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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2020-11-19 14:10 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］第一原理計算とマテリアルズ・インフォマティクスに基づくペロブスカイト型酸化物の誘電率予測モデル ○野田祐輔（金沢学院大）  SDM2020-25 |
本研究の目的は、マテリアルズデザインの合理的な設計指針を得るために、第一原理計算および多変量回帰分析を用いて、ペロブスカ... [more] | SDM2020-25 pp.15-20 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 13:30 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 第一原理計算による多結晶酸化物薄膜の抵抗変化メカニズムの検討 ○森山拓洋・肥田聡太（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2016-18 SDM2016-99 |
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 金属酸化物(MO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である. 薄膜... [more] | EID2016-18 SDM2016-99 pp.41-44 |
| SDM | 2015-06-19 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 ○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大） SDM2015-45 |
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] | SDM2015-45 pp.37-40 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2015-06-04 14:40 |
宮城 | 東北大学 | 遷移金属合金の磁気異方性に与えるスピン揺らぎの影響 ○小林尚史・兵頭一茂・佐久間昭正（東北大） MR2015-3 |
高密度磁気デバイスにおいて，材料の熱的安定性は重要な要素であり，その理解が欠かせない． 本研究では，FePtやCoP... [more] |
MR2015-3 pp.13-16 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:45 |
京都 | 京都大学 | 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ～ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ～ ○森山拓洋（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2014-39 SDM2014-134 |
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] | EID2014-39 SDM2014-134 pp.135-138 |
| SDM | 2014-06-19 10:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性：第一原理計算による検討 ○佐々木奨悟・中山隆史（千葉大） SDM2014-46 |
GeはSiより空孔欠陥の多い半導体として知られている。特に金属界面近傍の空孔は界面の電子物性を支配する鍵となるが、その密... [more] | SDM2014-46 pp.17-20 |
| SDM | 2011-11-11 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | 第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較 滝口直也・木場隼介（神戸大）・○土屋英昭（神戸大/JST）・小川真人（神戸大） SDM2011-121 |
本稿では、<110>方向のSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤの断面サイズによるバンド構造の変化を調べるために、第一原理... [more] | SDM2011-121 pp.33-38 |
| SDM | 2011-07-04 14:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調：第一原理計算による理論的検討 ○小日向恭祐・中山隆史（千葉大） SDM2011-62 |
金属(Au)/Si(111)界面に構造乱れを形成した際のショットキーバリア変調を、界面近傍の半導体に原子空孔や格子間原子... [more] | SDM2011-62 pp.69-73 |
| SDM [詳細] | 2008-11-14 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | 第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析 ○前川忠史・山内恒毅・原 孟史・土屋英昭・小川真人（神戸大） SDM2008-183 |
シリコンMOSFETの性能向上を実現する技術として、ひずみシリコンによる高キャリア移動度化に加え、ナノワイヤ等の新構造の... [more] | SDM2008-183 pp.83-88 |
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