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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2023-08-24 15:50 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用 ○小林康之（弘前大）・廣木正伸・熊倉一英（NTT）  R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 |
六方晶窒化ホウ素(h-BN)は，層間がファンデルワールス力により結合された六方晶系グラファイト構造の層状物質である．我々... [more] | R2023-24 EMD2023-19 CPM2023-29 OPE2023-68 LQE2023-15 pp.42-44 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 13:05 |
ONLINE | オンライン開催 | ［奨励講演］ナノワイヤ発光デバイスの埋め込み成長条件最適化および発光特性 ○宮本義也・曽根直樹・奥田廉士・Weifang Lu・伊藤和真・山村志織・神野幸美・中山奈々美・勝呂紗衣・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大） ED2021-19 CPM2021-53 LQE2021-31 |
本研究ではコアシェル型GaNナノワイヤを用いた発光デバイスの実現に向けて、p-GaNおよびn-GaNの埋め込み成長を検討... [more] | ED2021-19 CPM2021-53 LQE2021-31 pp.25-28 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価 ○森 隆一・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人（三重大） ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 |
スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に，MOVPE法を用いてチャネル膜厚1... [more] | ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 pp.83-86 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長 ○白土達也・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人（三重大） ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62 |
本研究では，低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10–80... [more] | ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62 pp.41-44 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 13:20 |
ONLINE | オンライン開催 | 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討 ○宮本義也・曽根直樹・Weifang Lu・奥田廉士・伊藤和真・奥野浩司・飯田一喜・上山 智・竹内哲也・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大） ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70 |
本研究ではコアシェル型GaNナノワイヤを用いた発光デバイスの実現に向けて、埋め込みn-GaN層の成長を検討した。ナノイン... [more] | ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70 pp.71-74 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討 ○田中隼也（名城大）・佐藤恒輔（旭化成）・安江信次・荻野雄矢・山田和輝・石塚彩花・大森智也・手良村昌平・岩山 章（名城大）・三宅秀人（三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤﨑 勇（名城大） ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 |
本グループでは昨年度、UV-B領域の電流注入型半導体レーザの実現を報告した。今後、低閾値電流密度化が最重要課題となってい... [more] | ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71 pp.75-78 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価 ○伊庭由季乃・正直花奈子・窪谷茂幸・上杉謙次郎・肖 世玉・三宅秀人（三重大） ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75 |
Face-to-face配置でアニールしたスパッタAlNテンプレート（FFA Sp-AlN）に周期300 nmと深さ12... [more] | ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75 pp.91-94 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 14:35 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ ○櫻木勇介・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢・田中隼也・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也・赤崎 勇（名城大）・三宅秀人（三重大） ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86 |
これまで活性層にAlGaNを用いた電子線励起レーザは報告されていないAlGaN井戸層を使用してレーザ構造を作製し、我々は... [more] | ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86 pp.45-48 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-22 13:25 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性 ○田中隼也・川瀬雄太（名城大）・佐藤恒輔（旭化成/名城大）・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢（名城大）・岩山 章（名城大/三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・三宅秀人（三重大） ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 |
AlGaN系UV-B光励起レーザの転位密度における閾値励起パワー密度と光学利得、内部ロスの依存性を調査した。転位密度の低... [more] | ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 pp.93-96 |
