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 57件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2024-01-25
15:30
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析
南條拓真清井 明今澤貴史古橋壮之西川和康三菱電機)・江川孝志名工大ED2023-68 MW2023-160
ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric... [more] ED2023-68 MW2023-160
pp.11-14
MW, ED
(共催)
2023-01-27
13:40
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証
南條拓真品川友宏綿引達郎三浦成久古橋壮之西川和康三菱電機)・江川孝志名工大ED2022-93 MW2022-152
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor(HEMT)は,通信用の高周波高出... [more] ED2022-93 MW2022-152
pp.36-39
SDM, ED, CPM
(共催)
2022-05-27
17:05
ONLINE オンライン開催 多端子ホール素子によるオーミック金属下半導体の特性評価法
瓜生和也北陸先端大/アドバンテスト研)・木内翔太北陸先端大)・佐藤 拓アドバンテスト研)・鈴木寿一北陸先端大ED2022-15 CPM2022-9 SDM2022-22
一般に, オーミック金属下半導体の電気的特性は, オーミックコンタクト形成前から変化している. これまでに, オーミック... [more] ED2022-15 CPM2022-9 SDM2022-22
pp.35-38
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:50
ONLINE オンライン開催 Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
ロー ルイ シャン永瀬 樹バラトフ アリアスバル ジョエル タクラ徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大)・谷田部然治内藤健太本山智洋中村有水熊本大ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
近年、ミスト化学気相成長(mist-CVD)法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
pp.49-52
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
11:20
ONLINE オンライン開催 AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究
バラトフ アリ小澤渉至山下隼平アスバル ジョエル タクラ徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67
小信号特性の場合にはMIS構造がSG構造より優れた特性を示していることを複数の研究者から報告されている。しかし、大信号特... [more] ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67
pp.60-62
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
15:50
愛知 名古屋工業大学 光電気化学反応を利用した窒化物半導体の低損傷エッチングと電子デバイスへの応用
植村圭佑松本 悟渡久地政周伊藤圭亮佐藤威友北大ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67
窒化物半導体に対して,光電気化学反応を利用した低損傷ウェットエッチングプロセスを開発した.GaNと電解液界面の光電気化学... [more] ED2017-54 CPM2017-97 LQE2017-67
pp.23-26
WPT, EMCJ
(併催)
2017-11-21
16:30
東京 機械振興会館 [依頼講演]研究室で作成したGaNダイオード整流器
池戸雄哉加藤直樹伊藤雄磨為末圭一角野純平寺島弘人名工大WPT2017-53
平成29年3月電子情報通信学会総合大会と併設され開催された高周波整流コンテストにてユニーク賞を頂いた整流回路について述べ... [more] WPT2017-53
pp.49-52
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
16:10
京都 京大桂キャンパス AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討
鈴木雄大山崎泰誠牧野伸哉ジョエル アスバル徳田博邦葛原正明福井大ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80
本研究では、パワー回路への応用を目的として開発したアンペア級のAlGaN/GaN HEMTの高耐圧化と低損失化について検... [more] ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80
pp.35-39
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
16:35
京都 京大桂キャンパス 三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制
鈴木敦也ジョエル アスバル徳田博邦葛原正明福井大ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81
ゲート-ドレイン間にフィン状に形成された複数の溝をもつ新しいフィールドプレート(3DFP)を有するAlGaN/GaN H... [more] ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81
pp.41-44
MW 2016-11-18
11:20
佐賀 佐賀大学 GaN HEMTの低周波等価回路パラメータへのバッファトラップの影響
山口修造大石敏之佐賀大MW2016-128
GaN HEMT中のトラップの影響を検討するため,低周波における等価回路パラメータを測定した.バッファに対応する小信号等... [more] MW2016-128
pp.69-72
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
11:40
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性
山岡優哉大陽日酸)・伊藤和宏名工大)・生方映徳田渕俊也松本 功大陽日酸)・江川孝志名工大ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115
本調査では、成長条件が異なる2種類のSi基板上AlNを製作し、scanning electron microscope(... [more] ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115
pp.77-80
SDM 2015-06-19
09:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価
谷田部然治橋詰 保北大SDM2015-38
ドライエッチングをしたAlGaN上にAl2O3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行なった.評価には室... [more] SDM2015-38
pp.1-4
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
16:30
愛知 名古屋大学VBL3階 表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用
川上恭平石丸貴博篠原正俊岡田 浩豊橋技科大)・古川雅一アリエースリサーチ)・若原昭浩関口寛人豊橋技科大ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27
マイクロ波による表面波プラズマを応用した新しい化学気相堆積法を提案し、シリコン窒化膜の堆積を行った。ビス(ジメチルアミノ... [more] ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27
pp.55-58
ED, MW
(共催)
2014-01-17
09:30
東京 機械振興会館 低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価
吉本 晋石原邦亮岡田政也住吉和英平野英則三橋史典善積祐介石塚貴司木山 誠上野昌紀住友電工ED2013-124 MW2013-189
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、GaN基板を用いた縦型構造を採用することで、コラプス抑制や低オン抵抗、また高い面... [more] ED2013-124 MW2013-189
pp.79-84
MW, ED
(共催)
2013-01-18
14:30
東京 機械振興会館 AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流解析
林 一夫大石敏之加茂宣卓山口裕太郎大塚浩志山中宏治中山正敏三菱電機)・宮本恭幸東工大ED2012-125 MW2012-155
AlGaN/GaN HEMTのドレインリーク電流について,実測とTCADシミュレーションの両方から解析した.まず,ピンチ... [more] ED2012-125 MW2012-155
pp.69-74
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
15:25
大阪 大阪市立大学 プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響
堀 祐臣谷田部然治馬 万程橋詰 保北大ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102
原子層堆積法で形成したAl2O3膜をゲート絶縁膜としてAl2O3/AlGaN/GaNヘテロMOS構造を作製し、形成プロセ... [more] ED2012-74 CPM2012-131 LQE2012-102
pp.37-40
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
16:15
大阪 大阪市立大学 Effect of Passivation on Drain Current Dispersion for AlGaN/GaN HEMTs
Md. Tanvir HasanHirokuni TokudaMasaaki KuzuharaUniv. of FukuiED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104
AlGaN/GaN HEMTs with different passivation layers were studi... [more] ED2012-76 CPM2012-133 LQE2012-104
pp.45-50
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
15:15
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析
細川大志井川裕介木尾勇介敖 金平大野泰夫徳島大ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105
AlGaN/GaN HFETの電流コラプス機構解析を目的として、ストレス印加後の回復過程の解析を行なった。回復過程におけ... [more] ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105
pp.43-48
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
16:40
愛知 名古屋大学 VBL GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ~ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ~
杉山貴之本田善央山口雅史天野 浩名大)・磯部康裕押村吉徳岩谷素顕竹内哲也上山 智赤崎 勇名城大)・今出 完北岡康夫森 勇介阪大ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47
c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。 a-HFETはc面上のHFETs... [more] ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47
pp.175-178
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
17:30
愛知 名古屋大学 VBL 原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価
宮崎英志合田祐司岸本 茂水谷 孝名大ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49
Al2O3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al2O3成膜前の前処理として(NH4)2S (硫化... [more] ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49
pp.185-190
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