| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2025-01-24 10:25 |
東京 | 深谷公民館・深谷生涯学習センター (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN HEMTの表面・GaNトラップが低周波Yパラメータのドレイン電圧依存性に与える影響（シミュレーション） ○大石敏之・金光温大（佐賀大）・久樂 顕・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）  ED2024-77 MW2024-163 |
(ご登録済みです．開催日以降に掲載されます) [more] | ED2024-77 MW2024-163 pp.56-59 |
| MW, ED (共催) |
2025-01-24 14:20 |
東京 | 深谷公民館・深谷生涯学習センター (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］100 GHz帯1 W級パワーアンプ向けGaN系HEMTの開発 ○尾崎史朗・熊崎祐介・中舍安宏・山田敦史・原 直紀・多木俊裕（富士通） ED2024-81 MW2024-167 |
(ご登録済みです．開催日以降に掲載されます) [more] | ED2024-81 MW2024-167 pp.73-76 |
| ED, MWPTHz (共催) |
2024-12-20 10:40 |
宮城 | 東北大・通研 (宮城県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］fmax = 450 GHz超を有するダブルδドープGa0.22In0.78SbチャネルHEMT ○町田龍人（NICT）・吉田陸人・岸本尚之・河野亮介・礒前雄人・海老原怜央・林 拓也・神内智揮・國澤宗真（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・原 紳介・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大） ED2024-61 MWPTHz2024-73 |
InSb系高電子移動度トランジスタ（HEMT）の更なるRF特性向上のため，薄膜AlInSbスペーサ層およびバリア層による... [more] | ED2024-61 MWPTHz2024-73 pp.26-29 |
| WPT | 2024-12-12 11:05 |
石川 | 金沢工業大学 扇が丘キャンパス 21号館5階 21-505室 (石川県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
5.8GHz帯多段スタック形倍電圧整流器MMIC ○廣瀬裕也・坂井尚貴・津留正臣・伊東健治（金沢工大） WPT2024-27 |
無線電力伝送用受電システムの総合効率を改善する目的で，筆者らは出力DC電圧を降圧する多段スタック形マイクロ波整流器を提案... [more] | WPT2024-27 pp.17-21 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2024-11-29 13:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) (愛知県) | GaN-HEMTの耐圧均一性を改善するスクリーニング方法の提案 ○齋藤 渉・西澤伸一（九大） ED2024-32 CPM2024-76 LQE2024-63 |
耐圧分布の均一性を改善するスクリーニング方法として、バーストUISテストを提案する。GaN-HEMTは、アバランシェ降伏... [more] | ED2024-32 CPM2024-76 LQE2024-63 pp.49-52 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2024-11-29 16:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) (愛知県) | 水蒸気酸化ALD-Al2O3によるInP系MOS-HEMTの性能向上 ○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原 直紀（富士通） ED2024-38 CPM2024-82 LQE2024-69 |
次世代無線通信に向けた高周波用途の絶縁ゲート型高電子移動度トランジスタ(HEMT: High Electron Mobi... [more] | ED2024-38 CPM2024-82 LQE2024-69 pp.73-78 |
| MW | 2024-11-14 13:55 |
沖縄 | JA久米島 阿里ゆんたく舘 (沖縄県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
小型合成回路を用いた4.7GHz帯GaN HEMT増幅器のドハティ・アウトフェージング複合動作による出力バックオフ効率改善 ○白石悠大・本城和彦・石川 亮（電通大） MW2024-130 |
広ダイナミックレンジのディジタル変調信号を高効率に増幅する負荷変調増幅器としてアウトフェージング増幅器があり，またドハテ... [more] | MW2024-130 pp.40-45 |
| MW | 2024-11-15 11:25 |
沖縄 | JA久米島 阿里ゆんたく舘 (沖縄県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
リアクタンス補償回路切換型アウトフェージング電力増幅器 ○髙木裕貴・平川 昂・太田喜元・長谷川直樹（ソフトバンク） MW2024-137 |
本稿では, アウトフェージング増幅回路構成の一部であるシレイ合成器内のリアクタンス補償回路をRFスイッチで切り替える方式... [more] | MW2024-137 pp.69-74 |
| MW | 2024-03-01 09:00 |
岡山 | 岡山県立大学 (岡山県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G向けアンチパラレルダイオード型100GHz帯GaN 3逓倍器 ○山下晋平・河村由文・中谷圭吾・加茂宣卓・山中宏治（三菱電機） MW2023-186 |
テラヘルツ帯を用いたBeyond 5G向けアンチパラレルダイオード型100GHz帯GaN 3逓倍器MMICの試作結果を報... [more] | MW2023-186 pp.62-65 |
| MW | 2024-03-01 10:15 |
岡山 | 岡山県立大学 (岡山県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
挿入損失を考慮した2電力レベル設計による28 GHz帯GaN HEMTアウトフェージング増幅器MMICの試作 ○小林大輝・本城和彦・石川 亮（電通大） MW2023-189 |
第5 世代移動通信(5G) の普及に伴ってミリ波帯のような高い周波数の活用と、高速伝送と高い周波数利用 効率のために直交... [more] | MW2023-189 pp.74-77 |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 15:30 |
