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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, THz (共催) |
2021-12-21 10:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析 礒前雄人・岸本尚之・林 拓也・國澤宗真（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・町田龍人・原 紳介・笠松章史（NICT）・○遠藤 聡・藤代博記（東京理科大）  ED2021-57 |
我々は３種類のAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb-HEMTを作製した．これらのHEMTエピタキシ... [more] | ED2021-57 pp.44-47 |
| MW | 2021-12-16 14:15 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
0.1μm E-pHEMTによるGADを用いる30GHz帯倍電圧整流器MMIC ○角谷直哉・小松郁弥・廣瀬裕也・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大） MW2021-90 |
本報告では0.1μm E-pHEMTを用いる30GHz帯倍電圧整流器MMICの設計・試作結果を報告する. 整流用ダイオー... [more] | MW2021-90 pp.31-36 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 16:35 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | ［招待講演］ミリ波・サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術 ○渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT） ED2019-105 MW2019-139 |
窒化ガリウム（GaN）系高電子移動度トランジスタ（HEMT）等の化合物半導体電子デバイスは，周波数100 GHz以上で動... [more] | ED2019-105 MW2019-139 pp.59-64 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:45 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT ○大澤幸希・岩木拓也・遠藤勇輝・平岡瑞穂・岸本尚之・林 拓也（東京理科大）・渡邊一世（NICT/東京理科大）・山下良美・原 紳介・後藤高寛・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大） ED2019-83 |
我々は，世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し，これらのHEMTの特性を評価した．我々が以前に作製... [more] | ED2019-83 pp.29-32 |
| EE, IEE-HCA (連催) |
2019-05-16 09:30 |
東京 | 機械振興会館 地下三階 B3-1, B3-2 | LLCコンバータのディジタル制御 ～ 周波数分解能とAD変換分解能の検討 ～ ○竹本洋紀・佐藤輝被（大分大） EE2019-1 |
本研究では，MCUを用いてLLCコンバータのディジタル制御を行う際，MCUの周波数の分解能とAD変換の分解能がどの程度必... [more] | EE2019-1 pp.1-5 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 09:00 |
宮城 | 東北大・通研 | ［招待講演］InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）・三村高志（NICT） ED2018-62 |
我々は，電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系，Sb系及びGaN系HEMTを作製し，これらのHEMTの特性を... [more] | ED2018-62 pp.35-38 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | ［招待講演］アンチモン系トランジスタの開発 ○藤代博記・磯野恭佑・高橋択斗・原田義彬・岡 直希・竹内 淳・藤澤由衣（東京理科大）・藤川紗千恵（東京電機大）・町田龍人（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・遠藤 聡・原 紳介・笠松章史（NICT） ED2017-81 |
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により，InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] | ED2017-81 pp.33-36 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2017-82 |
In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMT及びIn0.7Ga0.3Asチャ... [more] | ED2017-82 pp.37-40 |
| ED | 2016-12-19 14:40 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響 ○遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT） ED2016-81 |
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] | ED2016-81 pp.7-12 |
| ED | 2016-01-20 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化 ○高橋 剛・川野陽一・牧山剛三・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀（富士通研） ED2015-118 |
300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEM... [more] | ED2015-118 pp.37-41 |
| ED | 2015-12-21 13:45 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・高橋 剛・芝 祥一・中舍安宏・岩井大介（富士通研）・三村高志（富士通研/NICT） ED2015-92 |
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を，温度30... [more] | ED2015-92 pp.7-11 |
| ED | 2014-12-22 15:00 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | 種々の形状の埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2014-102 |
InAlAs/InGaAs 系HEMT の高速化に際しては，ゲート長Lg の短縮に加えて，短チャネル効果抑制のためのゲー... [more] | ED2014-102 pp.21-26 |
| US | 2014-10-22 13:25 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | 外耳道内の非平面音波伝搬と超音波暴露への影響 ○朝倉祥太郎・野村英之・鎌倉友男（電通大） US2014-50 |
超音波の安全な利用に向けて音圧レベルの許容値を定めるにあたり，鼓膜上の音圧を知ることがひとつの課題となる．本研究では外耳... [more] | US2014-50 pp.7-12 |
| ED | 2013-12-16 13:55 |
宮城 | 東北大通研 | 埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2013-92 |
InP系HEMTをより高速化する手段の一つとして，ゲート電極フット先端をバリア層に埋め込んだ構造がある．本研究においては... [more] | ED2013-92 pp.13-17 |
| PN, EMT, LQE, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2013-01-24 13:25 |
大阪 | 大阪大学吹田キャンパス | 小型マイクロストリップ低域通過フィルタと高域通過フィルタを組み合わせた有極形帯域通過フィルタの設計 ○秋元亮祐・馬 哲旺・大平昌敬（埼玉大）・陳 春平・穴田哲夫（神奈川大） PN2012-41 OPE2012-150 LQE2012-142 EST2012-77 MWP2012-59 |
本研究では, 阻止域に減衰極を有する小型マイクロストリップ低域通過フィルタ(LPF)および高域通過フィルタ(HPF)を組... [more] | PN2012-41 OPE2012-150 LQE2012-142 EST2012-77 MWP2012-59 pp.65-72 |
| ED | 2012-12-17 13:00 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したモンテカルロ計算によるナノゲートInGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTのDC・RF特性 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世・笠松章史（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2012-93 |
InAlAs/InGaAs系HEMTをより高速化する手段の一つとして，InGaAsチャネル層内にInAs層を導入したIn... [more] | ED2012-93 pp.1-6 |
| MW | 2012-10-18 11:35 |
栃木 | 宇都宮大学 | マイクロストリップ伝送線路および結合線路を組み合わせた高域通過フィルタの設計 ○秋元亮祐・馬 哲旺・大平昌敬（埼玉大） MW2012-88 |
本稿では, マイクロストリップ伝送線路および結合線路を組み合わせた高域通過フィルタ(HPF)の周波数特性を調べ, その設... [more] | MW2012-88 pp.41-46 |
| ED | 2012-07-27 09:55 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | トンネルダイオードの非平衡量子輸送モデルの構築と遮断周波数の理論解析 ○山下 新・倉上祐司・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） ED2012-49 |
未開拓な周波数帯であるテラヘルツ帯(100GHz~30THz)を利用した大容量無線通信の実現に向けて、室温でテラヘルツ動... [more] | ED2012-49 pp.43-48 |
| EMD | 2012-03-02 16:00 |
東京 | 玉川大学 | 遮断周波数電圧可変型低域通過フィルタの開発研究 ○小林吾生・萱野良樹・井上 浩（秋田大） EMD2011-138 |
広帯域周波数可変発振器（広帯域電圧制御発振器）を利用して，新しい信号処理分野を拓くことが可能である．その動作のためにVC... [more] | EMD2011-138 pp.49-52 |
| ED | 2010-12-17 11:15 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 | ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ○遠藤 聡（NICT/富士通研）・渡邊一世（NICT）・三村高志（富士通研/NICT） ED2010-168 |
InP 基板上のInAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして，InGaAs チャネル層内に電子の... [more] | ED2010-168 pp.59-64 |
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