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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2024-03-01 09:50 |
岡山 | 岡山県立大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ソース・フローティング型GaNスイッチングエンベロープ増幅器およびそれを用いたエンベロープ・トラッキング増幅器 ○齋木研人・坂田修一・小松崎優治・新庄真太郎（三菱電機）  MW2023-188 |
GaNスイッチング増幅器のソース電極をフロ―ティング構造としたエンベロープ増幅器，およびそれを用いたエンベロープ・トラッ... [more] | MW2023-188 pp.70-73 |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 15:30 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析 ○南條拓真・清井 明・今澤貴史・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） ED2023-68 MW2023-160 |
ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric... [more] | ED2023-68 MW2023-160 pp.11-14 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 13:40 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証 ○南條拓真・品川友宏・綿引達郎・三浦成久・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） ED2022-93 MW2022-152 |
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor（HEMT）は，通信用の高周波高出... [more] | ED2022-93 MW2022-152 pp.36-39 |
| MW, WPT (共催) |
2022-04-15 15:40 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaNソフトスイッチング電源変調器を用いた3.6-4.0 GHz帯高効率エンベロープトラッキング増幅器 ○小松崎優治（三菱電機）・サンドロ ランフランコ・タピオ コルモネン・オリ ピイライネン・ジャルノ タンスカネン（ノキアベル研）・坂田修一（三菱電機）・馬 瑞（三菱電機リサーチラボラトリ）・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・ピーター アズベック（カリフォルニア大サンディエゴ校） WPT2022-11 MW2022-11 |
通信量の劇的な増大を受け，移動通信基地局用増幅器にはピーク対平均電力比(PAPR)の大きい信号を高効率に増幅できること，... [more] | WPT2022-11 MW2022-11 pp.40-45 |
| EE, IEE-SPC (併催) |
2021-03-01 17:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 0.5μm CMOS/SOIを用いた高周波ゲートドライバーのシミュレーションによる検討 ○大谷圭佑・中山未菜美・有吉和麻・松本 聡（九工大） EE2020-47 |
近年、電子機器・通信機器の小型化・高性能化に伴い、電源の小型化が要求されている。電源の小型化としてスイッチング周波数の高... [more] | EE2020-47 pp.39-43 |
| EE | 2021-01-25 13:55 |
ONLINE | オンライン開催 (Zoom) | カスコード接続した分極超接合GaN-FETのターンオン過程の解析 ○新井大輔（名大）・神山祐輔・八木修一・河合弘治・成井啓修（パウデック）・今岡 淳・山本真義（名大） EE2020-32 |
ノーマリーオン型で1200V耐圧の分極超接合GaN-FETを低耐圧Si-MOSFETとカスコード接続し，抵抗負荷でスイッ... [more] | EE2020-32 pp.47-52 |
| EMCJ | 2021-01-22 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 車載ノイズを想定した妨害波によるイミュニティ評価のためのTLP生成回路の作製 ○田中清祐・小池大一朗・松嶋 徹・福本幸弘（九工大） EMCJ2020-65 |
本研究の目的は，自動車内で想定される電磁ノイズに対して，車載電子機器や通信の持つイミュニティ特性を評価するための妨害波の... [more] | EMCJ2020-65 pp.7-12 |
| EE, OME, CPM (共催) |
2019-11-26 09:20 |
東京 | 機械振興会館 地下3階1号室 | IGBT駆動用可変電圧源に関する基礎的考察 ○浦 千人・石塚洋一（長崎大） EE2019-36 CPM2019-78 OME2019-22 |
高電力・高電圧変換器は，産業や自動車用途などで幅広く使用されており，内部のスイッチングデバイスとしては，絶縁ゲートバイポ... [more] | EE2019-36 CPM2019-78 OME2019-22 pp.1-6 |
| IN, NS (併催) |
2019-03-05 13:50 |
沖縄 | 沖縄コンベンションセンター | オープンネットワークOSにおける経路スケール向上に関する検討と実装 ○熊川成正・平澤崇佳・高橋 賢・吉岡弘高（NTT） NS2018-265 |
多様なネットワークサービスを迅速に提供することが求められている．なかでもホワイトボックススイッチをはじめとした汎用装置は... [more] | NS2018-265 pp.421-426 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:25 |
東京 | 日立中研 | ノーマリオフ型GaN MOS-HFETにおけるバイアスアニールの効果 ○南條拓真・小山英寿・今井章文・綿引達郎・山向幹雄（三菱電機） ED2018-78 MW2018-145 |
GaN系半導体は、高周波デバイスだけではなく、高出力スイッチングデバイスに用いる半導体材料として近年注目を集めており、ノ... [more] | ED2018-78 MW2018-145 pp.55-58 |
