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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, WPT
(共催)
2022-04-15
15:15
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
SiC基板及びGaN基板上に形成されたAlGaN/GaN HEMTの歪特性比較
森脇 淳,○原 信二名大WPT2022-10 MW2022-10
本報告では、GaN HEMT特有の電流コラプスが線形性に与える影響を評価する為の相互変調歪(IMD)測定方法の提案並びに... [more] WPT2022-10 MW2022-10
pp.35-39
MW 2022-03-03
11:25
ONLINE オンライン開催 放熱機能を有するアンテナを用いる5.8GHz帯5Wレクテナ
小松郁弥桔川洸一麦谷彰彦坂井尚貴伊東健治金沢工大MW2021-117
本報告では,放熱機能を有するアンテナを用いる5.8GHz帯5Wレクテナについて報告する.先端短絡スタブ装荷高インピーダン... [more] MW2021-117
pp.36-41
ED, MW
(共催)
2022-01-27
13:40
ONLINE オンライン開催 3次相互変調歪み周波数における負荷インピーダンスの増幅器特性への影響
桑田英悟山口裕太郎津留正臣三菱電機)・Johannes BenediktCardiff UniversityED2021-63 MW2021-105
本報告では、新しいアクティブロードプル測定であるIMD3周波数でのロードプル測定系および測定結果について述べる。基本波や... [more] ED2021-63 MW2021-105
pp.7-11
ED, MW
(共催)
2022-01-27
15:30
ONLINE オンライン開催 [依頼講演]2電力レベル設計28GHz帯GaN HEMTドハティー増幅器MMIC
石川 亮瀬下拓也髙山洋一郎本城和彦電通大ED2021-67 MW2021-109
5G無線通信システムでは28 GHz帯などの準ミリ波帯も利用されるが、デジタル変調信号増幅用広ダイナミックレンジ電力増幅... [more] ED2021-67 MW2021-109
pp.28-31
ED, THz
(共催)
2021-12-20
13:00
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]光通信-Beyond 5G無線通信間キャリアダウンコンバージョンデバイスの新展開
佐藤 昭中嶋 大西村和樹細谷友崇岩月勝美末光哲也葛西恵介吉田真人尾辻泰一東北大ED2021-48
次世代Beyond 5Gの実現には、光通信ネットワークと無線通信ネットワークをシームレスかつ低遅延・超低消費電力に接続す... [more] ED2021-48
pp.1-5
ED, THz
(共催)
2021-12-20
17:15
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
動作しているGaN-HEMTの表面電子捕獲の時空間ダイナミクスの観測
吹留博一東北大ED2021-58
GaN-HEMTの電流コラプス現象の大きな要因である表面電子捕獲は、重要な研究課題である。高い時空間分解能を有する。我々... [more] ED2021-58
pp.48-52
ED, THz
(共催)
2021-12-21
09:00
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]Beyond 5G/6G応用を見据えたテラヘルツInP-HEMT-IC製造技術
堤 卓也濱田裕史杉山弘樹徐 照男高橋宏行松崎秀昭NTTED2021-55
本報告では,Beyond 5G/6G における適用周波数帯候補である300 GHz 帯において適用可能なInP 系高電子... [more] ED2021-55
pp.34-39
ED, THz
(共催)
2021-12-21
10:20
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析
礒前雄人岸本尚之林 拓也國澤宗真東京理科大)・渡邊一世山下良美町田龍人原 紳介笠松章史NICT)・○遠藤 聡藤代博記東京理科大ED2021-57
我々は3種類のAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb-HEMTを作製した.これらのHEMTエピタキシ... [more] ED2021-57
pp.44-47
MW 2021-12-16
14:15
神奈川 川崎市産業振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
0.1μm E-pHEMTによるGADを用いる30GHz帯倍電圧整流器MMIC
角谷直哉小松郁弥廣瀬裕也坂井尚貴伊東健治金沢工大MW2021-90
本報告では0.1μm E-pHEMTを用いる30GHz帯倍電圧整流器MMICの設計・試作結果を報告する. 整流用ダイオー... [more] MW2021-90
pp.31-36
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
14:55
ONLINE オンライン開催 AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET
井上暁喜田中さくら江川孝志三好実人名工大ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44
本研究では、AlNおよび四元混晶AlGaInNバリア層を備えたAl0.36Ga0.64Nチャネルヘテロ電界効果トランジス... [more] ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44
pp.79-82
SDM 2021-11-12
11:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング
