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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
09:55
静岡 アクトシティ浜松 ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定
神野翔綺山口敦史森 恵人金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也冨谷茂隆工藤喜弘ソニーセミコンダクタソリューションズED2023-25 CPM2023-67 LQE2023-65
我々は、InGaN量子井戸発光層の電子構造とキャリアダイナミクスを完全に理解するためには、正確な内部量子効率(IQE)が... [more] ED2023-25 CPM2023-67 LQE2023-65
pp.52-55
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
10:20
静岡 アクトシティ浜松 一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定
森 恵人山口敦史金沢工大)・牧野智大大原真穂濱口達史幸田倫太郎ソニーセミコンダクタソリューションズED2023-26 CPM2023-68 LQE2023-66
InGaN量子井戸(QW)を用いた垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)は,通常,c面GaN基板上に作製されるが,c面は... [more] ED2023-26 CPM2023-68 LQE2023-66
pp.56-59
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-25
10:35
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[奨励講演]輻射・非輻射再結合の同時計測による窒化物半導体における再結合機構の解明へ向けた研究
森 恵人森本悠也山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニーED2022-40 CPM2022-65 LQE2022-73
窒化物半導体光デバイスの活性層に用いられるInGaNやAlGaNの量子井戸(QW)における再結合のキャリアダイナミクスは... [more] ED2022-40 CPM2022-65 LQE2022-73
pp.73-76
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
13:30
ONLINE オンライン開催 顕微光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率のIn組成依存性測定
森 恵人高橋佑知森本悠也山口敦史金沢工大ED2021-20 CPM2021-54 LQE2021-32
InGaN量子井戸(QW)のキャリアダイナミクスの理解には,内部量子効率(IQE)を正確に評価する必要がある.
本研究... [more]
ED2021-20 CPM2021-54 LQE2021-32
pp.29-32
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
13:55
ONLINE オンライン開催 Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定
小笠原健太金沢工大)・坂井繁太奥村忠嗣難波江宏一ウシオ電機)・山口敦史金沢工大ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33
InGaNはInNとGaNの混晶であり,In組成を変化させることで理論上では可視光のあらゆる波長領域で発光可能な半導体材... [more] ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33
pp.33-36
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
15:00
ONLINE オンライン開催 InGaN量子井戸におけるPLスペクトル温度変化の理論モデル解析
袴田舜也藤田貴志渡邊龍一山口敦史金沢工大ED2021-23 CPM2021-57 LQE2021-35
InGaN量子井戸は、In組成を変化させることで可視光全域の光を出すことができるが、緑色より長波長側では効率が落ちてしま... [more] ED2021-23 CPM2021-57 LQE2021-35
pp.41-44
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
10:05
ONLINE オンライン開催 光音響・発光同時計測法と積分球法によるInGaN量子井戸の内部・外部量子効率推定
森 恵人高橋佑知坂井繁太森本悠也山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニーED2020-1 CPM2020-22 LQE2020-52
我々はこれまでにInGaN量子井戸(QW)の内部量子効率(IQE)を正確に測定する手法として,光音響(PA)・発光(PL... [more] ED2020-1 CPM2020-22 LQE2020-52
pp.1-4
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
10:25
ONLINE オンライン開催 InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性
山口拓海有賀恭介森 恵人山口敦史金沢工大ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53
窒化物半導体発光層の内部量子効率は, 発光強度の温度依存性の実験結果から見積もられることが多い. これは, 極低温におけ... [more] ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53
pp.5-8
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:45
宮城 東北大学・電気通信研究所 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT
大澤幸希岩木拓也遠藤勇輝平岡瑞穂岸本尚之林 拓也東京理科大)・渡邊一世NICT/東京理科大)・山下良美原 紳介後藤高寛笠松章史NICT)・遠藤 聡藤代博記東京理科大ED2019-83
我々は,世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し,これらのHEMTの特性を評価した.我々が以前に作製... [more] ED2019-83
pp.29-32
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
13:05
静岡 静岡大学(浜松) 微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性
船戸 充小林敬嗣川上養一京大ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97
