| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 15:55 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ダイヤモンド放熱基板を用いたGaN HEMTの開発 ○白柳裕介（三菱電機/熊本大）・友久伸吾（三菱電機）・笠村啓司・豊田洋輝（熊本大）・松前貴司・倉島優一・高木秀樹（産総研）・久保田章亀（熊本大）・長永隆志（三菱電機）  ED2023-69 MW2023-161 |
常温活性化接合法を用いて，1インチ級モザイクダイヤモンド基板上に窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN HEMT）... [more] | ED2023-69 MW2023-161 pp.15-18 |
| ED, MWPTHz (共催) |
2023-12-22 14:20 |
宮城 | 東北大・通研 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高抵抗炭素ドープGaNバッファを有するN極性GaN HEMT構造のMOCVD成長とデバイス特性評価 ○吉屋佑樹・星 拓也・堤 卓也・杉山弘樹・中島史人（NTT） ED2023-63 MWPTHz2023-73 |
優れた高周波・ハイパワー特性を有するN極性GaN HEMTの実現には，結晶成長時の酸素取り込みに起因するGaNバッファの... [more] | ED2023-63 MWPTHz2023-73 pp.46-51 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:05 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ○川出智之・米谷宜展・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 |
MOCVD法により単結晶AlN基板上に、AlNバックバリア層、UID-GaNチャネル層、歪み制御した四元混晶AlGaIn... [more] | ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 pp.1-5 |
| MW | 2023-11-16 13:25 |
沖縄 | 名護市産業支援センター（沖縄） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電荷再利用型トランジスタ制御機構を用いたGaNHEMTによるリーマンポンプ型RF-DAC ○淵辺悠太・坂田修一・小松崎優治・新庄真太郎（三菱電機） MW2023-129 |
多ビット化に向けたリーマンポンプ型デジタル-アナログ変換器(RP-DAC)のための回路構成を提案する。RP-DACはブリ... [more] | MW2023-129 pp.19-22 |
| MW | 2023-06-23 09:30 |
神奈川 | 湯河原町商工会 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［特別講演］マイクロ波増幅器設計のためのGaN HEMT大信号モデルの基礎 ○山本 洋・菊池 憲（住友電工） MW2023-25 |
マイクロ波増幅器の性能向上には，増幅素子として使用するトランジスタの能力を最大限に引き出す回路設計の技術が必要である．そ... [more] | MW2023-25 pp.29-32 |
| SANE | 2023-05-23 10:10 |
神奈川 | 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN HEMT が実現する広帯域・高出力・低消費電力マイクロ波高出力増幅器 ○桑田英悟・神岡 純・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） SANE2023-3 |
観測・通信・測位に用いられているマイクロ波の送信系統は, 電子管方式から半導体方式への置き換えが進んでいる. その大きな... [more] | SANE2023-3 pp.12-17 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 11:00 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
1入力広帯域GaN増幅器のバイアス依存性の測定評価 ○中川祐希・加保貴奈（湘南工科大）・坂田修一・小松崎優治・山中宏治（三菱電機） ED2022-89 MW2022-148 |
800MHzから4.8GHzまでの4GHz幅をカバーする4G/5G基地局用広帯域GaN増幅器を研究している．周波数帯域毎... [more] | ED2022-89 MW2022-148 pp.19-24 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 12:50 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討 ～ デバイスシミュレーション ～ 諸隈奨吾（佐賀大）・大塚友絢（三菱電機）・○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） ED2022-91 MW2022-150 |
GaN HEMTの高周波やパワーエレクトロニクス分野への応用を考えた場合、Hz～MHz付近の低周波領域における特性改善が... [more] | ED2022-91 MW2022-150 pp.29-32 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 14:35 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
低周波Y22パラメータ測定によるGaN HEMT中のFeトラップ評価 ○西田大生・大石敏之（佐賀大）・大塚友絢・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67 |
GaNを使った増幅器の性能向上に対する課題のひとつにトラップの性質解明がある．今回，回路設計と整合性の良い低周波$Y$パ... [more] | ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67 pp.49-52 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 15:45 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○戸田圭太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 |
ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HEM... [more] | ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 pp.61-64 |
| MW, WPT (共催) |
2022-04-15 15:15 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiC基板及びGaN基板上に形成されたAlGaN/GaN HEMTの歪特性比較 森脇 淳，○原 信二（名大） WPT2022-10 MW2022-10 |
本報告では、GaN HEMT特有の電流コラプスが線形性に与える影響を評価する為の相互変調歪(IMD)測定方法の提案並びに... [more] | WPT2022-10 MW2022-10 pp.35-39 |
| SDM | 2021-11-12 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング ○福田浩一・服部淳一・浅井栄大（産総研）・矢板潤也・小谷淳二（富士通） SDM2021-62 |
GaN HEMTの移動度の温度依存モデリングにセルオートマトン法を適用した。分布関数をテーブルで持ち微小時間ステップごと... [more] | SDM2021-62 pp.47-52 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価 ○越智亮太（北大）・前田瑛里香（芝浦工大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司（名大）・橋詰 保（北大/名大） ED2020-31 MW2020-84 |
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] | ED2020-31 MW2020-84 pp.22-25 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○横井駿一・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 |
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] | ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 pp.29-32 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ○ロー ルイ シャン・永瀬 樹・バラトフ アリ・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）・谷田部然治・内藤健太・本山智洋・中村有水（熊本大） ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 |
近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] | ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 pp.49-52 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 11:20 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究 ○バラトフ アリ・小澤渉至・山下隼平・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大） ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 |
小信号特性の場合にはMIS構造がSG構造より優れた特性を示していることを複数の研究者から報告されている。しかし、大信号特... [more] | ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 pp.60-62 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 16:35 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | ［招待講演］ミリ波・サブミリ波帯無線通信に向けた化合物半導体電子デバイスおよび高周波計測技術 ○渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT） ED2019-105 MW2019-139 |
窒化ガリウム（GaN）系高電子移動度トランジスタ（HEMT）等の化合物半導体電子デバイスは，周波数100 GHz以上で動... [more] | ED2019-105 MW2019-139 pp.59-64 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 ○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 |
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] | ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 pp.37-40 |
| EMCJ, MW, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2019-10-24 10:55 |
宮城 | 東北学院大学(工学部1号館3階第2会議室) | 仮想ショートスタブを用いてバックオフ量を拡大した高効率GaNドハティ増幅器 ○本田 慧・坂田修一・小松崎優治・新庄真太郎（三菱電機） EMCJ2019-40 MW2019-69 EST2019-48 |
仮想ショートスタブを用いてバックオフ量を拡大したドハティ増幅器について報告する。本技術では低出力時において、ピーク増幅器... [more] | EMCJ2019-40 MW2019-69 EST2019-48 pp.21-25 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:00 |
東京 | 日立中研 | ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上 ○熊崎祐介・尾崎史朗・美濃浦優一・牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・中村哲一（富士通研） ED2018-77 MW2018-144 |
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として，オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入す... [more] | ED2018-77 MW2018-144 pp.51-54 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]