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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2023-04-10
09:30
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]CAAC-IGZO FET と 0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いた1T1C FeRAM
遠藤正己沼田至優大嶋和晃恵木勇司井坂史人大野敏和手塚祐朗濱田俊樹古谷一馬津田一樹松嵜隆徳大貫達也村川 努國武寛司半導体エネルギー研)・小林正治東大)・山崎舜平半導体エネルギー研
 [more]
SDM 2023-01-30
13:40
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM
大嶋和晃遠藤正己沼田至優恵木勇司井坂史人大野敏和手塚祐朗濱田俊樹古谷一馬津田一樹松嵜隆徳大貫達也村川 努國武寛司半導体エネルギー研)・小林正治東大)・山﨑舜平半導体エネルギー研SDM2022-80
酸化物半導体電界効果トランジスタとHfO2 系キャパシタを用いて強誘電体メモリを試作した。
HfO2系キャパシタの下部... [more]
SDM2022-80
pp.5-8
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
11:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ~ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ~
トープラサートポン カシディット田原建人東大)・彦坂幸信中村 亘齋藤 仁富士通セミコンダクターメモリソリューション)・竹中 充高木信一東大SDM2021-38 ICD2021-9
本研究は、厚さ2.8~9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] SDM2021-38 ICD2021-9
pp.42-47
SDM, ICD
(共催)
2015-08-24
10:20
熊本 熊本市 半断線ビア抵抗を検出するためのスクライブライン搭載アレイTEG技術の開発
新川田裕樹坪井信生ルネサス エレクトロニクス)・津田淳史ルネサス システムデザイン)・佐藤伸吾関西大)・山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2015-58 ICD2015-27
量産段階での活用を目指した狭いスクライブライン領域に搭載可能なアレイTEGを開発した。HSD-S(High sensit... [more] SDM2015-58 ICD2015-27
pp.7-10
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合SDM2014-68 ICD2014-37
本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高... [more] SDM2014-68 ICD2014-37
pp.35-38
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
13:05
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ
砂村 潤古武直也齋藤 忍成広 充林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2014-76 ICD2014-45
オンチップ高耐圧インターフェイス実現を目的として我々が提唱する配線層中形成した酸化物半導体トランジスタ技術(BEOL-F... [more] SDM2014-76 ICD2014-45
pp.77-82
ICD 2013-04-12
08:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]相補型原子スイッチを用いたプログラマブルロジックでのRTL記述からの回路マッピング
宮村 信多田宗弘阪本利司伴野直樹岡本浩一郎井口憲幸波田博光超低電圧デバイス技研組合ICD2013-12
低電圧プログラミングが可能な相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルを開発し、3x3セルアレイ規模での回路のマ... [more] ICD2013-12
pp.55-59
SDM 2013-02-04
13:10
東京 機械振興会館 原子移動型スイッチを使ったスマート配線技術と低電力再構成回路への応用
多田宗弘阪本利司宮村 信伴野直樹岡本浩一郎井口憲幸波田博光超低電圧デバイス技研組合SDM2012-152
多層配線のスケーリング則が限界に達しつつある今、多層配線中に機能素子(バックエンドデバイス)を搭載することで、微細化する... [more] SDM2012-152
pp.9-14
SDM 2012-03-05
10:05
東京 機械振興会館 [基調講演]BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発
木村紳一郎超低電圧デバイス技研組合SDM2011-176
抵抗変化を起こす機能材料を,集積回路の配線(BEOL)プロセスを用いて配線間に埋め込んだ抵抗変化型不揮発デバイスは,動作... [more] SDM2011-176
pp.1-5
SDM 2012-03-05
11:20
東京 機械振興会館 InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
金子貴昭井上尚也齋藤 忍古武直也砂村 潤川原 潤羽根正巳林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2011-178
本論文では、ワイドギャップ酸化物半導体InGaZnOを伝導チャネルに用いた、LSI多層配線中に高耐圧インターフェイスを低... [more] SDM2011-178
pp.13-17
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