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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 16:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製 ○渡久地政周・三輪和希（北大）・堀切文正・福原 昇・成田好伸・市川 磨・磯野僚多・田中丈士（サイオクス）・佐藤威友（北大）  ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 |
コンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチングを用いて、リセスゲート型AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(H... [more] | ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 pp.87-90 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ○ロー ルイ シャン・永瀬 樹・バラトフ アリ・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）・谷田部然治・内藤健太・本山智洋・中村有水（熊本大） ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 |
近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] | ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 pp.49-52 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 16:00 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | 注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造 ○南雲謙志・木本大幾・諏訪智之（東北大）・寺本章伸（広島大）・白田理一郎・高谷信一郎（国立交通大）・黒田理人・須川成利（東北大） ED2019-104 MW2019-138 |
ノーマリオフを達成する構造として従来のFloating Gate型に新たに電荷注入用の注入ゲートを設けた構造のGaN高電... [more] | ED2019-104 MW2019-138 pp.55-58 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:45 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT ○大澤幸希・岩木拓也・遠藤勇輝・平岡瑞穂・岸本尚之・林 拓也（東京理科大）・渡邊一世（NICT/東京理科大）・山下良美・原 紳介・後藤高寛・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大） ED2019-83 |
我々は，世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し，これらのHEMTの特性を評価した．我々が以前に作製... [more] | ED2019-83 pp.29-32 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 09:00 |
宮城 | 東北大・通研 | ［招待講演］InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）・三村高志（NICT） ED2018-62 |
我々は，電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系，Sb系及びGaN系HEMTを作製し，これらのHEMTの特性を... [more] | ED2018-62 pp.35-38 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | ［招待講演］アンチモン系トランジスタの開発 ○藤代博記・磯野恭佑・高橋択斗・原田義彬・岡 直希・竹内 淳・藤澤由衣（東京理科大）・藤川紗千恵（東京電機大）・町田龍人（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・遠藤 聡・原 紳介・笠松章史（NICT） ED2017-81 |
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により，InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] | ED2017-81 pp.33-36 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 17:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | 電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング ○熊崎祐介・植村圭佑・佐藤威友（北大） ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82 |
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの低損傷リセスエッチングを目的として，電気化学加工技術の検討を行った．AlGa... [more] | ED2016-66 CPM2016-99 LQE2016-82 pp.45-50 |
| MWP | 2015-05-25 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | 高電子移動度トランジスタを用いたテラヘルツ受信器の高感度化と帯域幅の測定 ○鈴木左文・忽滑谷拓郎・植田裕吾・大塚友絢・浅田雅洋（東工大） MWP2015-1 |
本研究では、高い電流感度の実現を目指し、平面型のボウタイアンテナに短チャネルのHEMTを集積したテラヘルツ受信器を提案し... [more] | MWP2015-1 pp.1-5 |
| ED | 2014-12-22 14:35 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | 90GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの出力特性 ○渡邊一世（NICT）・遠藤 聡（NICT/富士通研）・笠松章史（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2014-101 |
InGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ（HEMT）は，高速・高周波・低雑音特性に優れるだけでなく，ミリ波帯... [more] | ED2014-101 pp.15-19 |
| ED | 2013-12-17 14:10 |
宮城 | 東北大通研 | 非対称二重回折格子状ゲート構造HEMTによる超高感度・周波数選択制テラヘルツ波検出 ○川崎鉄哉・畠山信也・栗田裕記（東北大）・Guillaume Ducournau（IEMN）・Dominique Coquillat（Univ. Montpellier 2 & CNRS）・小林健悟・佐藤 昭（東北大）・Yahya M. Meziani（Univ. Salamanca）・Vyacheslav. V. Popov（Kotelnikov Inst. Radio Eng. Electron）・Wojciech Knap（Univ. Montpellier 2 & CNRS）・末光哲也・尾辻泰一（東北大） ED2013-107 |
我々は、二次元プラズモン流体非線形性を検出原理とする、独自の非対称二重格子状ゲート構造を有するHEMT(Asymmetr... [more] | ED2013-107 pp.97-100 |
| ED | 2013-08-09 09:00 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | 超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス ○藤野舜也・水野雄太・高岡和央・森 雅之・前澤宏一（富山大） ED2013-44 |
本論文では, InP基板上におけるMEMSマイクロフォンの製造プロセスについて述べた. このプロセスは, 中空構造を作製... [more] | ED2013-44 pp.33-36 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT ○小林健悟・吉田智洋・尾辻泰一・片山竜二・松岡隆志・末光哲也（東北大） ED2012-126 MW2012-156 |
HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動... [more] | ED2012-126 MW2012-156 pp.75-78 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 14:20 |
大阪 | 大阪市立大学 | Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価 ○常家卓也・分島彰男・江川孝志（名工大） ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 |
Si基板上にAlGaN/GaN HEMTを作製し、電流コラプスを調査するために光照射時においてドレイン電流(Id(t))... [more] | ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100 pp.29-32 |
| ED | 2011-12-15 10:05 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | 非対称二重回折格子状ゲート電極を有するInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いた超高感度プラズモニックテラヘルツ波検出器 ○谷本雄大・Stephane Boubanga-Tombet・渡辺隆之（東北大）・Yuye Wang・南出泰亜・伊藤弘昌（理研）・Denis Fateev・Vyacheslav Popov（ロシア科学アカデミー）・Dominique Coquillat・Wojciech Knap（モンペリエ第2大）・尾辻泰一（東北大） ED2011-110 |
非対称二重回折格子状ゲート電極を有する InAlAs/InGaAs/InP 高電子移動度トランジスタ(HEMT)が、テラ... [more] | ED2011-110 pp.57-61 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 16:25 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性 ○大井幸多（北大）・橋詰 保（北大/JST） ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 |
ゲート電極直下のみに周期的トレンチ構造を形成した多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTを作製し，評価を... [more] | ED2010-152 CPM2010-118 LQE2010-108 pp.47-50 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2009-183 MW2009-166 |
ゲート電極直下のみに周期的メサ構造を有する多重台形チャネル(MMC: Multi-Mesa-Channel)HEMTでは... [more] | ED2009-183 MW2009-166 pp.49-53 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 10:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価 ○市村幹也・三好実人・田中光浩（日本ガイシ）・江川孝志（名工大） ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 |
格子長とバンドギャップの独立制御が可能な四元混晶を障壁層とするInAlGaN/GaN HEMT構造のMOCVD成長および... [more] | ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 pp.99-103 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 14:00 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 ○鈴江隆晃・ローレンス セルバラージ・江川孝志（名工大） ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 |
Si基板上AlGaN/GaN HEMTについて厚膜サンプルの特性評価を行った。耐圧測定を行ったところ、成長層膜厚の増加に... [more] | ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 pp.129-132 |
| EMCJ, ITE-BCT (共催) |
2009-03-13 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | Ku帯衛星中継システム向けGaN FET固体化電力増幅器の開発 ○望月 亮・福島竜也・岩渕浩昭・山田良男・加藤孝男（東芝） EMCJ2008-121 |
Ku帯電力増幅FETとして世界最高出力となる50W級窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)を電力増幅... [more] | EMCJ2008-121 pp.43-48 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2008-223 MW2008-188 |
ゲート電極直下のみを周期的トレンチ構造とした多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTは，側面ゲートからの... [more] | ED2008-223 MW2008-188 pp.141-144 |
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