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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 13:40 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証 ○南條拓真・品川友宏・綿引達郎・三浦成久・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大）  ED2022-93 MW2022-152 |
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor（HEMT）は，通信用の高周波高出... [more] | ED2022-93 MW2022-152 pp.36-39 |
| SDM | 2022-11-10 15:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］CMOSを用いたスピン量子ビット読み出し単一電子回路シミュレーション ○棚本哲史（帝京大） SDM2022-68 |
量子コンピュータでは量子ビットの研究と同様に周辺回路の研究も重要である。量子ビットの検出には通常、単一電子素子 (Sin... [more] | SDM2022-68 pp.19-22 |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-08 09:15 |
ONLINE | オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 | ［招待講演］飽和信号量と量子効率の向上を可能にする2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー ○財津光一郎・松本 晃・西田水輝・田中裕介・山下浩史・佐竹遥介（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・渡辺 敬・荒木邦彦・根井直毅（ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング）・中澤圭一・山元純平・上原睦雄（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・川島寛之・小林悠作（ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング）・平野智之・田谷圭司（ソニーセミコンダクタソリューションズ） SDM2022-33 ICD2022-1 |
高い飽和信号量と量子効率を実現する2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー(2-Layer Pixel)を開発... [more] | SDM2022-33 ICD2022-1 pp.1-6 |
| RCS, SR, SRW (併催) |
2022-03-03 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | ［依頼講演］6Gに向けたミリ波用集積回路技術の動向 ○岡田健一（東工大） RCS2021-278 SR2021-105 SRW2021-78 |
ミリ波帯(30-300GHz)での無線機が安価なCMOS集積回路により実現できるようになり、スマートフォン等のコンシュー... [more] | RCS2021-278 SR2021-105 SRW2021-78 p.140(RCS), p.98(SR), p.46(SRW) |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価 ○越智亮太（北大）・前田瑛里香（芝浦工大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司（名大）・橋詰 保（北大/名大） ED2020-31 MW2020-84 |
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] | ED2020-31 MW2020-84 pp.22-25 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析 ○上村崇史・中田義昭・東脇正高（NICT） ED2020-33 MW2020-86 |
ゲート長200 nmのβ-Ga2O3金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) において，電流利得遮断周... [more] | ED2020-33 MW2020-86 pp.30-33 |
| MW (第二種研究会) |
2020-05-13 - 2020-05-15 |
海外 | CU（タイ・バンコク） （開催延期） |
CMOS Vector-Sum Phase Shifter With Novel Vector Summer ○Takana Kaho（Shonan Inst. of Tech.）・Kotaro Takamiya・Ramesh Pokharel Kumar（Kyushu University） |
A quasi-millimeter CMOS phase shifter which employed a vecto... [more] | |
| HWS, VLD (共催) [詳細] |
2020-03-06 16:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行あり） |
2つのMOSFETリザバー用いたエコーステートネットワークの性能評価 ○久米祐貴・辺 松・名倉健太・佐藤高史（京大） VLD2019-136 HWS2019-109 |
エコーステートネットワーク（ESN）は，ランダムかつ固定的な重みを持つリザバーを用いることが特 徴のリカレントニューラル... [more] | VLD2019-136 HWS2019-109 pp.245-250 |
| NLP, NC (併催) |
2020-01-24 13:10 |
沖縄 | 宮古島マリンターミナル | MOGAを用いたCMOSオペアンプの最適化 ○久保仁志（静岡大）・二宮 洋（湘南工科大）・浅井秀樹（静岡大） NLP2019-93 |
多目的遺伝的アルゴリズム（Multi-Objective Genetic Algorithm:MOGA）は遺伝的アルゴリ... [more] | NLP2019-93 pp.45-48 |
| SCE | 2020-01-17 13:15 |
神奈川 | 横浜市開港記念会館 | ［ポスター講演］SFQ/CMOSハイブリッドメモリ用断熱的パストランジスタデコーダの低消費電力化の研究 ○岡本 優・弘中祐樹・吉川信行（横浜国大） SCE2019-49 |
