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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2024-03-01 09:00 |
岡山 | 岡山県立大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G向けアンチパラレルダイオード型100GHz帯GaN 3逓倍器 ○山下晋平・河村由文・中谷圭吾・加茂宣卓・山中宏治（三菱電機）  MW2023-186 |
テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G向けアンチパラレルダイオード型100GHz帯GaN 3逓倍器MMICの試作結果を報... [more] | MW2023-186 pp.62-65 |
| MW | 2024-03-01 10:15 |
岡山 | 岡山県立大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
挿入損失を考慮した2電力レベル設計による28 GHz帯GaN HEMTアウトフェージング増幅器MMICの試作 ○小林大輝・本城和彦・石川 亮（電通大） MW2023-189 |
第5 世代移動通信(5G) の普及に伴ってミリ波帯のような高い周波数の活用と、高速伝送と高い周波数利用 効率のために直交... [more] | MW2023-189 pp.74-77 |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 14:25 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
MOCVD法におけるシミュレーションを活用したGaN成長条件の最適化 ○吉岡尚輝・畠中 奨・野々田亮平・小島善樹（三菱電機） ED2023-66 MW2023-158 |
GaNの高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor : HEMT)は所... [more] | ED2023-66 MW2023-158 pp.4-6 |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 15:30 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析 ○南條拓真・清井 明・今澤貴史・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） ED2023-68 MW2023-160 |
ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric... [more] | ED2023-68 MW2023-160 pp.11-14 |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 15:55 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ダイヤモンド放熱基板を用いたGaN HEMTの開発 ○白柳裕介（三菱電機/熊本大）・友久伸吾（三菱電機）・笠村啓司・豊田洋輝（熊本大）・松前貴司・倉島優一・高木秀樹（産総研）・久保田章亀（熊本大）・長永隆志（三菱電機） ED2023-69 MW2023-161 |
常温活性化接合法を用いて，1インチ級モザイクダイヤモンド基板上に窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN HEMT）... [more] | ED2023-69 MW2023-161 pp.15-18 |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 16:20 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
5G Massive MIMO基地局向け高出力GaN電力増幅器モジュール ○本田 慧・松下晃生・寺西絵理・嘉藤勝也・坂田修一・山本和也・國井徹郎（三菱電機） ED2023-70 MW2023-162 |
5G Massive MIMO基地局向けに設計・試作した出力電力16W級GaN電力増幅器モジュールについて報告する. 高... [more] | ED2023-70 MW2023-162 pp.19-22 |
| AP, WPT (併催) |
2024-01-17 14:25 |
新潟 | 新潟大学駅南キャンパスときめいと （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
通信と無線電力伝送の融合/連携の実現に向けた2.45GHz帯高効率電力増幅器 ○髙木裕貴・中本悠太・平川 昂・太田喜元・長谷川直輝（ソフトバンク） WPT2023-30 |
本稿では, 情報伝送と無線電力伝送の双方に最適化した無線機の送電部構成を示して, その送電部構成内の電力増幅器の高効率化... [more] | WPT2023-30 pp.1-5 |
| ED, MWPTHz (共催) |
2023-12-22 14:20 |
宮城 | 東北大・通研 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高抵抗炭素ドープGaNバッファを有するN極性GaN HEMT構造のMOCVD成長とデバイス特性評価 ○吉屋佑樹・星 拓也・堤 卓也・杉山弘樹・中島史人（NTT） ED2023-63 MWPTHz2023-73 |
優れた高周波・ハイパワー特性を有するN極性GaN HEMTの実現には，結晶成長時の酸素取り込みに起因するGaNバッファの... [more] | ED2023-63 MWPTHz2023-73 pp.46-51 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:05 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ○川出智之・米谷宜展・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 |
MOCVD法により単結晶AlN基板上に、AlNバックバリア層、UID-GaNチャネル層、歪み制御した四元混晶AlGaIn... [more] | ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 pp.1-5 |
| MW | 2023-11-16 13:25 |
沖縄 | 名護市産業支援センター（沖縄） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電荷再利用型トランジスタ制御機構を用いたGaNHEMTによるリーマンポンプ型RF-DAC ○淵辺悠太・坂田修一・小松崎優治・新庄真太郎（三菱電機） MW2023-129 |