| PN, EMT, OPE, EST, MWP, LQE (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2019-01-18 11:40 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | InP/InAsP/InPヘテロ構造ナノワイヤLEDの作製と評価 ○赤松知弥・亀田滉貴・佐々木正尋・冨岡克広・本久順一（北大） PN2018-77 EMT2018-111 OPE2018-186 LQE2018-196 EST2018-124 MWP2018-95 |
ナノスケールの断面寸法を有する半導体ナノワイヤはヘテロ構造を利用した多様な量子構造が形成できるだけでなく、量子構造の個数... [more] | PN2018-77 EMT2018-111 OPE2018-186 LQE2018-196 EST2018-124 MWP2018-95 pp.247-250 |
| LQE, LSJ (共催) |
2018-05-25 13:25 |
福井 | 芦原温泉清風荘 | 親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsPレーザとInP基板上レーザの発振特性比較 ○矢田拓夢・内田和希・杉山滉一・Periyanayagam Gandhi Kallarasan・韓 旭・相川政輝・早坂夏樹・下村和彦（上智大） LQE2018-16 |
我々は，薄膜InPをSiプラットフォーム上に親水化接合したInP/Si基板を作製し，その基板上にMOVPE法を用いて光デ... [more] | LQE2018-16 pp.25-28 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 14:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長 ○吉澤 涼・林 侑介・三宅秀人・平松和政（三重大） ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79 |
AlNはワイドギャップ半導体で，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外光デバイス材料として注目されている．高効率な... [more] | ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79 pp.83-86 |
| SDM | 2017-11-09 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション ○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・岡本直也・芳松克則（名大）・寒川義裕・柿本浩一（九大） SDM2017-61 |
これまでのGaNのMOVPE成長シミュレーションではトリメチルガリウム（TMG）とアンモニアがまず反応してアダクトが形成... [more] | SDM2017-61 pp.1-4 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2017-10-26 11:40 |
熊本 | 桜の馬場城彩苑（熊本） | 中赤外波長帯発光・受光デバイスのためのIII-V族、IV族結晶成長技術 ○荒井昌和・吉元圭太・山形勇也・藤原由生・高橋 翔（宮崎大）・藤澤 剛（北大）・前田幸治（宮崎大） OCS2017-40 OPE2017-72 LQE2017-45 |
中赤外波長帯域は多数のガスの光吸収線があり、高性能な半導体レーザ、受光素子ができれば小型で高感度なガスセンシングが可能と... [more] | OCS2017-40 OPE2017-72 LQE2017-45 pp.25-28 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2017-05-26 10:45 |
愛知 | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) | N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE ○Kiattiwut Prasertsuk・Tomoyuki Tanikawa・Takeshi Kimura・Shigeyuki Kuboya・Tetsuya Suemitsu・Takashi Matsuoka（Tohoku Univ.） ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 |
[more] | ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 pp.59-64 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 10:05 |
京都 | 京大桂キャンパス | 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現 ○松田祥伸・船戸 充・川上養一（京大） ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86 |
三次元GaN上に作製したInGaN量子井戸は，蛍光体フリーな新規白色LEDとして有望である．しかし，これまで報告されてき... [more] | ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86 pp.67-70 |
| OPE, LQE (共催) |
2016-06-17 13:15 |
東京 | 機械振興会館 | 直接貼付InP/Si基板を用いたGaInAsPレーザの試作 ○西山哲央・松本恵一・岸川純也・大貫雄也・鎌田直樹・下村和彦（上智大） OPE2016-12 LQE2016-22 |
直接貼付法を用いて薄膜InP層とSi基板を貼合わせ、作製されたInP/Si基板上に結晶成長を行うことでシリコンプラットフ... [more] | OPE2016-12 LQE2016-22 pp.15-20 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 10:55 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール ○鈴木周平・林 家弘・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大） ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101 |
AlNはワイドギャップ半導体で，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外光デバイス材料として注目されている．高効率な... [more] | ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101 pp.5-9 |
| ED | 2015-07-25 10:40 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス ○木下治紀・祢津誠晃・三嶋裕一・金澤 徹・宮本恭幸（東工大） ED2015-44 |
次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マル... [more] | ED2015-44 pp.39-44 |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 直接貼付InP層を用いた異種基板上III-V族半導体発光デバイスの集積 ○松本恵一・金谷佳則・岸川純也・下村和彦（上智大） OPE2015-13 LQE2015-23 |
Si基板及びQuartz基板と薄膜InP層を直接貼付法により貼合わせ，この基板上にMOVPE法を用いてInP系の発光デバ... [more] | OPE2015-13 LQE2015-23 pp.15-20 |
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