| EE | 2019-01-17 12:55 |
熊本 | 熊本市国際交流会館 | パルス密度変調制御を適用した電流・電圧形デュアルモード非絶縁E2級DC-DCコンバータの検討 ○藤井健太・三島智和（神戸大） EE2018-54 |
近年，電力変換回路の小型化と高効率化に関する研究が活発に行われている。電力変換回路の小型化に対してはスイッチング周波数の... [more] | EE2018-54 pp.97-102 |
| EE, WPT, IEE-SPC (連催) ※学会内は併催 |
2018-07-03 09:25 |
北海道 | 北海道大学 フロンティア応用科学研究棟 | GaN素子を用いた大電力非接触給電システム ○沖米田恭之・望月正志・山本喜多男・渡辺浩史（昭和飛行機） WPT2018-20 |
インバータ等の電力変換装置の小型化,高効率化を実現する方法の一つとして,パワーデバイスの高周波化が挙げられる.近年ではS... [more] | WPT2018-20 pp.57-59 |
| EE, WPT, IEE-SPC (連催) ※学会内は併催 |
2018-07-03 10:15 |
北海道 | 北海道大学 フロンティア応用科学研究棟 | 次世代通信衛星用電源機器の化合物半導体パワーデバイス適用に向けた試作評価 ○岩佐 稔・近藤大将（JAXA） EE2018-14 |
通信放送衛星においては、ミッション機器の搭載率向上のために、これまでの化学推進による軌道制御から電気推進への移行が各国で... [more] | EE2018-14 pp.83-86 |
| SDM | 2018-06-25 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 ○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田 永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2018-18 |
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] | SDM2018-18 pp.11-14 |
| EE | 2018-01-29 11:45 |
大分 | サテライトキャンパスおおいた (大分市) | GaN-HEMTを用いたモバイル機器用POLの検討 ○齊藤 篤・宮野匠平・安部征哉・松本 聡（九工大） EE2017-47 |
近年、電気機器・通信機器の小型化・高性能化に伴い、電源の小型化が要求されている。電源の小型化に対してはスイッチング周波数... [more] | EE2017-47 pp.29-34 |
| MWP, OPE, EMT, MW, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-07-21 11:00 |
北海道 | 帯広商工会議所 | 80MHz広帯域変調信号に対応する高効率GaNエンベロープトラッキング増幅器 ○坂田修一（三菱電機）・Sandro Lanfranco・Tapio Kolmonen・Olli Piirainen（Nokia Bell Labs）・藤原孝信・新庄真太郎（三菱電機）・Peter Asbeck（カリフォルニア大, San Diego） EMT2017-31 MW2017-56 OPE2017-36 EST2017-33 MWP2017-33 |
リアルタイム-デジタル歪補償技術(RT-DPD)を用いて80MHzという広帯域信号に対応する高効率広帯域GaN エンベロ... [more] | EMT2017-31 MW2017-56 OPE2017-36 EST2017-33 MWP2017-33 pp.133-138 |
| EE, IEE-HCA (連催) |
2017-05-25 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | GaNデバイスを用いたLLC共振電源の高周波化検討 ○清水健広（新電元）・松田善秋（STES）・井上陽介（新電元熊本テクノリサーチ） EE2017-2 |
近年、機器の小型化や薄型化を背景に、搭載される電源に対する小型化の要求は強くなっている。電源の小型化にはスイッチング周波... [more] | EE2017-2 pp.7-11 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 14:00 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］Si基板上GaNパワーデバイス ～ スイッチング及び高周波応用 ～ ○上田哲三・上本康裕・酒井啓之・田中 毅（パナソニック）・上田大助（京都工繊大） ED2016-96 MW2016-172 |
GaNトランジスタはスイッチング機器で使用される、いわゆるパワーデバイスとして、その実用化に向けての研究開発が積極的に行... [more] | ED2016-96 MW2016-172 pp.1-5 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 11:20 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ ○幸丸竜太・半谷政毅・中原和彦・岡崎拓行・山中宏治（三菱電機） ED2016-106 MW2016-182 |
GaN on Siを用いた低損失・高耐電力な特性を有するスイッチの試作結果について報告する． 本スイッチにはSi基板上に... [more] | ED2016-106 MW2016-182 pp.53-56 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:45 |
京都 | 京大桂キャンパス | プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作 ○南條拓真・林田哲郎・小山英寿・今井章文・古川彰彦・山向幹雄（三菱電機） ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 |
GaNは高周波素子だけではなく，高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている．高出力スイッチング素... [more] | ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79 pp.31-34 |
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