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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-11-10 14:40 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaNの高電界物性の精密評価 ～ 衝突イオン化係数と絶縁破壊電界 ～ ○前田拓也（東大）  SDM2023-72 |
パワーデバイスの耐圧シミュレーションや安全動作領域の予測には，正確な物性値を用いたデバイスシミュレーションが必要不可欠で... [more] | SDM2023-72 pp.41-46 |
| HWS | 2023-04-15 10:45 |
大分 | 湯布院公民館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
胎動回路のPUF応用 ○成瀬厚太郎・上田貴之・塩見 準・御堂義博・三浦典之（阪大） HWS2023-12 |
本論文では, コンピュータを動作させるための未開拓のエネルギー場として, 半導体製造工程で利用される高エネルギーのプラ... [more] | HWS2023-12 pp.49-50 |
| CNR, BioX (共催) |
2023-03-01 10:00 |
大分 | 別府国際コンベンションセンター 小会議室31 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
雑談対話システムにおける言い訳を用いた対話破綻回避手法の提案と評価 ○小笠原隆晴・古谷優樹・高汐一紀（慶大） BioX2022-63 CNR2022-29 |
対話システムとの自然な対話を実現するには，対話破綻を解消する必要がある．しかし，対話破綻を検出する研究は多く行われており... [more] | BioX2022-63 CNR2022-29 pp.7-12 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 14:55 |
ONLINE | オンライン開催 | AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET ○井上暁喜・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 |
本研究では、AlNおよび四元混晶AlGaInNバリア層を備えたAl0.36Ga0.64Nチャネルヘテロ電界効果トランジス... [more] | ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 pp.79-82 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 11:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ～ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ～ ○トープラサートポン カシディット・田原建人（東大）・彦坂幸信・中村 亘・齋藤 仁（富士通セミコンダクターメモリソリューション）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2021-38 ICD2021-9 |
本研究は、厚さ2.8～9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] | SDM2021-38 ICD2021-9 pp.42-47 |
| EMD, R (共催) |
2021-02-12 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］電子デバイスに対する信頼性物理の諸課題 ～ 物理的に解明が必要な故障メカニズム ～ ○門田 靖（リコー） R2020-37 EMD2020-28 |
半導体デバイスをはじめ電子デバイスの多くは，市場の様々な分野・用途で使われている．現在市場で発生している電子デバイスの故... [more] | R2020-37 EMD2020-28 pp.19-24 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 13:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET ○井上暁喜・原田紘希・山中瑞樹・江川孝志・三好実人（名工大） ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58 |
四元混晶AlGaInNバリア層と選択的に再成長したn+-GaNコンタクト層を採用したAl0.19Ga0.81NチャネルM... [more] | ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58 pp.25-28 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究 ○神谷俊佑・西谷高至・松田 悠・高野 望・ジョエル タクラ アスバル・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大） ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 |
窒化ガリウム(GaN)は高い破壊電界強度を持っており、シリコン(Si)に代わるパワーデバイスの材料となることが期待されて... [more] | ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 pp.45-48 |
| SDM | 2020-10-22 10:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発 ○齊藤宏河・吉田彩乃・黒田理人（東北大）・柴田 寛・柴口 拓・栗山尚也（ラピスセミコンダクタ宮城）・須川成利（東北大） SDM2020-15 |
本稿では高容量密度・高絶縁破壊耐圧を両立したSiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタについて報告する. 開発したキャパシタは,... [more] | SDM2020-15 pp.7-11 |
| SSS | 2019-09-24 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | レーザ焼結によるAM造形物の絶縁破壊特性の解析 ○新井宏章・山内友貴・上野武司（都立産技研センター） SSS2019-17 |
AM（3Dプリンタ）は複雑形状の部品を容易に設計・試作可能であり，様々な分野で活用されている．近年，試作だけでなく実用部... [more] | SSS2019-17 pp.1-4 |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2019-08-22 16:00 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム（M153) | ［招待講演］SiC/GaNパワー・RFデバイス・イメージセンサにおける再活用を見据えた厚膜絶縁膜TDDB寿命統計の再考察 ○岡田健治（パナソニック・タワージャズセミコンダクター） R2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30 |
注目を集めるSiC, GaNパワーデバイスで使用されるゲート絶縁膜やRF/MMIC、イメージセンサにおけるMIM容量絶縁... [more] | R2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30 pp.29-34 |
| AI | 2019-07-22 14:00 |
北海道 | 函館コミュニティプラザ Gスクエア | 自然言語による交渉対話における論点の重みと成否の自動推定 ○山口篤季（東京農工大）・岩佐幸翠（ディー・エヌ・エー）・藤田桂英（東京農工大） AI2019-9 |
本稿では，自然言語による二者間交渉の対話履歴における，論点の重要度と交渉成否の自動推定タスクについて紹介し，機械学習モデ... [more] | AI2019-9 pp.45-50 |
| WPT, MW (共催) |
2019-04-22 16:30 |
東京 | 機械振興会館 | 5.8GHzにおけるブリッジ形整流器の整流効率の限界値 ○伊東健治・岸本大輝（金沢工大） WPT2019-9 MW2019-9 |
無線電力伝送の広範な普及を図るためには，整流器の高効率化や大電力化が課題である.過去，Si， GaAs，GaN 等の... [more] | WPT2019-9 MW2019-9 pp.45-50 |
| SDM | 2018-06-25 16:15 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-25 |
HfO2系強誘電体薄膜は従来の強誘電体酸化物材料にない多くの優れた特性を備えており、LSI用の次世代メモリ材料として様々... [more] | SDM2018-25 pp.43-46 |
| WPT (第二種研究会) |
2017-12-09 - 2017-12-11 |
海外 | シンガポール国立大学 | Novel Extended Non-Breakdown Rectifier Topologies for Power-Optimized Waveform based Wireless Power Transfer Systems ○Hao Zhang（NUST）・Zheng Zhong・Yong-Xin Guo（NUS）・Wen Wu（NUST） |
This paper presents two novel extended non-breakdown rectifi... [more] | |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 12:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 ○グェンスァン チュン（名大）・田岡紀之（産総研）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 |
SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から8... [more] | ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 pp.61-64 |
| SDM | 2017-11-09 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 ○酒井 敦・永久克己（ルネサス エレクトロニクス）・藤井宏基・森 隆弘（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・秋山 豊・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-63 |
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため，信... [more] | SDM2017-63 pp.11-14 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 16:10 |
京都 | 京大桂キャンパス | AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 ○鈴木雄大・山崎泰誠・牧野伸哉・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 |
本研究では、パワー回路への応用を目的として開発したアンペア級のAlGaN/GaN HEMTの高耐圧化と低損失化について検... [more] | ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 pp.35-39 |
| HCGSYMPO (第二種研究会) |
2016-12-07 - 2016-12-09 |
高知 | 高知市文化プラザかるぽーと | インタラクティブコンテンツ利用モデルによる口頭説明場面の抽出 ○浜 信彦・天早健太・杉原慶哉・中道 上（福山大）・渡辺恵太（DNP情報システム）・森田翔太（福山大） |
インタラクティブコンテンツ利用時には説明者による口頭説明が必要な場面がある．口頭説明の代わりとなる適切な説明画面によって... [more] | |
| SDM | 2016-06-29 13:30 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス ○角嶋邦之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大） SDM2016-38 |
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] | SDM2016-38 pp.33-36 |
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