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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
US 2024-08-01
11:00
島根 松江テルサ (島根県) 高強度パルスレーザを用いた強い空中音波の取り出し方法に関する研究
會澤康治田主凌麻西田 蒼金沢工大US2024-17
大型構造物の非接触・非破壊損傷検出ではレーザ誘起衝撃波をインパルス加振として発生したLamb波を利用する試みがあるが、こ... [more] US2024-17
pp.1-4
US 2022-11-29
13:25
富山 大学コンソーシアム富山 (富山県) 様々な弾性構造体へのナノ秒パルスレーザ照射で生じた空中音波の解析
會澤康治宮﨑晃汰金沢工大US2022-44
可視光を効率よく吸収する弾性体を含む構造体に強いナノ秒パルスレーザ光を照射すると構造体内部に弾性波が生じ、構造体に接する... [more] US2022-44
pp.7-11
WPT, EE
(併催)
2019-10-10
11:10
滋賀 龍谷大学瀬田キャンパス RECホール (小ホール) (滋賀県) 閉じ込められた水によるワイヤレス給電の可能性について
粟井郁雄リューテックWPT2019-37
何らかの容器に閉じ込めた水は非常に高い誘電率と液体であると言う特徴によってワイヤレス給電の媒体となる。容器の端部に励振源... [more] WPT2019-37
pp.59-62
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
12:40
愛知 名古屋工業大学 (愛知県) SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ
飯田涼介名城大)・林 菜摘村永 亘岩山 章竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101
窒化物半導体面発光レーザのしきい値電流低減に向けて、SiO2埋め込みによる光導波構造を検討した。本論文では、まず、SiO... [more] ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101
pp.71-74
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
10:30
京都 京都大学 (京都府) 薄型結晶シリコン太陽電池に向けたナノインプリントテクスチャの光閉じ込め効果
中井雄也石河泰明浦岡行治奈良先端大EID2017-11 SDM2017-72
薄型結晶シリコン太陽電池の実現には光吸収層内での光り閉じ込め効果が重要であり,光の多重反射を目的としたテクスチャを形成す... [more] EID2017-11 SDM2017-72
pp.1-4
MW 2017-11-10
14:40
沖縄 宮古島マリンターミナルビル (沖縄県) 電界閉じ込め型スパイラル共振器の総合的評価
平岩達也石崎俊雄龍谷大)・粟井郁雄リューテックMW2017-141
これまで我々が提案してきた4種類の電界閉じ込め型スパイラルコイル共振器の動作原理、作製法、閉じ込め効率、無負荷Q,周辺媒... [more] MW2017-141
pp.161-166
MRIS, IEE-MAG
(連催)
2017-03-10
15:10
愛知 名古屋大学 (愛知県) GeSbTe-Siマイクロ共振器を用いた2次元情報符号化素子の提案と動作実証
木原雄也中村政輝ソビ ファラビ片岩大智慶大)・桑原正史産総研)・斎木敏治慶大MR2016-63
近年、インターネットやSNSの発展に伴い、情報量が年々膨大に増加している。その対策として情報保存量の増加のみでなく、情報... [more] MR2016-63
pp.35-40
OPE, LQE
(共催)
2016-06-17
14:40
東京 機械振興会館 (東京都) 量子構造混晶化を用いたVCSELのキャリア及び光閉じ込めに関する研究
齋藤 季森脇翔平宮本智之東工大OPE2016-15 LQE2016-25
VCSELは二次元アレー・低消費電力・優れた生産性といった特徴を有し,広く実用されている.今後,VCSELは光無線給電と... [more] OPE2016-15 LQE2016-25
pp.31-34
MW, WPT
(共催)
2016-04-21
13:00
東京 機械振興会館 (東京都) ペア共振器による局在電磁界生成と高性能2次元ワイヤレス給電
粟井郁雄リューテック)・伊藤竜次平岩達也石崎俊雄龍谷大WPT2016-4 MW2016-4
ワイヤレス給電に用いることを目指して、各種コイルを複数個電磁的に結合して一つの共振器を作り電磁界分布を制御しようとしてい... [more] WPT2016-4 MW2016-4
pp.17-22
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
11:45
熊本 熊本市 (熊本県) 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき
水谷朋子棚橋裕麻鈴木龍太更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2015-68 ICD2015-37
 [more] SDM2015-68 ICD2015-37
pp.59-62
EMT, IEE-EMT
(連催)
2015-06-12
10:50