多ビット化に向けたリーマンポンプ型デジタル-アナログ変換器(RP-DAC)のための回路構成を提案する。RP-DACはブリ... [more] | MW2023-129 pp.19-22 |
| MW, AP (併催) |
2023-09-28 10:10 |
高知 | 高知城歴史博物館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
周波数選択性並列帰還回路を有する C-Ku 帯 GaN MMIC 低雑音増幅器 ○久樂 顕・神岡 純・桑田英悟・山口裕太郎・加茂宣卓・新庄真太郎（三菱電機） MW2023-81 |
マイクロ波送受信モジュール向けのC-Ku帯広帯域GaN低雑音増幅器( LNA)について報告する．広帯域化と低雑音化を両立... [more] | MW2023-81 pp.7-10 |
| MW | 2023-06-22 14:25 |
神奈川 | 湯河原町商工会 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
S-LMBAに適した広帯域高調波処理回路の検討 ○浅見紘考・住吉高志・山本 洋・前畠 貴（住友電工） MW2023-22 |
次世代移動体通信では,大容量通信かつ高速な通信を実現するために広帯域変調信号が用いられる. 広帯域変調信号は,瞬時電力対... [more] | MW2023-22 pp.13-18 |
| MW | 2023-06-23 09:30 |
神奈川 | 湯河原町商工会 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［特別講演］マイクロ波増幅器設計のためのGaN HEMT大信号モデルの基礎 ○山本 洋・菊池 憲（住友電工） MW2023-25 |
マイクロ波増幅器の性能向上には，増幅素子として使用するトランジスタの能力を最大限に引き出す回路設計の技術が必要である．そ... [more] | MW2023-25 pp.29-32 |
| SANE | 2023-05-23 10:10 |
神奈川 | 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN HEMT が実現する広帯域・高出力・低消費電力マイクロ波高出力増幅器 ○桑田英悟・神岡 純・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） SANE2023-3 |
観測・通信・測位に用いられているマイクロ波の送信系統は, 電子管方式から半導体方式への置き換えが進んでいる. その大きな... [more] | SANE2023-3 pp.12-17 |
| MW | 2023-03-02 13:00 |
鳥取 | 鳥取大学(鳥取) 鳥取キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
70 %超ドレイン効率を有する1.6-2.2 GHz帯GaN HEMT連続B/J級高出力増幅器 ○青沼奏志・田中愼一（芝浦工大） MW2022-162 |
連続B/J級増幅器は，2次高調波までインピーダンスを制御することで理論的にはB級増幅器の電力効率78.5%を広帯域で維持... [more] | MW2022-162 pp.31-36 |
| MW | 2023-03-02 13:25 |
鳥取 | 鳥取大学(鳥取) 鳥取キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
3入力電力レベル最適化設計による3.7 GHz GaN HEMT ドハティ増幅器のバックオフ性能改善に関する研究 ○山本薫臣・本城和彦・高山洋一郎・石川 亮（電通大） MW2022-163 |
近年の無線通信システムにおいて，通信容量の大容量化や速度の高速化が求められており，その実現に向け，ピーク対平均電力比(P... [more] | MW2022-163 pp.37-41 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 11:00 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
1入力広帯域GaN増幅器のバイアス依存性の測定評価 ○中川祐希・加保貴奈（湘南工科大）・坂田修一・小松崎優治・山中宏治（三菱電機） ED2022-89 MW2022-148 |
800MHzから4.8GHzまでの4GHz幅をカバーする4G/5G基地局用広帯域GaN増幅器を研究している．周波数帯域毎... [more] | ED2022-89 MW2022-148 pp.19-24 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 12:50 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討 ～ デバイスシミュレーション ～ 諸隈奨吾（佐賀大）・大塚友絢（三菱電機）・○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） ED2022-91 MW2022-150 |
GaN HEMTの高周波やパワーエレクトロニクス分野への応用を考えた場合、Hz～MHz付近の低周波領域における特性改善が... [more] | ED2022-91 MW2022-150 pp.29-32 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 13:40 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証 ○南條拓真・品川友宏・綿引達郎・三浦成久・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） ED2022-93 MW2022-152 |
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor（HEMT）は，通信用の高周波高出... [more] | ED2022-93 MW2022-152 pp.36-39 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2023-01-18 13:40 |
愛知 | 愛知・日間賀島 ホテル浦島 | ［依頼講演］レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるGaN-HEMTの界面ポテンシャル分布 ○高田徳幸（産総研） OME2022-63 |
レーザーテラヘルツ放射顕微鏡（LTEM）は、半導体表面・界面にフェムト秒光パルスを照射し、光電流や分極の時間変化に由来し... [more] | OME2022-63 pp.1-3 |
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