有機金属気相成長法により,[1bar{mathrm{1}}00]方向に3傾斜したAlN(0001)基板上に,分子層(M... [more] ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97
pp.89-92
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
14:00
静岡 静岡大学(浜松) InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討
藤田貴志坂井繁太池田優真山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニーED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99
InGaN混晶は、組成を変えることで理論上可視光域全域をカバー可能な半導体材料である。InGaN量子井戸における組成揺ら... [more] ED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99
pp.97-100
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
14:20
静岡 静岡大学(浜松) 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定
森 恵人高橋佑知森本悠也山口敦史金沢工大)・草薙 進蟹谷裕也工藤喜弘冨谷茂隆ソニーED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100
窒化物半導体の光学的性質を正しく理解するためには,まず内部量子効率(IQE: Internal Quantum Effi... [more] ED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100
pp.101-106
OCS, LQE, OPE
(共催)
2019-10-18
10:55
鹿児島 サンプラザ天文館(鹿児島) 再成長フリーInP量子井戸偏波制御素子の試作・実証
伊藤まいこ大川幸祐菅沼貴博種村拓夫中野義昭東大OCS2019-43 OPE2019-81 LQE2019-59
結晶再成長工程が不要なプロセスにより,InP系歪み量子井戸基板上にハーフリッジ型偏波変換部と位相変調部をモノリシックに集... [more] OCS2019-43 OPE2019-81 LQE2019-59
pp.83-86
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
13:05
愛知 名古屋工業大学 InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討
藤田貴志坂井繁太池田優真山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102
InGaNはInNとGaNの混晶であり、組成を変えることでバンドギャップの調整ができる。InGaN量子井戸における組成揺... [more] ED2018-48 CPM2018-82 LQE2018-102
pp.75-78
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
13:30
愛知 名古屋工業大学 光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価
大島一輝池田優真坂井繁太山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103
InGaN量子井戸(QW)では、In組成揺らぎや井戸幅揺らぎに起因してポテンシャル揺らぎが顕著に現れる。これまでに、この... [more] ED2018-49 CPM2018-83 LQE2018-103
pp.79-82
OPE, LQE, OCS
(共催)
2018-10-19
14:55
佐賀 佐賀県教育会館 第1会議室 多重量子井戸ハーフリッジ導波路型偏波制御/変調器の解析
大川幸祐種村拓夫中野義昭東大OCS2018-49 OPE2018-85 LQE2018-74
多重量子井戸(MQW)を持つハーフリッジ導波路型偏波変換器と偏波依存光位相変調器(PD-PS)を用いた偏波制御/変調器を... [more] OCS2018-49 OPE2018-85 LQE2018-74
pp.117-120
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2018-08-24
14:05
北海道 小樽経済センター 多重量子井戸半導体光増幅器を用いた全光論理ゲートデバイスと10Gbps排他的論理和動作
赤石陽太松井信衞伊澤昌平早大)・松本 敦NICT)・松島裕一石川 浩宇高勝之早大R2018-32 EMD2018-35 CPM2018-35 OPE2018-62 LQE2018-51
我々は光パケット交換システムのラベルマッチングデバイスとして、多重量子井戸半導体光増幅器(MQW-SOA)とマイクロリン... [more] R2018-32 EMD2018-35 CPM2018-35 OPE2018-62 LQE2018-51
pp.79-82
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
14:25
愛知 名古屋工業大学 InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析
池田優真坂井繁太大島一輝山口敦史金沢工大)・蟹谷裕也冨谷茂隆ソニーED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64
LEDやレーザダイオードの発光層として用いられるInGaN量子井戸において、PLピークエネルギーのS字型温度依存性(S-... [more] ED2017-51 CPM2017-94 LQE2017-64
pp.11-14
R, EMD, CPM, LQE, OPE
(共催)
2017-08-31
16:15
青森 弘前文化センター 結合量子井戸構造を用いた室温動作量子カスケード検出器
道垣内龍男藤田和上廣畑 徹伊藤昭生日高正洋枝村忠孝浜松ホトニクスR2017-30 EMD2017-24 CPM2017-45 OPE2017-54 LQE2017-27
室温動作可能な5μm帯量子カスケード検出器の設計と動作特性について報告する. 設計した結合量子井戸構造では順方向の電流成... [more] R2017-30 EMD2017-24 CPM2017-45 OPE2017-54 LQE2017-27
pp.31-36
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2017-01-19
09:30
三重 伊勢市観光文化会館 スピン制御面発光レーザにおける発振円偏光度の複屈折依存性
横田信英竹内隆太郎八坂 洋東北大)・池田和浩産総研PN2016-63 EMT2016-92 OPE2016-138 LQE2016-127 EST2016-102 MWP2016-76
InAlGaAs量子井戸活性層構造面発光半導体レーザ(VCSEL)にスピン偏極電子を光励起することで,初めて円偏光発振特... [more] PN2016-63 EMT2016-92 OPE2016-138 LQE2016-127 EST2016-102 MWP2016-76
pp.127-130
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