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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-06-21
15:50
愛知 名古屋大学 VBL3F [依頼講演]遷移金属カルコゲン化合物ヘテロ構造体の電子物性
丸山実那筑波大SDM2022-29
 [more] SDM2022-29
pp.20-22
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-24
10:05
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]YAG:Ce蛍光体における遷移金属添加の発光特性に及ぼす影響
有村充生川嶋智寛小南裕子原 和彦静岡大
白色LED用蛍光体として広く受けいれられているYAG:Ce蛍光体に遷移金属を共添加した試料を作製し、発光特性、残光特性に... [more]
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
13:45
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 Pt/Nb:STO接合におけるメモリ特性とショットキーパラメータの関係
塩見俊樹萩原祐仁岸田 悟木下健太郎鳥取大
 [more]
SDM 2016-06-29
15:25
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]カルコゲナイド系層状物質の電界効果トランジスタ素子への応用
上野啓司埼玉大SDM2016-43
グラファイトの単位層であるグラフェンが示す興味深い物性についての研究が活発に行われているが,その一方で,同様な積層構造を... [more] SDM2016-43
pp.59-64
SDM 2016-06-29
16:00
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]2次元原子層物質の構造制御合成とプラズマ機能化
加藤俊顕金子俊郎東北大SDM2016-44
遷移金属ダイカルコゲナイド (TMD) は半導体特性を示す原子層物質として大きな注目を集めている新規ナノ材料である. 応... [more] SDM2016-44
pp.65-68
SDM 2016-06-29
17:00
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の成長と評価
宮田耕充首都大東京SDM2016-47
近年、電子素子の微細化の限界の打破、高効率エネルギー変換、もしくは軽くて柔軟な電子機器の実現などの様々な目的を達成するた... [more] SDM2016-47
pp.79-84
CPM 2015-11-06
15:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 ラジカル窒化による遷移金属窒化物の有用性
武山真弓佐藤 勝北見工大)・青柳英二東北大)・野矢 厚北見工大CPM2015-89
我々は、遷移金属窒化物を用いて、スパッタとラジカル処理を組み合わせた新たな手法の有用性と問題点を反応性スパッタによって得... [more] CPM2015-89
pp.27-30
CPM 2015-11-07
09:40
新潟 まちなかキャンパス長岡 磁気光学3次元ディスプレイの書き込みエネルギーの低減および回折効率の向上
根本亜紀山崎和樹津田宗太郎工藤 慧中村和樹後藤太一高木宏幸林 攀梅井上光輝豊橋技科大CPM2015-95
ホログラムディスプレイは3次元像を裸眼で見ることができる次世代のディスプレイである.我々は垂直磁化膜に熱磁気記録方式で1... [more] CPM2015-95
pp.55-58
SDM 2015-06-19
16:50
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ
中払 周物質・材料研究機構)・飯島智彦小川真一八木克典原田直樹林 賢二郎近藤大雄高橋 慎産総研)・黎 松林山本真人林 彦甫物質・材料研究機構)・上野啓司埼玉大)・塚越一仁物質・材料研究機構)・佐藤信太郎横山直樹産総研SDM2015-55
原子1つまたは数個分の厚さしかないグラフェンやそれに類する原子薄膜の電気伝導体の新しいトランジスタ応用について我々の研究... [more] SDM2015-55
pp.93-98
SDM 2015-06-19
17:10
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価
森 貴洋産総研)・二之宮成樹横浜国大)・内田紀行久保利隆産総研)・渡辺英一郎津谷大樹森山悟士物質・材料研究機構)・田中正俊横浜国大)・安藤 淳産総研SDM2015-56