東京 電気学会 第1~第5会議室 (東京都) 電荷生成消滅のためのマクスウェル方程式の拡張
武藤秀樹リンク・リサーチEMT2015-3
半導体中では光照射や熱励起によって電荷対の生成消滅が生じるが,この現象を扱うためにはマクスウェル方程式の拡張が必要になる... [more] EMT2015-3
pp.13-18
LQE, LSJ
(共催)
2015-05-21
13:20
石川 金沢能楽美術館 (石川県) 電流注入形半導体薄膜分布反射型レーザの室温連続動作
平谷拓生井上大輔冨安高弘厚地祐輝福田 快雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2015-1
近年のLSIは素子の微細化による高性能化を進める一方で、配線層上部のグローバル配線において、信号遅延や発熱などが問題とな... [more] LQE2015-1
pp.1-6
OFT, PEM
(併催)
2015-05-22
13:30
石川 金沢勤労者プラザ (石川県) 空孔アシスト型細径光ファイバの検討
五藤幸弘中島和秀深井千里齊藤浩太郎倉嶋利雄NTTOFT2015-11
空孔アシスト光ファイバ(HAF: Hole Assisted Fiber)におけるクラッド径とカットオフ波長の関係につい... [more] OFT2015-11
pp.49-52
OCS, OPE, LQE
(共催)
2014-10-31
09:20
長崎 長崎歴史文化博物館 (長崎県) 超小型スローライトブラッグ反射鏡導波路変調器の20GHz高速変調動作
顧 暁冬鈴木絢子松谷晃宏小山二三夫東工大OCS2014-69 OPE2014-113 LQE2014-87
近年情報量が増加し,スーパーコンピュータなどへの光インターコネクトの導入が重要視されている.その高速化のために必要とされ... [more] OCS2014-69 OPE2014-113 LQE2014-87
pp.141-146
US 2014-02-21
13:20
東京 JAXA 調布航空宇宙センター 飛行場分室 (東京都) レーザ誘起創発的応力波の伝搬に関する実験的検討 ~ レーザターゲット周辺の動的観察 ~
佐藤駿介岡本良太會澤康治得永嘉昭金沢工大US2013-102
細胞への遺伝子導入に用いるレーザ誘起創発的応力波(LIESW)は,微小な空間において,ごく短い時間(~5 μs)で伝搬す... [more] US2013-102
pp.47-50
LQE 2013-12-13
10:50
東京 機械振興会館 (東京都) オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの消費電力検討
平谷拓生土居恭平厚地祐輝雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2013-128
近年、LSIの微細化による配線遅延や発熱の影響が無視できなくなってきており、電気配線の光配線への代替が有望視されている。... [more] LQE2013-128
pp.15-20
LQE 2013-12-13
13:10
東京 機械振興会館 (東京都) [奨励講演]オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低しきい値動作への進展
進藤隆彦二見充輝土居恭平平谷拓生雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2013-130
LSI内のグローバル配線層の代替として、我々はこれまで半導体薄膜構造を用いたオンチップ光集積回路を提案してきた。オンチッ... [more] LQE2013-130
pp.27-32
EST, MWP, OPE, MW, EMT, IEE-EMT
(共催) [詳細]
2013-07-18
14:05
北海道 稚内総合文化センター (北海道) 高次直列結合量子井戸マイクロリング波長選択スイッチ
荒川太郎神谷 宙池原広樹カトフ レドワン國分泰雄横浜国大MW2013-68 OPE2013-37 EST2013-32 MWP2013-27
InGaAs/InAlAs多重量子井戸をコア層とするマイクロリング共振器を用いて4次直列結合マイクロリング波長選択スイッ... [more] MW2013-68 OPE2013-37 EST2013-32 MWP2013-27
pp.125-130
LQE 2012-12-13
10:25
東京 機械振興会館 (東京都) GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化
進藤隆彦二見充輝土居恭平雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2012-123
LSIの微細化・高速化に伴い、素子間の配線におけるRC遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念さ... [more] LQE2012-123
pp.9-14
SDM 2012-11-16
10:00
東京 機械振興会館 (東京都) 20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価
山本真大廣木 彰尹 鍾鐵京都工繊大SDM2012-104
ITRSでMOSデバイスの電気特性の計算に用いられるプログラムMASTARの電子実効移動度モデルの精度を評価した。評価方... [more] SDM2012-104
pp.25-30
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