研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
HIP |
2023-10-11 10:25 |
京都 |
京都経済センター (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
VR空間における三人称視点が身体イメージに与える影響 ○二宮 俊・佐藤美恵・金成 慧(宇都宮大) HIP2023-69 |
一人称視点で視認できる自己の身体には限りがあり,それによる偏りも身体イメージに生じている場合が多い.そのため,三人称視点... [more] |
HIP2023-69 pp.43-46 |
MSS, CAS, SIP, VLD (共催) |
2020-06-18 14:00 |
ONLINE |
オンライン開催 |
チャネル長変調と基板バイアス制御を用いたレベルシフタレス設計の検討 ○渡辺達也・宇佐美公良(芝浦工大) CAS2020-8 VLD2020-8 SIP2020-24 MSS2020-8 |
LSIを低消費電力化する手法の一つにマルチVDD設計がある.この手法では複数の異なる電源電圧を用いることで低消費電力化を... [more] |
CAS2020-8 VLD2020-8 SIP2020-24 MSS2020-8 pp.41-46 |
HWS, VLD (共催) |
2019-02-28 10:25 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 |
薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの実チップによる評価 ○真崎 諒・吉田有佑(芝浦工大)・天野英晴(慶大)・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2018-108 HWS2018-71 |
近年、IoTデバイスが急速に増加している。IoTデバイスの1つであるセンサーノードや小型医療デバイス等、必ずしも高い演算... [more] |
VLD2018-108 HWS2018-71 pp.91-96 |
HWS, VLD (共催) |
2019-02-28 10:50 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 |
基板バイアスを活用した単一電源レベルシフタ回路の提案 ○武吉雄貴・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2018-109 HWS2018-72 |
異なる電源電圧を用いることで低消費電力を実現する技術としてマルチVDD設計が存在する。異なる電源電圧領域の間にはレベルシ... [more] |
VLD2018-109 HWS2018-72 pp.97-102 |
HWS, ISEC, SITE, ICSS, EMM (共催) IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT (共催) (連催) [詳細] |
2018-07-26 14:10 |
北海道 |
札幌コンベンションセンター |
Compensation of Temperature Induced Flipping-Bits in CMOS SRAM PUF by NMOS Body-Bias ○Xuanhao Zhang・Xiang Chen・Hanfeng Sun・Hirofumi Shinohara(Waseda Univ.) ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40 |
PUF suffers from flipping-bits caused by temperature changes... [more] |
ISEC2018-41 SITE2018-33 HWS2018-38 ICSS2018-44 EMM2018-40 pp.333-336 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2017-11-06 14:55 |
熊本 |
くまもと県民交流館パレア |
動的マルチボディバイアス制御を用いたデジタルメモリのリークエネルギー削減 ○吉田有佑・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2017-33 DC2017-39 |
オンチップメモリはマイクロプロセッサの主要な構成要素であり、消費エネルギーに大きな影響を与える。本稿では、二アスレッショ... [more] |
VLD2017-33 DC2017-39 pp.37-42 |
VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-28 13:10 |
大阪 |
立命館大学大阪いばらきキャンパス |
薄膜BOX-SOI(SOTB)におけるレベルシフタレス設計の実現性の検討と評価 ○小暮俊輔・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2016-47 DC2016-41 |
レベルシフタは信号の電圧振幅を変換する回路であり、異なる電源電圧領域で信号をやりとりする場合に必要不可欠である。レベルシ... [more] |
VLD2016-47 DC2016-41 pp.19-24 |
VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 09:00 |
大阪 |
立命館大学大阪いばらきキャンパス |
薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス制御による低消費電力スタンダードセルメモリの設計と実装 ○吉田有佑・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2016-53 DC2016-47 |
スタンダードセルメモリ(Standard Cell Memory : SCM)はSRAMに代わる低電圧動作可能な組み込み... [more] |
VLD2016-53 DC2016-47 pp.55-60 |
VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 09:25 |
大阪 |
立命館大学大阪いばらきキャンパス |
超低消費電力再構成可能アクセラレータCC-SOTB2の実装と評価 ○増山滉一朗・安藤尚輝・松下悠亮・奥原 颯・天野英晴(慶大) VLD2016-54 DC2016-48 |
Cool mega array(CMA)は,近年のウェアラブル機器やIoTに搭載するためのチップとしてsilicon o... [more] |
VLD2016-54 DC2016-48 pp.61-66 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 14:15 |
大阪 |
中央電気倶楽部 |
