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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
HIP 2023-10-11
10:25
京都 京都経済センター
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
VR空間における三人称視点が身体イメージに与える影響
二宮 俊佐藤美恵金成 慧宇都宮大HIP2023-69
一人称視点で視認できる自己の身体には限りがあり,それによる偏りも身体イメージに生じている場合が多い.そのため,三人称視点... [more] HIP2023-69
pp.43-46
MSS, CAS, SIP, VLD
(共催)
2020-06-18
14:00
ONLINE オンライン開催 チャネル長変調と基板バイアス制御を用いたレベルシフタレス設計の検討
渡辺達也宇佐美公良芝浦工大CAS2020-8 VLD2020-8 SIP2020-24 MSS2020-8
LSIを低消費電力化する手法の一つにマルチVDD設計がある.この手法では複数の異なる電源電圧を用いることで低消費電力化を... [more] CAS2020-8 VLD2020-8 SIP2020-24 MSS2020-8
pp.41-46
HWS, VLD
(共催)
2019-02-28
10:25
沖縄 沖縄県青年会館 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの実チップによる評価
真崎 諒吉田有佑芝浦工大)・天野英晴慶大)・宇佐美公良芝浦工大VLD2018-108 HWS2018-71
近年、IoTデバイスが急速に増加している。IoTデバイスの1つであるセンサーノードや小型医療デバイス等、必ずしも高い演算... [more] VLD2018-108 HWS2018-71
pp.91-96
HWS, VLD
(共催)
2019-02-28
10:50
沖縄 沖縄県青年会館 基板バイアスを活用した単一電源レベルシフタ回路の提案
武吉雄貴宇佐美公良芝浦工大VLD2018-109 HWS2018-72
異なる電源電圧を用いることで低消費電力を実現する技術としてマルチVDD設計が存在する。異なる電源電圧領域の間にはレベルシ... [more] VLD2018-109 HWS2018-72
pp.97-102
HWS, ISEC, SITE, ICSS, EMM
(共催)
IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT
(共催)
(連催) [詳細]
2018-07-26
14:10
北海道 札幌コンベンションセンター Compensation of Temperature Induced Flipping-Bits in CMOS SRAM PUF by NMOS Body-Bias
Xuanhao ZhangXiang ChenHanfeng SunHirofumi ShinoharaWaseda Univ.ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40
PUF suffers from flipping-bits caused by temperature changes... [more] ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40
pp.333-336
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2017-11-06
14:55
熊本 くまもと県民交流館パレア 動的マルチボディバイアス制御を用いたデジタルメモリのリークエネルギー削減
吉田有佑宇佐美公良芝浦工大VLD2017-33 DC2017-39
オンチップメモリはマイクロプロセッサの主要な構成要素であり、消費エネルギーに大きな影響を与える。本稿では、二アスレッショ... [more] VLD2017-33 DC2017-39
pp.37-42
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-28
13:10
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス 薄膜BOX-SOI(SOTB)におけるレベルシフタレス設計の実現性の検討と評価
小暮俊輔宇佐美公良芝浦工大VLD2016-47 DC2016-41
レベルシフタは信号の電圧振幅を変換する回路であり、異なる電源電圧領域で信号をやりとりする場合に必要不可欠である。レベルシ... [more] VLD2016-47 DC2016-41
pp.19-24
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-29
09:00
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス制御による低消費電力スタンダードセルメモリの設計と実装
吉田有佑宇佐美公良芝浦工大VLD2016-53 DC2016-47
スタンダードセルメモリ(Standard Cell Memory : SCM)はSRAMに代わる低電圧動作可能な組み込み... [more] VLD2016-53 DC2016-47
pp.55-60
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-29
09:25
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス 超低消費電力再構成可能アクセラレータCC-SOTB2の実装と評価
増山滉一朗安藤尚輝松下悠亮奥原 颯天野英晴慶大VLD2016-54 DC2016-48
Cool mega array(CMA)は,近年のウェアラブル機器やIoTに搭載するためのチップとしてsilicon o... [more] VLD2016-54 DC2016-48
pp.61-66
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
14:15
大阪 中央電気倶楽部 SOTBトランジスタの柔軟な閾値制御と低ばらつきが超低電圧動作に与える効果の定量的検証
小笠原泰弘産総研SDM2016-65 ICD2016-33