福田浩一服部淳一浅井栄大産総研)・矢板潤也小谷淳二富士通SDM2021-62
GaN HEMTの移動度の温度依存モデリングにセルオートマトン法を適用した。分布関数をテーブルで持ち微小時間ステップごと... [more] SDM2021-62
pp.47-52
MW, ED
(共催)
2021-01-29
13:00
ONLINE オンライン開催 HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価
越智亮太北大)・前田瑛里香芝浦工大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀物質・材料研究機構)・塩﨑宏司名大)・橋詰 保北大/名大ED2020-31 MW2020-84
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] ED2020-31 MW2020-84
pp.22-25
MW, ED
(共催)
2021-01-29
14:50
ONLINE オンライン開催 InGaAs HEMT寄生抵抗抽出高精度化の検討
谷口慶伍東京理科大)・細谷友崇東北大)・楳田洋太郎高野恭弥東京理科大)・末光哲也佐藤 昭東北大ED2020-35 MW2020-88
本稿では、高電子移動度トランジスタ(HEMT)の寄生抵抗を高精度に抽出する新しい方法を提案する。従来の抽出方法では, 寄... [more] ED2020-35 MW2020-88
pp.38-43
EE 2021-01-25
13:55
ONLINE オンライン開催 (Zoom) カスコード接続した分極超接合GaN-FETのターンオン過程の解析
新井大輔名大)・神山祐輔八木修一河合弘治成井啓修パウデック)・今岡 淳山本真義名大EE2020-32
ノーマリーオン型で1200V耐圧の分極超接合GaN-FETを低耐圧Si-MOSFETとカスコード接続し,抵抗負荷でスイッ... [more] EE2020-32
pp.47-52
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
13:50
ONLINE オンライン開催 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
横井駿一久保俊晴江川孝志名工大ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59
pp.29-32
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:50
ONLINE オンライン開催 Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
ロー ルイ シャン永瀬 樹バラトフ アリアスバル ジョエル タクラ徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大)・谷田部然治内藤健太本山智洋中村有水熊本大ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
近年、ミスト化学気相成長(mist-CVD)法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
pp.49-52
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
11:20
ONLINE オンライン開催 AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究
バラトフ アリ小澤渉至山下隼平アスバル ジョエル タクラ徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67
小信号特性の場合にはMIS構造がSG構造より優れた特性を示していることを複数の研究者から報告されている。しかし、大信号特... [more] ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67
pp.60-62
WPT, EE
(併催)
2020-10-07
13:40
ONLINE オンライン開催 ノーマリオフGaN HEMTを用いたレクテナ用ゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性
高橋英匡安藤裕二名大)・土屋洋一分島彰男名工大)・林 宏暁柳生栄治三菱電機)・桔川洸一坂井尚貴伊東健治金沢工大)・須田 淳名大WPT2020-19
無線電力伝送用デバイスとして、ノーマリオフ型のGaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノード型... [more] WPT2020-19
pp.1-5
MW, AP
(併催)
2020-09-24
15:00
ONLINE オンライン開催 パッシブ動作E-pHEMTを用いる5.8GHz帯大電力整流器MMIC
小松郁弥坂井尚貴伊東健治金沢工大MW2020-35
ここでは,パッシブ動作E-pHEMTを用いる整流用ダイオードによる5.8GHz帯大電力整流器MMICについて報告する.ノ... [more] MW2020-35
pp.1-6
EMT, MW, OPE, EST, MWP
(共催)
THz, IEE-EMT
(連催) [詳細]
2020-07-17
14:15
ONLINE オンライン開催 OAM通信用ループアンテナを直接平衡励振する直列接続型高調波処理GaN HEMTドハティ増幅器の検討
中田将大高山洋一郎石川 亮本城和彦電通大EMT2020-24 MW2020-33 OPE2020-19 EST2020-24 MWP2020-24
直列接続型ドハティ増幅器の直列結合に利用するバランを省略し,軌道角運動量(OAM)通信用平衡励振ループアンテナをダイレク... [more] EMT2020-24 MW2020-33 OPE2020-19 EST2020-24 MWP2020-24
pp.101-106
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