東京 | 機械振興会館 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析 ○南條拓真・清井 明・今澤貴史・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） ED2023-68 MW2023-160 |
ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric... [more] | ED2023-68 MW2023-160 pp.11-14 |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 15:55 |
東京 | 機械振興会館 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ダイヤモンド放熱基板を用いたGaN HEMTの開発 ○白柳裕介（三菱電機/熊本大）・友久伸吾（三菱電機）・笠村啓司・豊田洋輝（熊本大）・松前貴司・倉島優一・高木秀樹（産総研）・久保田章亀（熊本大）・長永隆志（三菱電機） ED2023-69 MW2023-161 |
常温活性化接合法を用いて，1インチ級モザイクダイヤモンド基板上に窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN HEMT）... [more] | ED2023-69 MW2023-161 pp.15-18 |
| AP, WPT (併催) |
2024-01-17 14:25 |
新潟 | 新潟大学駅南キャンパスときめいと (新潟県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
通信と無線電力伝送の融合/連携の実現に向けた2.45GHz帯高効率電力増幅器 ○髙木裕貴・中本悠太・平川 昂・太田喜元・長谷川直輝（ソフトバンク） WPT2023-30 |
本稿では, 情報伝送と無線電力伝送の双方に最適化した無線機の送電部構成を示して, その送電部構成内の電力増幅器の高効率化... [more] | WPT2023-30 pp.1-5 |
| ED, MWPTHz (共催) |
2023-12-22 14:20 |
宮城 | 東北大・通研 (宮城県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高抵抗炭素ドープGaNバッファを有するN極性GaN HEMT構造のMOCVD成長とデバイス特性評価 ○吉屋佑樹・星 拓也・堤 卓也・杉山弘樹・中島史人（NTT） ED2023-63 MWPTHz2023-73 |
優れた高周波・ハイパワー特性を有するN極性GaN HEMTの実現には，結晶成長時の酸素取り込みに起因するGaNバッファの... [more] | ED2023-63 MWPTHz2023-73 pp.46-51 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:05 |
静岡 | アクトシティ浜松 (静岡県) | 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ○川出智之・米谷宜展・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 |
MOCVD法により単結晶AlN基板上に、AlNバックバリア層、UID-GaNチャネル層、歪み制御した四元混晶AlGaIn... [more] | ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 pp.1-5 |
| MW | 2023-11-16 13:25 |
沖縄 | 名護市産業支援センター（沖縄） (沖縄県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
電荷再利用型トランジスタ制御機構を用いたGaNHEMTによるリーマンポンプ型RF-DAC ○淵辺悠太・坂田修一・小松崎優治・新庄真太郎（三菱電機） MW2023-129 |
多ビット化に向けたリーマンポンプ型デジタル-アナログ変換器(RP-DAC)のための回路構成を提案する。RP-DACはブリ... [more] | MW2023-129 pp.19-22 |
| MW, AP (併催) |
2023-09-28 10:10 |
高知 | 高知城歴史博物館 (高知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
周波数選択性並列帰還回路を有する C-Ku 帯 GaN MMIC 低雑音増幅器 ○久樂 顕・神岡 純・桑田英悟・山口裕太郎・加茂宣卓・新庄真太郎（三菱電機） MW2023-81 |
マイクロ波送受信モジュール向けのC-Ku帯広帯域GaN低雑音増幅器( LNA)について報告する．広帯域化と低雑音化を両立... [more] | MW2023-81 pp.7-10 |
| MW | 2023-06-22 14:25 |
神奈川 | 湯河原町商工会 (神奈川県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
S-LMBAに適した広帯域高調波処理回路の検討 ○浅見紘考・住吉高志・山本 洋・前畠 貴（住友電工） MW2023-22 |
次世代移動体通信では,大容量通信かつ高速な通信を実現するために広帯域変調信号が用いられる. 広帯域変調信号は,瞬時電力対... [more] | MW2023-22 pp.13-18 |
| MW | 2023-06-23 09:30 |
神奈川 | 湯河原町商工会 (神奈川県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［特別講演］マイクロ波増幅器設計のためのGaN HEMT大信号モデルの基礎 ○山本 洋・菊池 憲（住友電工） MW2023-25 |
マイクロ波増幅器の性能向上には，増幅素子として使用するトランジスタの能力を最大限に引き出す回路設計の技術が必要である．そ... [more] | MW2023-25 pp.29-32 |
| SANE | 2023-05-23 10:10 |
神奈川 | 三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 (神奈川県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN HEMT が実現する広帯域・高出力・低消費電力マイクロ波高出力増幅器 ○桑田英悟・神岡 純・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） SANE2023-3 |
観測・通信・測位に用いられているマイクロ波の送信系統は, 電子管方式から半導体方式への置き換えが進んでいる. その大きな... [more] | SANE2023-3 pp.12-17 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]