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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2024-01-25
15:30
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析
南條拓真清井 明今澤貴史古橋壮之西川和康三菱電機)・江川孝志名工大ED2023-68 MW2023-160
ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric... [more] ED2023-68 MW2023-160
pp.11-14
MW, ED
(共催)
2023-01-27
13:40
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証
南條拓真品川友宏綿引達郎三浦成久古橋壮之西川和康三菱電機)・江川孝志名工大ED2022-93 MW2022-152
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor(HEMT)は,通信用の高周波高出... [more] ED2022-93 MW2022-152
pp.36-39
OME, IEE-DEI
(連催)
2023-01-18
13:40
愛知 愛知・日間賀島 ホテル浦島 [依頼講演]レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるGaN-HEMTの界面ポテンシャル分布
高田徳幸産総研OME2022-63
レーザーテラヘルツ放射顕微鏡(LTEM)は、半導体表面・界面にフェムト秒光パルスを照射し、光電流や分極の時間変化に由来し... [more] OME2022-63
pp.1-3
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
15:20
ONLINE オンライン開催 AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価
森 隆一上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45
スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に,MOVPE法を用いてチャネル膜厚1... [more] ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45
pp.83-86
SDM 2021-11-12
11:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング
福田浩一服部淳一浅井栄大産総研)・矢板潤也小谷淳二富士通SDM2021-62
GaN HEMTの移動度の温度依存モデリングにセルオートマトン法を適用した。分布関数をテーブルで持ち微小時間ステップごと... [more] SDM2021-62
pp.47-52
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:00
ONLINE オンライン開催 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長
白土達也上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
本研究では,低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10–80... [more] ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
pp.41-44
ED 2013-12-17
14:10
宮城 東北大通研 非対称二重回折格子状ゲート構造HEMTによる超高感度・周波数選択制テラヘルツ波検出
川崎鉄哉畠山信也栗田裕記東北大)・Guillaume DucournauIEMN)・Dominique CoquillatUniv. Montpellier 2 & CNRS)・小林健悟佐藤 昭東北大)・Yahya M. MezianiUniv. Salamanca)・Vyacheslav. V. PopovKotelnikov Inst. Radio Eng. Electron)・Wojciech KnapUniv. Montpellier 2 & CNRS)・末光哲也尾辻泰一東北大ED2013-107
我々は、二次元プラズモン流体非線形性を検出原理とする、独自の非対称二重格子状ゲート構造を有するHEMT(Asymmetr... [more] ED2013-107
pp.97-100
ED 2011-12-15
10:05
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 非対称二重回折格子状ゲート電極を有するInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いた超高感度プラズモニックテラヘルツ波検出器
谷本雄大Stephane Boubanga-Tombet渡辺隆之東北大)・Yuye Wang南出泰亜伊藤弘昌理研)・Denis FateevVyacheslav Popovロシア科学アカデミー)・Dominique CoquillatWojciech Knapモンペリエ第2大)・尾辻泰一東北大ED2011-110
非対称二重回折格子状ゲート電極を有する InAlAs/InGaAs/InP 高電子移動度トランジスタ(HEMT)が、テラ... [more] ED2011-110
pp.57-61
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
13:45
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール AlInN/AlN/GaNヘテロ接合における高温での表面障壁高さの低下
ハサン タンビル徳田博邦葛原正明福井大ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102
 [more] ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102
pp.29-33
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
16:15
東京 東工大 大岡山キャンパス Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor
Masakazu MuraguchiTohoku Univ.)・Yoko SakuraiYukihiro TakadaShintaro NomuraKenji ShiraishiUniv. of Tsukuba.)・Mitsuhisa IkedaKatsunori MakiharaSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.)・Yasuteru ShigetaUniv. of Hyogo)・Tetsuo EndohTohoku Univ.ED2010-122 SDM2010-123
The efficiency and stability of electron injection from the ... [more] ED2010-122 SDM2010-123
pp.319-324
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
15:45
愛知 名古屋工業大学 AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション
束原 肇中村成志奥村次徳首都大東京ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126
AlGaN/GaNヘテロ構造にMEMS技術(マイクロオリガミ)を適用し,界面に生じる二次元電子ガス(2DEG)の影響を調... [more] ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126
pp.149-154
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