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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
11:30
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 FDSOIプロセスにおけるスタック構造を用いたNMOSおよびPMOSトランジスタのソフトエラー耐性の実測による比較
山田晃大古田 潤小林和淑京都工繊大SDM2018-28 ICD2018-15
集積回路素子の微細化に伴いソフトエラーによる集積回路の信頼性低下が問題となっている.本研究では,65nm FDSOI (... [more] SDM2018-28 ICD2018-15
pp.15-20
VLD, HWS
(併催)
2018-02-28
17:20
沖縄 沖縄県青年会館 FDSOIに適したスタック構造におけるソフトエラー対策手法の提案・評価と微細化による影響の評価
丸岡晴喜山田晃大榎原光則古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2017-103
トランジスタサイズの微細化に伴い、ソフトエラーにより集積回路の信頼性が低下している。本稿では65 nm FDSOI プロ... [more] VLD2017-103
pp.85-90
VLD, HWS
(併催)
2018-02-28
17:45
沖縄 沖縄県青年会館 65 nm FDSOIプロセスのトランジスタモデルの違いによるフリップフロップのソフトエラー耐性の実測と評価
榎原光則丸岡晴喜山田晃大古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2017-104
ムーアの法則に従い, 集積回路 (LSI)が微細化することで, PCやスマートフォン
といった高性能な製品を作れるよう... [more]
VLD2017-104
pp.91-96
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-28
15:05
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス 重イオン照射測定によるFDSOIにおけるFFのソフトエラー耐性の評価
一二三 潤梅原成宏丸岡晴喜古田 潤小林和淑京都工繊大VLD2016-51 DC2016-45
微細プロセスではレイアウト構造を変更することで様々な影響が及ぶ.本研究では 28 nm と 65 nm の FDSOI ... [more] VLD2016-51 DC2016-45
pp.43-48
ICD, CPSY
(共催)
2015-12-18
09:00
京都 京都工芸繊維大学 65nmバルクとThin BOX FD-SOIプロセスにおける冗長化フリップフロップのソフトエラー耐性の実測と評価
曽根崎詠二久保田勘人増田政基神田翔平古田 潤小林和淑京都工繊大ICD2015-83 CPSY2015-96
集積回路の微細化に伴って、ソフトエラーにより信頼性の低下が顕在化している。ソフトエラーの対策技術としてTMRFFのような... [more] ICD2015-83 CPSY2015-96
pp.69-74
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