お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 7件中 1~7件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
17:10
静岡 アクトシティ浜松 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価
藤澤孝博Hu Nan小嶋智輝江川孝志三好実人名工大ED2023-23 CPM2023-65 LQE2023-63
GaInN系受光素子は太陽電池だけでなく、光無線給電システムへの適用にも非常に有望である。本研究では、光無線給電システム... [more] ED2023-23 CPM2023-65 LQE2023-63
pp.44-47
MW, WPT
(共催)
2022-04-15
15:15
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
SiC基板及びGaN基板上に形成されたAlGaN/GaN HEMTの歪特性比較
森脇 淳,○原 信二名大WPT2022-10 MW2022-10
本報告では、GaN HEMT特有の電流コラプスが線形性に与える影響を評価する為の相互変調歪(IMD)測定方法の提案並びに... [more] WPT2022-10 MW2022-10
pp.35-39
ED, MW
(共催)
2014-01-17
09:30
東京 機械振興会館 低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価
吉本 晋石原邦亮岡田政也住吉和英平野英則三橋史典善積祐介石塚貴司木山 誠上野昌紀住友電工ED2013-124 MW2013-189
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、GaN基板を用いた縦型構造を採用することで、コラプス抑制や低オン抵抗、また高い面... [more] ED2013-124 MW2013-189
pp.79-84
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
10:20
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定
山口敦史金沢工大)・耿 慧遠砂川晴夫石原裕次郎松枝敏晴碓井 彰古河機械金属ED2011-90 CPM2011-139 LQE2011-113
GaN基板に残留する微小歪み(0.01%程度)をミクロンオーダーの空間分解能で測定する新しい手法を開発した。これは、価電... [more] ED2011-90 CPM2011-139 LQE2011-113
pp.87-91
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
16:40
愛知 名古屋大学 VBL GaN系HFETsの電流コラプスの測定 ~ 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET ~
杉山貴之本田善央山口雅史天野 浩名大)・磯部康裕押村吉徳岩谷素顕竹内哲也上山 智赤崎 勇名城大)・今出 完北岡康夫森 勇介阪大ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47
c面および非極性a面GaN基板上AlGaN/GaN HFETの電流コラプスを測定した。 a-HFETはc面上のHFETs... [more] ED2011-34 CPM2011-41 SDM2011-47
pp.175-178
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-12
11:15
大阪 阪大 中ノ島センター 低転位GaN基板上縦型HFET
岡田政也斎藤 雄横山満徳中田 健八重樫誠司片山浩二上野昌紀木山 誠勝山 造中村孝夫住友電工ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113
再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field... [more] ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113
pp.67-70
CPM 2005-11-12
09:25
福井 福井大学 バルクGaN基板上へのInN膜のMOVPE 成長と評価
ワン ウェンジュン三輪浩士永井泰彦橋本明弘山本あきお福井大
バルクGaN基板上へのIn極性、N極性InN膜のMOVPE成長について検討した。Ga極性GaN基板上にはIn極性のInN... [more] CPM2005-162
pp.5-8
 7件中 1~7件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会