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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2015-08-11 11:20 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | Radical-Enhanced ALD法によって形成したAlジャーマネイト/Ge界面とその近傍の欠陥評価 ○成田英史（弘前大）・山田大地・福田幸夫（諏訪東京理科大）・鹿糠洋介・岡本 浩（弘前大）  CPM2015-44 |
次世代のC-MOSデバイスの候補としてGe-MIS構造が注目されているが、界面の品質向上が課題とされている。われわれはこ... [more] | CPM2015-44 pp.67-70 |
| SDM | 2015-06-19 09:50 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価 ○徳田 豊（愛知工大） SDM2015-39 |
トラップからのキャリア放出による空乏層容量過渡応答に基づく容量過渡分光法を用いて、MOCVD n-GaNのトラップ評価を... [more] | SDM2015-39 pp.5-10 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 13:20 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位 ○中根浩貴・加藤正史・市村正也（名工大） ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36 |
超高耐圧SiCバイポーラデバイスの実現にはキャリアライフタイムの制御が必要とされ、深い準位の理解が必要不可欠である。p型... [more] | ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36 pp.101-104 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 14:20 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 ○竹内和歌奈・田岡紀之・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39 |
Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Tra... [more] | ED2014-41 CPM2014-24 SDM2014-39 pp.113-118 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 13:55 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み ○中根浩貴・加藤正史・市村正也（名工大）・大島 武（原子力機構） ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 |
SiCデバイスの性能向上には、キャリアライフタイムの制御方法の確立が必要である。そのためには深い準位の物理的起源の理解が... [more] | ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24 pp.7-12 |
| SDM | 2012-12-07 14:00 |
京都 | 京都大学(桂) | ナノスケールウエットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析 ○村井剛太・奥谷真士・田川修治・吉本昌広（京都工繊大）・Woo Sik Yoo（WaferMasters） SDM2012-127 |
ナノスケールでウエットエッチングした試料のホトルミネセンス(PL)を低温と室温で観測することによって，極浅接合の欠陥の深... [more] | SDM2012-127 pp.71-76 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 11:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 ○吉原一輝・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 |
SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至ってい... [more] | ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 pp.67-72 |
| CPM | 2011-08-10 13:25 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | In(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入／放出特性のDLTS評価 ○鈴木聡一郎・佐藤真哉・岩崎拓郎（弘前大）・俵 毅彦・舘野功太・後藤秀樹・寒川哲臣（NTT）・岡本 浩（弘前大） CPM2011-57 |
Biをサーファクタントとした独自の成長方法によって成長したGaAsP歪補償層を有する10層量子ドットを対象とし、DLTS... [more] | CPM2011-57 pp.7-10 |
| CPM | 2011-08-10 17:00 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造のDLTSとC-t測定による評価 ○佐藤真哉・岩崎拓郎・鈴木聡一郎・小野俊郎（弘前大）・福田幸夫（諏訪東京理科大）・岡本 浩（弘前大） CPM2011-65 |
近年Geを用いたMIS構造が次世代のデバイス候補として注目を集めているが、界面の品質向上が課題となっている。これまでに我... [more] | CPM2011-65 pp.47-50 |
| SDM | 2010-12-17 15:45 |
京都 | 京都大学(桂) | ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価 ○奥谷真士・高島周平・吉本昌広（京都工繊大）・Woo Sik Yoo（WaferMasters） SDM2010-198 |
ホトルミネセンス(PL)法を活用して，極浅接合の再結晶化に関する新しい知見を得た．イオン注入層の再結晶化に伴う10 oh... [more] | SDM2010-198 pp.73-78 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Characterization of deep electron levels of AlGaN grown by MOVPE ○Kimihito Ooyama（Hokkaido Univ./SMM）・Katsuya Sugawara（Hokkaido Univ.）・Hiroyuki Taketomi・Hideto Miyake・Kazumasa Hiramatsu（Mie Univ.）・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ./JST） ED2010-107 SDM2010-108 |
[more] | ED2010-107 SDM2010-108 pp.249-252 |
| SDM | 2009-06-19 13:40 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上 ○今庄秀人・Hyun Lee・Dong-Hun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則（阪大） SDM2009-34 |
我々はGe表面へのF2処理により界面のダングリングボンドを終端することで電気的特性が改善されることを報告したが，ゲート絶... [more] | SDM2009-34 pp.45-50 |
| SDM | 2008-12-05 16:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | F2表面処理したHfO2/Ge MIS構造の電気的特性評価 ○今庄秀人・Hyun Lee・吉岡祐一・金島 岳・奥山雅則（阪大） SDM2008-195 |
High-k/Ge MIS構造は次世代高移動度FETのゲート構造として注目されている．しかし、C-V特性，リーク電流など... [more] | SDM2008-195 pp.59-64 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 15:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 電流DLTS法を用いたundoped 6H-SiC中の深い準位の評価 ○鬼頭孝輔・加藤正史・市村正也（名工大） ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41 |
本研究では2種類の高抵抗6H-SiCバルクウェハに対し,抵抗率上昇機構解明の電気的測定手法として,電流-電圧測定、容量-... [more] | ED2008-21 CPM2008-29 SDM2008-41 pp.101-106 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 13:50 |
福井 | 福井大学 | ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価 ○徳田 豊・松岡陽一・妹尾 武（愛知工大）・上田博之・石黒 修・副島成雅・加地 徹（豊田中研） ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74 |
自立GaN基板上にMOCVD成長により作成したpnダイオードの電気特性の評価を行った。n+基板上にn層(10 μm, S... [more] | ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74 pp.85-88 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 15:30 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | Characterization of plasma etching effects on p-type GaN by capacitance measurements of Schottky diodes ○Masashi Kato・Kazuki Mikamo・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.）・Masakazu Kanechika・Osamu Ishiguro・Tetsu Kachi（Toyota Central R&D Labs.） |
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり，GaNの大電力素子を作製する上でp型層の形成とエッチングプ... [more] | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2007-05-25 11:20 |
静岡 | 静岡大学 浜松キャンパス | ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価 ○加藤正史・三鴨一輝・市村正也（名工大）・兼近将一・石黒 修・加地 徹（豊田中研） |
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり、GaNの大電力素子を作製する上でエッチングプロセスは必要不... [more] | |
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