本論文ではSOTB (Silicon On Thin-Buried oxide) トランジスタの特徴であるバックゲートに... [more] SDM2016-65 ICD2016-33
pp.111-116
VLD 2016-03-01
16:40
沖縄 沖縄県青年会館 薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth設計の基板電圧最適化手法
鈴木花乃宇佐美公良芝浦工大VLD2015-129
FD-SOIの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)は、超低電圧で動作し、基板... [more] VLD2015-129
pp.105-110
VLD 2016-03-01
17:05
沖縄 沖縄県青年会館 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの検討
吉田有佑工藤 優宇佐美公良芝浦工大VLD2015-130
近年、環境発電やセンサーノードが注目され、低消費電力、超低電圧で動作可能なメモリが求められている。しかし、従来のSRAM... [more] VLD2015-130
pp.111-116
VLD, CPSY, RECONF
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2016-01-20
09:25
神奈川 慶應義塾大学 日吉キャンパス 薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth手法の試作と評価
井尾翔平鈴木花乃中村昌平宇佐美公良芝浦工大VLD2015-88 CPSY2015-120 RECONF2015-70
FD-SOIの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)は、超低電圧で動作し、基板... [more] VLD2015-88 CPSY2015-120 RECONF2015-70
pp.91-96
VLD, CPSY, RECONF
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2016-01-21
10:55
神奈川 慶應義塾大学 日吉キャンパス SOTBを用いたボディバイアス制御によるTLBの省電力化
川瀬大樹奥原 颯天野英晴慶大VLD2015-102 CPSY2015-134 RECONF2015-84
極薄の酸化膜層を利用した FD-SOI デバイスである SOTB(Silicon on thin buried oxid... [more] VLD2015-102 CPSY2015-134 RECONF2015-84
pp.191-196
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2015-12-02
17:10
長崎 長崎県勤労福祉会館 論理回路の極低電力動作を実現する基板バイアス発生回路
小出知明石橋孝一郎電通大)・杉井信之超低電圧デバイス技研組合CPM2015-134 ICD2015-59
近年、トランジスタの微細化が進んだことに伴い動作時の電力増加が課題になっている。本研究では65nmSOTB(Silico... [more] CPM2015-134 ICD2015-59
pp.39-43
RECONF 2015-06-20
14:00
京都 京都大学 SOTBトランジスタを用いた4つ目のFlex Power FPGAチップを搭載した評価ボードAISTinoについて
小池汎平日置雅和小笠原泰弘産総研)・石垣隼人堤 利幸明大)・中川 格関川敏弘産総研RECONF2015-22
Flex Power FPGAは、ボディバイアス技術を利用して、FPGAの各回路ブロックのしきい値電圧をプログラム可能と... [more] RECONF2015-22
pp.119-124
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-EMB, IPSJ-SLDM
(共催)
(連催) [詳細]
2015-03-07
08:30
鹿児島 奄美市社会福祉協議会 会議室(2F・4F) 低電力リコンフィギャラブルアクセラレータCMA-SOTBの電力最適化
藤田 悠奥原 颯増山滉一朗天野英晴慶大CPSY2014-174 DC2014-100
バッテリー駆動の低消費電力高効率処理のデバイスとしてLEAPによって開発され
たSOTB(Silicon-on-Thi... [more]
CPSY2014-174 DC2014-100
pp.71-76
RECONF, CPSY, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM
(連催) [詳細]
2015-01-29
17:00
神奈川 慶應義塾大学 日吉キャンパス 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討
小坂 翼中村昌平宇佐美公良芝浦工大VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60
微細化による性能向上はリーク電流の指数関数的な増加による消費電力の増大とプロセスばらつきにより阻まれている。これらを解決... [more] VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60
pp.99-104
SDM 2014-11-07
11:15
東京 機械振興会館 モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出
土屋英昭石田良馬神戸大)・鎌倉良成森 伸也阪大)・宇野重康立命館大)・小川真人神戸大SDM2014-105
本稿では、モンテカルロシミュレーションを用いてSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数を抽出し、物理的... [more] SDM2014-105
pp.53-58
RECONF 2014-06-12
11:40
宮城 片平さくらホール 低電力リコンフィギャラブルアクセラレータCMA-SOTBのボディバイアス制御
藤田 悠蘇 洪亮天野英晴慶大RECONF2014-8
バッテリー駆動の低消費電力高効率処理のデバイスとしてシリコンの Thin... [more] RECONF2014-8
pp.37-42
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