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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:20
宮城 東北大学・電気通信研究所 テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス
堤 卓也濱田裕史杉山弘樹野坂秀之松崎秀昭NTTED2019-82
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] ED2019-82
pp.23-28
ED 2012-12-17
13:50
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器
芝 祥一佐藤 優鈴木俊秀中舍安宏高橋 剛牧山剛三原 直紀富士通ED2012-95
短距離大容量通信システムへの適用に向け,75 nm InP HEMTを用いてF帯(90-140 GHz)で動作する電流再... [more] ED2012-95
pp.11-15
ED 2012-12-18
11:40
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム High Frequency Performance of GaAsSb/InAlAs/InGaAs Tunnel Diodes
Mikhail PatrashinNorihiko SekineAkifumi KasamatsuIssei WatanabeIwao HosakoNICT)・Tsuyoshi TakahashiMasaru SatoYasuhiro NakashaNaoki HaraFujitsu Lab.ED2012-106
 [more] ED2012-106
pp.75-76
MW 2012-12-13
13:30
山梨 山梨大学 独立バイアス形1.2-2.0GHz帯GaAs pHEMTカスコード電力増幅器MMIC
田崎悟史高山洋一郎石川 亮本城和彦電通大MW2012-127
カスコード回路構成において,二つのトランジスタの接続点にバイアス回路を設けることで各々のトランジスタの動作点を独立に設定... [more] MW2012-127
pp.1-6
MW 2012-10-18
09:00
栃木 宇都宮大学 InGaP/GaAs HBTを用いた高効率低ひずみ独立バイアス形カスコード電力増幅器
高木裕貴高山洋一郎石川 亮本城和彦電通大MW2012-81
カスコード回路構成において,両トランジスタ間に直流バイアスを給電することにより,各トランジスタに独立にバイアスを印加でき... [more] MW2012-81
pp.1-6
MW 2011-10-20
10:15
東京 電気通信大学 InGaP/GaAs HBTを用いた独立バイアス形カスコード電力増幅器 MMIC
高木裕貴高山洋一郎石川 亮本城和彦電通大MW2011-87
カスコード回路構成において,両トランジスタ間に直流バイアスを給電することにより,トランジスタ間のバイアスを安定化させ,ト... [more] MW2011-87
pp.11-15
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