時間依存密度汎関数法によるカーボン系エミッタのフィールドエミッション電流の計算 (第1報)
樋口敏春佐々木正洋山田洋一筑波大ED2015-62
カーボンナノチューブのエミッション電流を時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて計算する方法の検討を行った. Oct... [more] ED2015-62
pp.41-46
SDM 2015-06-19
13:00
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算
川内伸悟白川裕規洗平昌晃名大)・影島愽之島根大)・遠藤哲郎東北大)・白石賢二名大SDM2015-45
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] SDM2015-45
pp.37-40
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2015-06-04
14:40
宮城 東北大学 遷移金属合金の磁気異方性に与えるスピン揺らぎの影響
小林尚史兵頭一茂佐久間昭正東北大MR2015-3
高密度磁気デバイスにおいて,材料の熱的安定性は重要な要素であり,その理解が欠かせない.
本研究では,FePtやCoP... [more]
MR2015-3
pp.13-16
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
17:45
京都 京都大学 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ~ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ~
森山拓洋鳥取大)・山崎隆浩大野隆央物質・材料研究機構)・岸田 悟木下健太郎鳥取大EID2014-39 SDM2014-134
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] EID2014-39 SDM2014-134
pp.135-138
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
16:25
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 [(CaFeO3)m/(LaFeO3)n]超格子の電子/スピン状態に関する第一原理計算結果およびパルスレーザー堆積法で作製した超格子で得た実験結果との比較
及川貴大渡部雄太稲葉隆哲大島佳祐宋 華平永田知子山本 寛・○岩田展幸日大ED2014-83 CPM2014-140 LQE2014-111
本研究の最終目標は、室温で巨大電気磁気効果を示す物質の作製である。今回、我々はCaFeO3及びLaFeO3単相薄膜の結晶... [more] ED2014-83 CPM2014-140 LQE2014-111
pp.49-53
SDM 2014-11-06
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展
影島博之島根大SDM2014-101
計算物理においては、物質の性質をフィッティングパラメータ無しで精密に計算可能な第一原理計算法がパワフルで魅力的である。高... [more] SDM2014-101
pp.31-36
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