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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IT 2022-07-21
12:55
岡山 岡山理科大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Lattice Decoding Based on Exhaustive Search over Scaling Factor
Jiajie XueKurkoski, Brian MichaelJAISTIT2022-15
 [more] IT2022-15
pp.1-3
ISEC, SITE, LOIS
(共催)
2019-11-01
14:00
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 射影格子上のDeepBKZ基底簡約とLWE問題の求解への応用
中邑聡史立岩斉明九大)・金城皓羽NTT)・池松泰彦安田雅哉九大ISEC2019-68 SITE2019-62 LOIS2019-27
近年提案されている格子暗号の多くの方式の安全性は Learning with Errors(LWE)問題の求解困難性に基... [more] ISEC2019-68 SITE2019-62 LOIS2019-27
pp.41-48
ISEC 2016-09-02
16:00
東京 機械振興会館 [招待講演]漸近的に公開鍵が短い格子に基づく適応的攻撃者に対して安全なIDベース暗号
山田翔太産総研ISEC2016-48
本研究では,格子に基づく適応的安全なIDベース暗号方式を二つ提案する.公開鍵長,暗号文長,秘密鍵長はそれぞれ,$tild... [more] ISEC2016-48
p.59
ICSS, ISEC, SITE, EMM
(共催)
IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT
(併催)
(連催) [詳細]
2014-07-03
14:15
北海道 サン・リフレ函館 複数の復号指数を持つRSA暗号の安全性解析
高安 敦國廣 昇東大ISEC2014-19 SITE2014-14 ICSS2014-23 EMM2014-19
RSA 暗号の復号指数d が小さいときには,RSA 法N が効率的に素因数分解されることは広く知られている.Boneh ... [more] ISEC2014-19 SITE2014-14 ICSS2014-23 EMM2014-19
pp.93-96
CPM 2013-10-24
14:20
新潟 新潟大ときめいと パルスレーザー堆積法によるBi系フェライトを用いた人工超格子の作製
岩田展幸渡部雄太及川貴大稲葉隆哲大島佳祐山本 寛日大CPM2013-95
Bi系フェライトを含む酸化物人工超格子をパルスレーザー堆積(PLD)法にて作製した。[ABO3(A=La, Ca, B=... [more] CPM2013-95
pp.13-18
ISEC, LOIS
(共催)
2011-11-14
10:00
大阪 大阪電気通信大学 Alwen-Peikert構成法における格子の落とし戸関数に対する評価および改良法
藤堂洋介森井昌克神戸大ISEC2011-34 LOIS2011-28
近年格子理論,中でもLearning with Errors~(LWE)問題を安全性の根拠とする格子暗号に注目が集まって... [more] ISEC2011-34 LOIS2011-28
pp.1-6
ISEC 2011-09-09
16:45
東京 機械振興会館 格子版完全準同型暗号の安全性について
安田雅哉矢嶋 純下山武司小暮 淳富士通研ISEC2011-33
完全準同型暗号は、暗号化されたデータを復号せずに機密性を保ったままあらゆる処理が可能な公開鍵暗号で、クラウド・コンピュー... [more] ISEC2011-33
pp.43-50
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
14:20
北海道 かでる2・7(札幌) AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire
Tomohiro MurataMasayuki KurodaMatsushita Electric Industrial)・Shuichi NagaiPanasonic Boston Lab.)・Masaaki NishijimaHidetoshi IshidaManabu YanagiharaTetsuzo UedaHiroyuki SakaiTsuyoshi TanakaMatsushita Electric Industrial)・Ming LiPanasonic Boston Lab.ED2008-103 SDM2008-122
We present K-band AlGaN/GaN HFET MMIC amplifiers on sapphire... [more] ED2008-103 SDM2008-122
pp.331-335
MW, ED
(共催)
2005-11-17
13:35
佐賀 佐賀大学 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
西嶋将明村田智洋廣瀬 裕引田正洋根来 昇酒井啓之上本康裕井上 薫田中 毅上田大助松下電器
サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FE... [more] ED2005-165 MW2005-120
pp.39-43
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