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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-01-31 15:50 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング ○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔 信義・竹中 充・中根了昌（東大）  SDM2023-80 |
高いエネルギー効率をもつエッジAI計算への応用に向けて、強誘電体HfZrO2/Si FeFETを用いた物理リザバーコンピ... [more] | SDM2023-80 pp.24-27 |
| ICD | 2023-04-10 13:20 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］音声認識に向けた新方式HZO/Si FeFETリザバーコンピューティング ○名幸瑛心・トープラサートポン カシディット・中根了昌・竹中 充・高木信一（東大） ICD2023-4 |
我々はHZO/Si強誘電体ゲートFET(FeFET)を用いたリザバーコンピューティング(RC)を検証してきた．FeFET... [more] | ICD2023-4 p.9 |
| SDM | 2022-10-19 17:20 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2022-63 |
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] | SDM2022-63 pp.38-42 |
| SDM | 2022-01-31 14:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明 ○市原玲華（キオクシア） SDM2021-70 |
HfO2-FeFETで生じる様々な種類のチャージトラップのサイクル過程における挙動を、高速電流計測に基づく荷電中心解析に... [more] | SDM2021-70 pp.9-11 |
| SDM | 2021-11-11 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待 ○高木信一・トープラサートポン カシディット・羅 璇・名幸瑛心・王 澤宇・李 宗恩・田原建人・竹中 充・中根了昌（東大） SDM2021-55 |
2011年に、HfO2系絶縁膜において強誘電性が発見されて以来、HfO2系薄膜をゲート絶縁膜に用いたFeFETは、極めて... [more] | SDM2021-55 pp.13-18 |
| SDM | 2021-10-21 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2021-47 |
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] | SDM2021-47 pp.12-15 |
| SDM | 2021-06-22 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ［記念講演］Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ～ MOS（MFS）界面で起こる現象 ～ ○トープラサートポン カシディット・李 宗恩・林 早阳・田原建人・渡辺耕坪・竹中 充・高木信一（東大） SDM2021-23 |
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] | SDM2021-23 pp.7-12 |
| SDM | 2021-01-28 13:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］自発分極とトラップ電荷の分離抽出に基づく強誘電HfO2-FeFETにおけるVthウインドウ及び信頼性決定要因の解析 ○市原玲華（キオクシア） SDM2020-49 |
HfO2-FeFETでは，自発分極の反転に加え，その効果を相殺する極性の電荷トラップがHfO2/SiO2界面近傍に生じる... [more] | SDM2020-49 pp.1-2 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 16:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ ○福井智貴・中川滉貴・木村 睦（龍谷大） EID2020-14 SDM2020-48 |
本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)₄Ti₃O... [more] | EID2020-14 SDM2020-48 pp.54-57 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2020-08-06 10:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響 ○トープラサートポン カシディット・林 早阳・李 宗恩・竹中 充・高木信一（東大） SDM2020-2 ICD2020-2 |
強誘電体をMOSFETのゲート絶縁膜とした強誘電体FETは従来のMOSFETとは異なり，強誘電体/半導体界面における強誘... [more] | SDM2020-2 ICD2020-2 pp.3-7 |
| SDM | 2019-11-08 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2019-74 |
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて，その非定常状態における振る舞いを... [more] | SDM2019-74 pp.27-32 |
| SDM | 2019-10-23 14:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成 ○片岡正和・林 将生・キム ミンギ・大見俊一郎（東工大） SDM2019-54 |
本研究では、ノンドープHfO2薄膜を用いた強誘電体ゲートFETの実現を目的として、Hf界面層の導入による低誘電率SiO2... [more] | SDM2019-54 pp.7-10 |
| SDM | 2019-10-23 15:40 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application ○Min Gee Kim・Masakazu Kataoka・Masaki Hayashi・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2019-56 |
[more] | SDM2019-56 pp.17-20 |
| SDM | 2019-01-29 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響 ○太田裕之・池上 努・福田浩一・服部淳一・浅井栄大・遠藤和彦・右田真司（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-81 |
本研究では，マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] | SDM2018-81 pp.1-4 |
| SDM | 2019-01-29 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析 ○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2018-82 |
最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によ... [more] | SDM2018-82 pp.5-8 |
| SDM | 2019-01-29 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］The Relationship between Polarization Switching and Subthreshold Behavior in HfO2-based Ferroelectric and Anti-ferroelectric FET: An Experimental Study ○Chengji Jin・Kyungmin Jang・Takuya Saraya・Toshiro Hiramoto・Masaharu Kobayashi（Univ. of Tokyo） SDM2018-84 |
We have experimentally studied and revealed the direct relat... [more] | SDM2018-84 pp.13-16 |
| SDM | 2019-01-29 13:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］サブモノレイヤ法によるAlナノクラスタを埋め込んだ高信頼性強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜の開発 ○山口 直・張 田田・大森和幸・島田康弘・国宗依信・井手 隆・井上真雄・松浦正純（ルネサス エレクトロニクス） SDM2018-86 |
Hf0.5Zr0.5O2(HZO)膜を不揮発性メモリ材料とした強誘電体メモリの開発成果を報告する. 本研究では, 10n... [more] | SDM2018-86 pp.21-26 |
| SDM | 2018-11-09 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2018-74 |
ゲート絶縁膜の一つに強誘電体膜を持ち，その負性容量状態を利用する負性容量トランジスタについて，その振る舞いをシミュレーシ... [more] | SDM2018-74 pp.47-52 |
| SDM | 2017-01-30 11:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション ○太田裕之・池上 勉・服部淳一・福田浩一・右田真司（産総研）・鳥海 明（東大） SDM2016-133 |
サブ10nm 世代の負性容量FinFET（NC-FinFET）のデバイス特性を新開発のtechnology comput... [more] | SDM2016-133 pp.13-16 |
| SDM | 2017-01-30 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation ○Xu Lun・Shibayama Shigehisa・Izukashi Kazutaka・Nishimura Tomonori・Yajima Takeaki（Univ. of Tokyo）・Migita Shinji（AIST）・Toriumi Akira（Univ. of Tokyo） SDM2016-137 |
[more] | SDM2016-137 pp.29-32 |
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