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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 14:00 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaAs半導体プロセスにおけるウエハ反りの低減 ○西澤弘一郎（三菱電機）・松本 歩・福室直樹（兵庫県立大）・中川康幸・日坂隆行・佐久間 仁・小島善樹（三菱電機）・八重真治（兵庫県立大）  ED2023-65 MW2023-157 |
GaAs半導体裏面電極に用いられるNi-Pめっき膜はストレスが高く、ウエハ反りの要因となっている。200℃以上の熱処理で... [more] | ED2023-65 MW2023-157 pp.1-3 |
| AP, MW (併催) |
2022-09-14 15:15 |
愛媛 | 愛媛県美術館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
樹脂粉末床溶融結合とめっきによるアンテナ付き28GHz帯ダウンコンバータモジュールの開発 ○小林隆一・藤原康平・渡部雄太・桑原聡士・竹村昌太・滝沢耕平（都立産技研センター） MW2022-68 |
ポリアミド12を使用した樹脂粉末床溶融結合を用いて、標準利得ホーンアンテナを一体化したダウンコンバータ筐体を作製した。筐... [more] | MW2022-68 pp.1-6 |
| SDM | 2020-02-07 10:45 |
東京 | 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室（419号室) | ［招待講演］Role of electroless-Ni plating in high-aspect-ratio TSV fabrication for 3D integration and packaging ○Murugesan Mariappan・Takafumi Fukushima（Tohoku Univ.） SDM2019-91 |
[more] | SDM2019-91 pp.15-19 |
| SDM | 2020-02-07 14:20 |
東京 | 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室（419号室) | ［招待講演］真空紫外光を用いた印刷・めっきによる配線技術 ○三成剛生・李 万里・孫 晴晴・李 玲頴（物質・材料研究機構）・リュウ シューイン（鄭州大）・金原正幸（C-INK） SDM2019-94 |
高精細なプリンテッドエレクトロニクス技術と、選択的無電解めっき技術を紹介します。 [more] | SDM2019-94 pp.27-30 |
| OME | 2019-12-20 13:00 |
佐賀 | アバンセ（佐賀市：佐賀駅徒歩10分） | 無電解金めっきナノギャップ電極を用いた炭素架橋オリゴフェニレンビニレン6単一分子の単電子トランジスタ ○入江力也・Chun Ouyang・居藤悠馬・Phan Trong Tue（東工大）・辻 勇人（神奈川大）・中村栄一（東大）・真島 豊（東工大） OME2019-37 |
分子デバイスは50年以上に亘り研究されてきたが、単一分子への電気接続を可能とする微細加工技術の難しさ等により実用化には至... [more] | OME2019-37 pp.9-12 |
| R | 2016-06-17 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | 無電解ニッケルめっきの製造条件による皮膜形態とその硬化挙動 ○水内理映子・久里裕二・小谷和也（東芝） R2016-12 |
無電解ニッケルめっきは、耐食性に優れる、複雑形状への適用が容易、他の硬質めっきと比較しコストが低い等の理由から、工業的に... [more] | R2016-12 pp.19-24 |
| ICD, CPSY (共催) |
2015-12-17 16:00 |
京都 | 京都工芸繊維大学 | ［ポスター講演］高感度細菌カウンティングに向けた1.2μm x 2.05μm金メッキ電極アレイと電流積算回路を用いたCMOS電流検出センサ ○蒲 晃平（名大）・新津葵一（名大/JST）・中里和郎（名大） ICD2015-78 CPSY2015-91 |
近年ポイントオブケア診断を可能にするため、だれでもどこでも使える細菌カウントセンサの開発が求められている。本研究は、CM... [more] | ICD2015-78 CPSY2015-91 pp.55-60 |
| OME | 2013-12-17 17:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］燃料電池パーツ材料の評価と電気化学測定 ○野田和彦・廣畑洋平・鈴木良治・伊藤航平・八木雄太（芝浦工大） OME2013-85 |
固体高分子形燃料電池（PEFC)の構成材料を評価するために、電気化学測定を中心とする評価手法を適用した。固体高分子膜内の... [more] | OME2013-85 pp.35-38 |
| SDM | 2012-03-05 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | 3次元実装TSVへのコンフォーマル無電解バリアメタルの形成 ○有馬良平・三宅浩志・井上史大・清水智弘・新宮原正三（関西大） SDM2011-182 |
貴金属ナノ粒子を触媒として用いた無電解めっき法による，TSVへのバリアメタルのコンフォーマル堆積について検討を行った．無... [more] | SDM2011-182 pp.37-40 |
| ED | 2009-07-31 11:15 |
大阪 | 大阪大学（銀杏会館） | Si貫通ビアへの応用に向けた無電解めっき技術の研究 ○井上史大・横山 巧（関西大）・山本和広・田中秀吉（NICT）・新宮原正三（関西大） ED2009-111 |
半導体メモリ等の大容量化にはシリコン基板を積層し、チップ間を貫通電極(TSV)で接続する三次元実装が不可欠な技術となって... [more] | ED2009-111 pp.47-50 |
| CPM, ICD (共催) |
2008-01-18 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | 無電解めっき法による超微細電極接続法 ○横島時彦・山地泰弘・田村祐一郎・菊地克弥・仲川 博・青柳昌宏（産総研） CPM2007-147 ICD2007-158 |
現行のフリップチップ接続は，接続時に加圧や加熱により固相接続を行うため，チップへのダメージが懸念されている．さらに本手法... [more] | CPM2007-147 ICD2007-158 pp.111-116 |
| ICD, CPM (共催) |
2005-09-09 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | PKG基板高接続信頼性を表面処理技術の開発 ○塚田輝代隆（イビデン） |
本稿は,PKG用の基板に開発した表面処理技術,特に無電解Ni/Pd/Auの特徴,これまでの検討結果,および応用について述... [more] | CPM2005-100 ICD2005-110 pp.23-27 |
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