極薄ボディトランジスタとして注目を集めるMoS2 MOSFETを、high-k/metalゲートを適用し試作、評価した結... [more] SDM2015-56
pp.99-103
CPM 2014-10-25
11:40
長野 信州大学工学部 地域共同研究センター3階研修 キャンパスマップ17番 希土類-遷移金属薄膜による磁気光学3次元ディスプレイのピクセル形成エネルギーの低減
根本亜紀松上一樹中村和樹後藤太一高木宏幸林 攀梅井上光輝豊橋技科大CPM2014-119
ホログラムディスプレイは物体光の波面情報を再生できるため,裸眼で自然な立体像が得られる.我々は,熱磁気記録方式を用いて垂... [more] CPM2014-119
pp.65-68
ED 2013-10-22
16:30
北海道 北海道大学エンレイソウ 希土類酸化物及び遷移金属酸化物で修飾したW電界放射陰極の検討 ~ PEEMとFEMによる検討 ~
中根英章武田紘己室蘭工大)・川久保貴史香川高専ED2013-55
W電界放射陰極の先端に希土類酸化物や遷移金属酸化物を拡散してモノレイヤを形成すると先端のW(100)面の仕事関数が低減し... [more] ED2013-55
pp.19-22
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-03-08
15:50
愛知 名古屋大学 TbFe垂直磁化膜をメモリー層とした磁気トンネル接合の熱アシスト磁化反転
藤澤佑樹吉川大貴加藤剛志岩田 聡名大)・綱島 滋名古屋産業科学研MR2012-50
大きな垂直磁気異方性を有し, 低キュリー温度のTbFeをメモリー層とした[Co/Pd] / MgO / TbFe垂直磁気... [more] MR2012-50
pp.33-37
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-24
14:44
静岡 静岡大学 (Zn1-xMx)3V2O8蛍光体の作製とフォトルミネッセンス評価
李 廷廷本多善太郎福田武司羅 キョウ蓮鎌田憲彦埼玉大EID2012-17
出発原料としてZn (CH3COO)2•2H2O-NH4VO3を用いたゾル-ゲル法により,比較的低温作製が可... [more] EID2012-17
pp.33-36
CPM 2012-10-26
17:55
新潟 まちなかキャンパス長岡 Cu/metal/SiO2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) ~ Va遷移金属の拡散挙動 ~
武山真弓野矢 厚北見工大CPM2012-103
LSIにおいて、Cu配線と層間絶縁膜との間には、優れたバリヤ特性を有するバリヤが必要不可欠である。しかしながら、これまで... [more] CPM2012-103
pp.55-60
CPM 2011-10-26
16:25
福井 福井大学 産学官連携本部研修室 遷移金属を含有した低純度Si基板を用いた太陽電池の試作
武田大樹都築 暁籾山克章鹿又健作鈴木貴彦廣瀬文彦山形大CPM2011-116
Si太陽電池のコスト削減のために、低コスト材料である低純度Siの利用が期待されている。本研究では、低純度Siの利用を想定... [more] CPM2011-116
pp.37-39
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2011-03-11
16:45
愛知 名古屋大学 TbFe層を用いた垂直磁化MTJの熱アシスト磁化反転
野田晃司藤澤佑樹加藤剛志岩田 聡名大)・綱島 滋名古屋産業科学研MR2010-63
希土類-遷移金属(RE-TM)膜をメモリー層とした垂直磁化型のTbFe / CoFeB / Al-O / [Co/Pd]... [more] MR2010-63
pp.47-51
ITE-MMS, MRIS
(連催)
2010-12-10
09:30
愛媛 愛媛大学 総合メディアセンター [招待講演]CPW-FMR測定法による磁性薄膜のダンピング定数の評価
遠藤 恭三束芳央大川耕平島田 寛山口正洋東北大MR2010-49
最近急速に発展している磁気記録およびスピントロニクス分野では,Ni-Fe薄膜の高速磁化反転の機構解明が重要な研究課題の一... [more] MR2010-49
pp.51-58
CPM 2010-09-10
15:00
東京 機械振興会館 遷移金属含有低純度Siを用いた太陽電池の製作
都築 暁武田大樹佐野裕紀鈴木貴彦廣瀬文彦山形大CPM2010-87
現在、多結晶Si太陽電池は製造コストが高く、低コスト化が望まれている。従来の多結晶Si製造法であるシーメンス法を用いずに... [more] CPM2010-87
pp.37-40
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