近年、CMOS 回路が限界であるため、超伝導体を用いたJosephson回路が注目されている。しかし、SFQ Josep... [more] | SCE2019-49 pp.79-81 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 15:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ［招待講演］シリコンにおける電子―電子散乱を用いたエレクトロン・ナノ・アスピレーター ○小野行徳（静岡大） ED2019-15 CPM2019-6 SDM2019-13 |
エレクトロン・ナノ・アスピレーターは、T字型分岐を有するシリコン・ナノデバイスであり、電子の流体的性質を利用することによ... [more] | ED2019-15 CPM2019-6 SDM2019-13 pp.25-28 |
| MW, ICD (共催) |
2019-03-14 15:15 |
沖縄 | 大濱信泉記念館（石垣島） | 零しきい値Si MOSトランジスタを用いた零ゲートバイアス10MHz帯増幅・整流器 ○久米鳳春・石川 亮・本城和彦（電通大） MW2018-165 ICD2018-109 |
双方向の無線電力伝送に利用可能である，増幅・整流動作を同一モジュールで行う10MHz帯高効率トランジスタ増幅・整流器の設... [more] | MW2018-165 ICD2018-109 pp.49-54 |
| SDM | 2019-01-29 13:45 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作 ○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大） SDM2018-87 |
１分子層程度のTiO2を含むHfO2/SiO2界面から界面ダイポール変調 (IDM, interface dipole ... [more] | SDM2018-87 pp.27-30 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:25 |
東京 | 日立中研 | ノーマリオフ型GaN MOS-HFETにおけるバイアスアニールの効果 ○南條拓真・小山英寿・今井章文・綿引達郎・山向幹雄（三菱電機） ED2018-78 MW2018-145 |
GaN系半導体は、高周波デバイスだけではなく、高出力スイッチングデバイスに用いる半導体材料として近年注目を集めており、ノ... [more] | ED2018-78 MW2018-145 pp.55-58 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 11:35 |
宮城 | 東北大・通研 | 新規摩擦誘起成膜法による層状半導体MoS2の結晶成長 ○伊藤孝郁・田邊匡生・小山 裕（東北大） ED2018-67 |
半導体デバイスプロセスにおける半導体結晶の新規成膜技術として、我々は摩擦を活用する簡便なプロセスを提案している。成膜する... [more] | ED2018-67 pp.53-56 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 14:35 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | An Efficient Multiplier Employing Time-Encoded Stochastic Computing Circuit ○Tati Erlina・Renyuan Zhang・Yasuhiko Nakashima（NAIST） CPSY2018-41 |
A compact multiplier circuit is designed by time-encoded sto... [more] | CPSY2018-41 pp.47-52 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 14:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善 ○梶原瑛祐・新留 彩・彦坂年輝・蔵口雅彦（東芝）・吉岡 啓（東芝デバイス&ストレージ）・布上真也（東芝） ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 |
リセス構造型のノーマリオフGaN-MOSFETのチャネル移動度を改善したので報告する．これは，リセスエッチングで生じたG... [more] | ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 pp.13-16 |
| SDM | 2018-10-18 14:00 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | ソースとドレインが非対称のMOSFETを用いた電気的特性ばらつきの統計的解析 ○市野真也・寺本章伸・黒田理人・間脇武蔵・諏訪智之・須川成利（東北大） SDM2018-62 |
高精度アナログデバイス回路の実現に支障をきたす，しきい値電圧ばらつきやランダムテレグラフノイズ（RTN）といったMOSト... [more] | SDM2018-62 pp.51-56 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-18 14:30 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | 摩擦プロセスを活用するカルコゲナイド系2D層状半導体MoS2薄膜の形成 伊藤孝郁・○田邉匡生・松永晃典・小山 裕（東北大） ED2017-75 |
半導体デバイスプロセスにおける新規成膜技術として、我々は摩擦を活用する簡便なプロセスを提案している。非線形光学デバイスに... [more] | ED2017-75 pp.13-14 |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | 190mVから昇圧可能な0.18um標準CMOSプロセスを用いたエネルギーハーベスティング向けCMOSゲート電圧2倍振幅スタートアップボルテージダブラー型チャージポンプ ○吉田穣理・宮地幸祐（信州大） CAS2017-91 ICD2017-79 CPSY2017-88 |
近年、バッテリーの電源が消失したときでも、室内光等の低電力ソースから電源供給を復帰させるコールドスタート機能を持ったIo... [more] | CAS2017-91 ICD2017-79 CPSY2017-88 p.127 |
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