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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2018-07-13
10:00
北海道 北海道大学 [招待講演]高性能Si/SiGe変調器と光集積回路への応用
藤方潤一野口将高高橋重樹蔵田和彦光電子融合基盤技研)・竹中 充東大)・中村隆宏光電子融合基盤技研LQE2018-30
高効率で広帯域化が可能なMOS (metal-oxide-semiconductor)型Si光変調器,歪SiGe光変調器... [more] LQE2018-30
pp.39-42
OPE, LQE
(共催)
2016-06-17
11:00
東京 機械振興会館 量子ドットレーザを集積したSiフォトニクス光送信器による20-75°Cでの25Gbpsエラーフリー動作
牛田 淳屋敷健一郎水谷健二鈴木康之栗原 充徳島正敏藤方潤一萩原靖彦蔵田和彦光電子融合基盤技研OPE2016-10 LQE2016-20
マルチモードファイバ(MMF)伝送に用いる量子ドットレーザ(QDL)を集積したSiフォトニクス光送信器を作製し,20-7... [more] OPE2016-10 LQE2016-20
pp.7-10
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-28
14:50
青森 青森県観光物産館アスパム 1.1μm帯広帯域量子ドットリッジ導波路型LDの開発
吉沢勝美沢渡義規パイオニアマイクロテクノロジー)・赤羽浩一山本直克NICTR2015-46 EMD2015-54 CPM2015-70 OPE2015-85 LQE2015-54
光情報通信応用を目的とした新波長帯としてT-Band(1000-1260nm)とO-Band(1260-1360nm)に... [more] R2015-46 EMD2015-54 CPM2015-70 OPE2015-85 LQE2015-54
pp.115-118
LQE, OPE
(共催)
2015-06-19
15:15
東京 機械振興会館 スポットサイズ変換器集積GaAs基板上量子ドットレーザ
植竹理人高林和雅木村徳治山本剛之富士通研)・山口正臣高田 幹武政敬三菅原 充QDレーザ)・荒川泰彦東大OPE2015-17 LQE2015-27
シリコン(Si)基板上への高密度な光集積を可能にするSiフォトニクス技術は、小型・大容量な光送受信器を実現する上で有望な... [more] OPE2015-17 LQE2015-27
pp.35-38
LQE 2012-12-13
09:35
東京 機械振興会館 高速MBE成長法による19層積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの利得評価
田之上文彦首都大東京/NICT)・菅原宏治首都大東京)・赤羽浩一山本直克NICTLQE2012-121
高速分子線エピタキシ(MBE)成長技術を用いて,共振器長100~600$ \mu $mの19層積層InGaAs量子ドット... [more] LQE2012-121
pp.1-4
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-28
09:45
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ
野村政宏熊谷直人太田泰友岩本 敏荒川泰彦東大PN2009-36 OPE2009-174 LQE2009-156
単一半導体量子ドット-ナノ共振器結合系では光子と励起子が極めて強く相互作用し、共振器量子電気力学で記述される非常に興味深... [more] PN2009-36 OPE2009-174 LQE2009-156
pp.11-14
OPE, LQE
(共催)
2006-06-30
11:00
東京 機械振興会館 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ ~ 20℃~90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作 ~
石田 充羽鳥伸明東大)・大坪孝二山本剛之光協会/富士通/富士通研)・中田義昭江部広治東大)・菅原 充光協会/富士通/富士通研/QDレーザ)・荒川泰彦東大
量子ドットレーザの様々な優れた特性が近年実証されつつある.我々は新たに提案してきた量子ドットレーザの動作モデルをもとに,... [more] OPE2006-18 LQE2006-22
pp.15-20
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