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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SCE | 2020-09-02 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 並列SFQフィードバックを用いたデジタルSQUID磁束計の性能 ○大嶋一太・内田創坪・成瀬雅人・田井野 徹・明連広昭（埼玉大）  SCE2020-6 |
SFQフィードバック動作のためにマルチフラックスジェネレータ（MFG）を用いてサブ磁束量子フィードバックデジタルSQUI... [more] | SCE2020-6 pp.27-30 |
| MSS, CAS, SIP, VLD (共催) |
2020-06-18 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | チャネル長変調と基板バイアス制御を用いたレベルシフタレス設計の検討 ○渡辺達也・宇佐美公良（芝浦工大） CAS2020-8 VLD2020-8 SIP2020-24 MSS2020-8 |
LSIを低消費電力化する手法の一つにマルチVDD設計がある．この手法では複数の異なる電源電圧を用いることで低消費電力化を... [more] | CAS2020-8 VLD2020-8 SIP2020-24 MSS2020-8 pp.41-46 |
| SCE | 2020-01-17 13:15 |
神奈川 | 横浜市開港記念会館 | ［ポスター講演］Design and evaluation of single flux quantum circuits by using local magnetic flux bias technique ○Shunta Asada・Yuki Yamanashi・Nobuyuki Yoshikawa（Yokohama Natl. Univ.） SCE2019-42 |
We developed a local magnetic flux bias (LFB) technique to i... [more] | SCE2019-42 pp.53-56 |
| MW | 2019-11-14 14:45 |
沖縄 | 南大東村多目的交流センター | K帯GaN電力増幅器の出力整合回路の低損失設計手法とバイアス最適化手法に関する検討 ○鳥居拓真・半谷政毅・稲垣隆二・新庄真太郎（三菱電機） MW2019-104 |
衛星通信向け電力増幅器では高効率な動作と，良好な線形性の両立が求められている．本報告ではK帯衛星通信向けのGaN電力増幅... [more] | MW2019-104 pp.25-28 |
| HWS, VLD (共催) |
2019-02-28 10:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 基板バイアスを活用した単一電源レベルシフタ回路の提案 ○武吉雄貴・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2018-109 HWS2018-72 |
異なる電源電圧を用いることで低消費電力を実現する技術としてマルチVDD設計が存在する。異なる電源電圧領域の間にはレベルシ... [more] | VLD2018-109 HWS2018-72 pp.97-102 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 09:50 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | レプリカセンサを用いたNBTIによる回路特性変動予測に関する検討 ○大島國弘・辺 松・廣本正之・佐藤高史（京大） VLD2018-67 DC2018-53 |
集積回路の主要な信頼性問題である NBTI (Negative bias temperature instability... [more] | VLD2018-67 DC2018-53 pp.195-200 |
| MW | 2018-11-15 10:00 |
長崎 | 福江文化会館 | CRLH線路スタブ高調波制御/バイアス給電共用回路を用いた2GHz帯GaN HEMT F級高出力増幅器 ○小田倫也・齋木研人・田中愼一（芝浦工大） MW2018-92 |
F級増幅器の小型化を図るために、右手/左手系複合(CRLH)線路スタブを用いるF級増幅器を報告してきた。今回、F級高調波... [more] | MW2018-92 pp.1-6 |
| SRW | 2018-08-20 15:25 |
岡山 | 岡山大学 | ［招待講演］IR-UWBを用いた屋内測位とその精度向上について ○李 還幇・三浦 龍・加川敏規・児島史秀（NICT） SRW2018-19 |
筆者らは位置既知の3台以上の固定機とのTime-of-Arrival (TOA)による測距結果から測位対象の移動機の位置... [more] | SRW2018-19 pp.57-62 |
| MWP (第二種研究会) |
2018-08-06 | 島根 | くにびきメッセ（松江市） | Automatic bias control for Mach-Zehnder modulator by Raspberry Pi ○Honda Ryota（AGU）・Atushi Kanno・Naokatsu Yamamoto（NICT）・Hideyuki Sotobayashi（AGU） |
We propose an automatic bias control scheme for lithium-niob... [more] | |
| EE | 2018-01-30 10:00 |
大分 | サテライトキャンパスおおいた (大分市) | マルチフェーズDC/DCコンバータ用統合磁気デバイスの直流重畳特性の測定手法について ○岡本賢吉朗・今岡 淳・庄山正仁（九大） EE2017-66 |
DC/DCコンバータの小型化手法として，回路のマルチフェーズ化とそれにより複数になったインダクタを1つに結合する統合磁気... [more] | EE2017-66 pp.139-144 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-16 09:40 |
