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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
ICD
2023-04-10
09:30
神奈川
川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]CAAC-IGZO FET と 0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いた1T1C FeRAM
○
遠藤正己
・
沼田至優
・
大嶋和晃
・
恵木勇司
・
井坂史人
・
大野敏和
・
手塚祐朗
・
濱田俊樹
・
古谷一馬
・
津田一樹
・
松嵜隆徳
・
大貫達也
・
村川 努
・
國武寛司
(
半導体エネルギー研
)・
小林正治
(
東大
)・
山崎舜平
(
半導体エネルギー研
)
[more]
SDM
2023-01-30
13:40
東京
機械振興会館(B3-1)
[招待講演]高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM
○
大嶋和晃
・
遠藤正己
・
沼田至優
・
恵木勇司
・
井坂史人
・
大野敏和
・
手塚祐朗
・
濱田俊樹
・
古谷一馬
・
津田一樹
・
松嵜隆徳
・
大貫達也
・
村川 努
・
國武寛司
(
半導体エネルギー研
)・
小林正治
(
東大
)・
山﨑舜平
(
半導体エネルギー研
)
SDM2022-80
酸化物半導体電界効果トランジスタとHfO2 系キャパシタを用いて強誘電体メモリを試作した。
HfO2系キャパシタの下部...
[more]
SDM2022-80
pp.5-8
SDM
,
ICD
(共催)
ITE-IST
(連催)
[詳細]
2021-08-18
11:00
ONLINE
オンライン開催
[招待講演]低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ~ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ~
○
トープラサートポン カシディット
・
田原建人
(
東大
)・
彦坂幸信
・
中村 亘
・
齋藤 仁
(
富士通セミコンダクターメモリソリューション
)・
竹中 充
・
高木信一
(
東大
)
SDM2021-38 ICD2021-9
本研究は、厚さ2.8~9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ...
[more]
SDM2021-38
ICD2021-9
pp.42-47
SDM
,
ICD
(共催)
2015-08-24
10:20
熊本
熊本市
半断線ビア抵抗を検出するためのスクライブライン搭載アレイTEG技術の開発
○
新川田裕樹
・
坪井信生
(
ルネサス エレクトロニクス
)・
津田淳史
(
ルネサス システムデザイン
)・
佐藤伸吾
(
関西大
)・
山口泰男
(
ルネサス エレクトロニクス
)
SDM2015-58 ICD2015-27
量産段階での活用を目指した狭いスクライブライン領域に搭載可能なアレイTEGを開発した。HSD-S(High sensit...
[more]
SDM2015-58
ICD2015-27
pp.7-10
ICD
,
SDM
(共催)
2014-08-04
13:55
北海道
北海道大学 情報教育館(札幌市)
[招待講演]混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発
○
杉井寿博
・
射場義久
・
青木正樹
・
能代英之
・
角田浩司
・
畑田明良
・
中林正明
・
山崎裕一
・
高橋 厚
・
吉田親子
(
超低電圧デバイス技研組合
)
SDM2014-68 ICD2014-37
本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高...
[more]
SDM2014-68
ICD2014-37
pp.35-38
ICD
,
SDM
(共催)
2014-08-05
13:05
北海道
北海道大学 情報教育館(札幌市)
[招待講演]配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ
○
砂村 潤
・
古武直也
・
齋藤 忍
・
成広 充
・
林 喜宏
(
ルネサス エレクトロニクス
)
SDM2014-76 ICD2014-45
オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術(BEOL-F...
[more]
SDM2014-76
ICD2014-45
pp.77-82
ICD
2013-04-12
08:30
茨城
産業技術総合研究所 つくばセンター
[招待講演]相補型原子スイッチを用いたプログラマブルロジックでのRTL記述からの回路マッピング
○
宮村 信
・
多田宗弘
・
阪本利司
・
伴野直樹
・
岡本浩一郎
・
井口憲幸
・
波田博光
(
超低電圧デバイス技研組合
)
ICD2013-12
低電圧プログラミングが可能な相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルを開発し、3x3セルアレイ規模での回路のマ...
[more]
ICD2013-12
pp.55-59
SDM
2013-02-04
13:10
東京
機械振興会館
原子移動型スイッチを使ったスマート配線技術と低電力再構成回路への応用
○
多田宗弘
・
阪本利司
・
宮村 信
・
伴野直樹
・
岡本浩一郎
・
井口憲幸
・
波田博光
(
超低電圧デバイス技研組合
)
SDM2012-152
多層配線のスケーリング則が限界に達しつつある今、多層配線中に機能素子(バックエンドデバイス)を搭載することで、微細化する...
[more]
SDM2012-152
pp.9-14
SDM
2012-03-05
10:05
東京
機械振興会館
[基調講演]BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発
○
木村紳一郎
(
超低電圧デバイス技研組合
)
SDM2011-176
抵抗変化を起こす機能材料を,集積回路の配線(BEOL)プロセスを用いて配線間に埋め込んだ抵抗変化型不揮発デバイスは,動作...
[more]
SDM2011-176
pp.1-5
SDM
2012-03-05
11:20
東京
機械振興会館
InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
○
金子貴昭
・
井上尚也
・
齋藤 忍
・
古武直也
・
砂村 潤
・
川原 潤
・
羽根正巳
・
林 喜宏
(
ルネサス エレクトロニクス
)
SDM2011-178
本論文では、ワイドギャップ酸化物半導体InGaZnOを伝導チャネルに用いた、LSI多層配線中に高耐圧インターフェイスを低...
[more]
SDM2011-178
pp.13-17
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/
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タイトル順
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所属順
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