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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME 2023-12-26
14:50
沖縄 沖縄県青年会館 光表面化学修飾による表面機能制御および異種材料接合への展開
中村挙子産総研
ポリマー材料表面への表面改質は基材バルク特性を維持しつつ、高付加価値付与を可能とすることことから多方面で期待される技術と... [more]
ED 2022-12-09
09:50
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) 深紫外光フィールドエミッションランプに向けた蛍光体の開発
橋本 凱根尾陽一郎静岡大)・松本貴裕名古屋市大ED2022-59
近年コロナウイルス抑制へのUV-C光(波長100-280 nm)照射の有効性が示され,注目が集まっている.しかしながら,... [more] ED2022-59
pp.31-34
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
10:05
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
CBD法ZnOナノロッドのUV光検出器応用とCBD溶液濃度の素子特性への影響
藤川大治・○寺迫智昭愛媛大)・矢木正和香川高専)・山本哲也高知工科大ED2022-24 CPM2022-49 LQE2022-57
硝酸亜鉛六水和物(ZnNit)とヘキサメチレンテトラミン(HMT)の濃度比([HMT]/[ZnNit])が異なる混合水溶... [more] ED2022-24 CPM2022-49 LQE2022-57
pp.1-4
OME, SDM
(共催)
2022-04-23
10:45
宮崎 高千穂ホール(宮崎市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
高感度紫外光電子分光法を用いた無機・有機半導体のギャップ内準位の直接観測と評価
中澤遼太郎渡邊研太田中有弥石井久夫千葉大SDM2022-11 OME2022-11
無機・有機半導体を用いたデバイスは,しばしば禁制帯に微弱に存在するギャップ内準位から大きな 影響を受けるため,ギャップ内... [more] SDM2022-11 OME2022-11
pp.51-56
SDM 2020-02-07
14:20
東京 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室(419号室) [招待講演]真空紫外光を用いた印刷・めっきによる配線技術
三成剛生李 万里孫 晴晴李 玲頴物質・材料研究機構)・リュウ シューイン鄭州大)・金原正幸C-INKSDM2019-94
高精細なプリンテッドエレクトロニクス技術と、選択的無電解めっき技術を紹介します。 [more] SDM2019-94
pp.27-30
LQE, LSJ
(共催)
2018-05-24
13:35
福井 芦原温泉清風荘 コンパクトな高平均出力パルスレーザーの開発
東口武史山内 駿篠崎夏美小倉拓人庄司美咲川崎太夢宇都宮大)・坂上和之早大)・三浦泰祐HiLASE CentreLQE2018-10
本研究ではバイオ関係の研究に展開するためのコンパクトな高平均出力レーザーの開発状況について述べる.ここでは,近赤外領域で... [more] LQE2018-10
pp.1-4
PRMU, MVE
(共催)
IPSJ-CVIM
(連催) [詳細]
2017-01-20
16:25
京都 京都大学 吉田キャンパス 百周年時計台記念館 FunCushion:プッシュ入力と発光出力機能を有するクッション型インタフェース
池田昂平東大)・小泉直也電通大)・苗村 健東大PRMU2016-151 MVE2016-42
日常の生活空間にはクッションやソファ等の柔軟物が存在する.これらの柔軟物の布地上での発光出力を実現する事ができれば,従来... [more] PRMU2016-151 MVE2016-42
pp.347-352
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
11:00
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 多層サブ波長回折格子を用いた窒化物系直線偏光LED
高島祐介清水 亮原口雅宣直井美貴徳島大ED2014-87 CPM2014-144 LQE2014-115
紫外偏光制御デバイスは半導体リソグラフィーや医療等の多くの工業分野で利用される重要なデバイスである。近年、III族窒化物... [more] ED2014-87 CPM2014-144 LQE2014-115
pp.69-72
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
14:05
大阪 大阪市立大学 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用
落合俊介高木麻有奈三重大)・福世文嗣三重大/浜松ホトニクス)・三宅秀人平松和政三重大)・小林祐二吉田治正浜松ホトニクスED2012-85 CPM2012-142 LQE2012-113
AlxGa1-xNはAlNモル分率x を変化させることで,210から365 nmまでの広い紫外発光波長域をカバーできるこ... [more] ED2012-85 CPM2012-142 LQE2012-113
pp.93-96
OPE, R, CPM
(共催)
2011-04-22
15:50
東京 機械振興会館 超高Δ石英系導波路に於ける紫外光誘起屈折率変化
阿部 淳伊東雅之小湊俊海那須悠介井藤幹隆NTTR2011-7 CPM2011-7 OPE2011-7
超高Δ石英系光回路を構成する導波路として有望とされるTa2O5添加石英系導波路,並びにSiON導波路に関して,ArFエキ... [more] R2011-7 CPM2011-7 OPE2011-7
pp.27-31
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
15:20
大阪 阪大 中ノ島センター 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光
大音隆男Ryan G. Banal京大)・片岡 研ウシオ電機)・船戸 充川上養一京大ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106
AlGaNを用いた深紫外発光ダイオードの外部量子効率は5%以下と非常に低いのが現状である.その物理的原因として,p型のホ... [more] ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106
pp.37-40
OME 2010-01-20
17:10
愛知 名城大学 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価
稲田 シュンコ アルバーノ天野 浩赤崎 勇名城大)・前田 晃森田明理名古屋市大OME2009-86
ピーク波長365nm,半値幅10nmの紫外(UV) LEDを用い,16個×16個(50?×50?)のLEDマトリックス光... [more] OME2009-86
pp.37-41
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
09:50
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性
島原佑樹武富浩幸三宅秀人平松和政三重大)・福世文嗣岡田知幸高岡秀嗣吉田治正浜松ホトニクスED2009-130 CPM2009-104 LQE2009-109
減圧MOVPE法によりAlN/sapphire基板を下地としたAlGaN膜の成長を,反射光を用いたその場観察によって成長... [more] ED2009-130 CPM2009-104 LQE2009-109
pp.9-12
OME 2008-11-07
14:40
長野 セイコーエプソン(株) 有機静電誘導トランジスタにおける電極界面制御と特性
渡邊康之千葉大)・家地洋之リコー)・浦 方華山内 博工藤一浩千葉大OME2008-62
縦型構造を有する有機静電誘導トランジスタ(有機SIT)は、チャネル長が膜厚に相当し、短チャネル化が容易であるため、低電圧... [more] OME2008-62
pp.23-28
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-11
17:35
福井 福井大学 絶縁膜/n-GaN構造の光応答とセンサ応用
水江千帆子松山哲也小谷淳二ミツェーク マルチン橋詰 保北大ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65
Metal-Insulator-Semiconductor(MIS)構造を用いた紫外光センサ構造を目的として、絶縁膜にA... [more] ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65
pp.43-46
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