東京 | 東京工業大学 | MOSFETのキャラクタライズ結果を用いたバイアス回路の自動設計 ○鈴木研人・高井伸和・菅原誉士紀・大河内一登・吉澤 慧・石井 司・篠田沙樹・福田雅史（群馬大） ICD2016-91 CPSY2016-97 |
アナログ回路は設計の自由度が大きく最適な回路を短時間で設計するのは困難である。アナログ回路において、バイアス回路はトラン... [more] | ICD2016-91 CPSY2016-97 pp.119-122 |
| ICD, CPSY (共催) |
2016-12-16 16:10 |
東京 | 東京工業大学 | 等温点及びバックゲートバイアス制御を用いた広温度領域対応ISFETアレイの解析 ○多木 真・徐 祖楽・河原尊之（東京理科大） ICD2016-99 CPSY2016-105 |
高感度なpHセンサであるISFETは半導体技術の進歩により容易にアレイ化でき，製造，農業，医療，食品，環境などの分野で応... [more] | ICD2016-99 CPSY2016-105 pp.155-160 |
| VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 13:10 |
大阪 | 立命館大学大阪いばらきキャンパス | 薄膜BOX-SOI(SOTB)におけるレベルシフタレス設計の実現性の検討と評価 ○小暮俊輔・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2016-47 DC2016-41 |
レベルシフタは信号の電圧振幅を変換する回路であり、異なる電源電圧領域で信号をやりとりする場合に必要不可欠である。レベルシ... [more] | VLD2016-47 DC2016-41 pp.19-24 |
| SDM | 2016-10-26 15:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-71 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2016-71 pp.15-20 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 14:15 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | SOTBトランジスタの柔軟な閾値制御と低ばらつきが超低電圧動作に与える効果の定量的検証 ○小笠原泰弘（産総研） SDM2016-65 ICD2016-33 |
本論文ではSOTB (Silicon On Thin-Buried oxide) トランジスタの特徴であるバックゲートに... [more] | SDM2016-65 ICD2016-33 pp.111-116 |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-20 09:25 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | 薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth手法の試作と評価 ○井尾翔平・鈴木花乃・中村昌平・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2015-88 CPSY2015-120 RECONF2015-70 |
FD-SOIの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)は、超低電圧で動作し、基板... [more] | VLD2015-88 CPSY2015-120 RECONF2015-70 pp.91-96 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-02 17:10 |
長崎 | 長崎県勤労福祉会館 | 論理回路の極低電力動作を実現する基板バイアス発生回路 ○小出知明・石橋孝一郎（電通大）・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合） CPM2015-134 ICD2015-59 |
近年、トランジスタの微細化が進んだことに伴い動作時の電力増加が課題になっている。本研究では65nmSOTB(Silico... [more] | CPM2015-134 ICD2015-59 pp.39-43 |
| RECONF | 2015-06-20 14:00 |
京都 | 京都大学 | SOTBトランジスタを用いた4つ目のFlex Power FPGAチップを搭載した評価ボードAISTinoについて ○小池汎平・日置雅和・小笠原泰弘（産総研）・石垣隼人・堤 利幸（明大）・中川 格・関川敏弘（産総研） RECONF2015-22 |
Flex Power FPGAは、ボディバイアス技術を利用して、FPGAの各回路ブロックのしきい値電圧をプログラム可能と... [more] | RECONF2015-22 pp.119-124 |
| CPSY, DC (共催) IPSJ-EMB, IPSJ-SLDM (共催) (連催) [詳細] |
2015-03-07 08:55 |
鹿児島 | 奄美市社会福祉協議会 会議室（2F・４F） | CMOSアナログ回路におけるバイアス回路制御方式の改良と性能評価 ○堀 遼平（立命館大）・熊本敏夫（阪産大）・白畑正芳・藤野 毅（立命館大） CPSY2014-175 DC2014-101 |
消費電力の小さいセンサノードデバイスの実現のため，ノーマリオフ（Noff）・コンピューティング技術を活用したデバイス制御... [more] | CPSY2014-175 DC2014-101 pp.77-82 |
| SDM | 2014-10-17 14:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2014-94 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2014-94 pp.61-68 |
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