SOTBトランジスタの柔軟な閾値制御と低ばらつきが超低電圧動作に与える効果の定量的検証 ○小笠原泰弘(産総研) SDM2016-65 ICD2016-33 |
本論文ではSOTB (Silicon On Thin-Buried oxide) トランジスタの特徴であるバックゲートに... [more] |
SDM2016-65 ICD2016-33 pp.111-116 |
VLD |
2016-03-01 16:40 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 |
薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth設計の基板電圧最適化手法 ○鈴木花乃・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2015-129 |
FD-SOIの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)は、超低電圧で動作し、基板... [more] |
VLD2015-129 pp.105-110 |
VLD |
2016-03-01 17:05 |
沖縄 |
沖縄県青年会館 |
薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの検討 ○吉田有佑・工藤 優・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2015-130 |
近年、環境発電やセンサーノードが注目され、低消費電力、超低電圧で動作可能なメモリが求められている。しかし、従来のSRAM... [more] |
VLD2015-130 pp.111-116 |
VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-20 09:25 |
神奈川 |
慶應義塾大学 日吉キャンパス |
薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth手法の試作と評価 ○井尾翔平・鈴木花乃・中村昌平・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2015-88 CPSY2015-120 RECONF2015-70 |
FD-SOIの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)は、超低電圧で動作し、基板... [more] |
VLD2015-88 CPSY2015-120 RECONF2015-70 pp.91-96 |
VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-21 10:55 |
神奈川 |
慶應義塾大学 日吉キャンパス |
SOTBを用いたボディバイアス制御によるTLBの省電力化 ○川瀬大樹・奥原 颯・天野英晴(慶大) VLD2015-102 CPSY2015-134 RECONF2015-84 |
極薄の酸化膜層を利用した FD-SOI デバイスである SOTB(Silicon on thin buried oxid... [more] |
VLD2015-102 CPSY2015-134 RECONF2015-84 pp.191-196 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-02 17:10 |
長崎 |
長崎県勤労福祉会館 |
論理回路の極低電力動作を実現する基板バイアス発生回路 ○小出知明・石橋孝一郎(電通大)・杉井信之(超低電圧デバイス技研組合) CPM2015-134 ICD2015-59 |
近年、トランジスタの微細化が進んだことに伴い動作時の電力増加が課題になっている。本研究では65nmSOTB(Silico... [more] |
CPM2015-134 ICD2015-59 pp.39-43 |
RECONF |
2015-06-20 14:00 |
京都 |
京都大学 |
SOTBトランジスタを用いた4つ目のFlex Power FPGAチップを搭載した評価ボードAISTinoについて ○小池汎平・日置雅和・小笠原泰弘(産総研)・石垣隼人・堤 利幸(明大)・中川 格・関川敏弘(産総研) RECONF2015-22 |
Flex Power FPGAは、ボディバイアス技術を利用して、FPGAの各回路ブロックのしきい値電圧をプログラム可能と... [more] |
RECONF2015-22 pp.119-124 |
CPSY, DC (共催) IPSJ-EMB, IPSJ-SLDM (共催) (連催) [詳細] |
2015-03-07 08:30 |
鹿児島 |
奄美市社会福祉協議会 会議室(2F・4F) |
低電力リコンフィギャラブルアクセラレータCMA-SOTBの電力最適化 ○藤田 悠・奥原 颯・増山滉一朗・天野英晴(慶大) CPSY2014-174 DC2014-100 |
バッテリー駆動の低消費電力高効率処理のデバイスとしてLEAPによって開発され
たSOTB(Silicon-on-Thi... [more] |
CPSY2014-174 DC2014-100 pp.71-76 |
RECONF, CPSY, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2015-01-29 17:00 |
神奈川 |
慶應義塾大学 日吉キャンパス |
薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討 ○小坂 翼・中村昌平・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 |
微細化による性能向上はリーク電流の指数関数的な増加による消費電力の増大とプロセスばらつきにより阻まれている。これらを解決... [more] |
VLD2014-127 CPSY2014-136 RECONF2014-60 pp.99-104 |
SDM |
2014-11-07 11:15 |
東京 |
機械振興会館 |
モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出 ○土屋英昭・石田良馬(神戸大)・鎌倉良成・森 伸也(阪大)・宇野重康(立命館大)・小川真人(神戸大) SDM2014-105 |
本稿では、モンテカルロシミュレーションを用いてSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数を抽出し、物理的... [more] |
SDM2014-105 pp.53-58 |
RECONF |
2014-06-12 11:40 |
宮城 |
片平さくらホール |
低電力リコンフィギャラブルアクセラレータCMA-SOTBのボディバイアス制御 ○藤田 悠・蘇 洪亮・天野英晴(慶大) RECONF2014-8 |
バッテリー駆動の低消費電力高効率処理のデバイスとしてシリコンの Thin... [more] |
RECONF2014-8 pp.37-42 |