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講演検索結果
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 55件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2024-04-11
13:50
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]200MHz超のランダムアクセス読み出し、10.4MB/sの書き換えを実現した高性能MCU向け22nm 10.8Mb混載MRAMマクロ
伊豆名雅之小川大也松原 謙帯刀恭彦斉藤朋也武田晃一金田義宣下井貴裕三谷秀徳伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクス
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
ICD 2024-04-11
14:30
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]ノーマリーオフコンピューティングに向けたData Aware Storeアーキテクチャを持つ40nm 2kb不揮発性SRAMマクロ
鈴木健太平賀啓三別所和宏ソニー)・宇佐美公良芝浦工大)・梅林 拓ソニー
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2023-06-08
14:20
宮城 東北大(通研)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]エネルギー効率を追求するコンピューティング ~ MTJを使う不揮発性記憶回路の視点から ~
宇佐美公良芝浦工大MRIS2023-3
囲碁の対戦で人間に勝利したAlphaGoやクルマの自動運転,ごく最近のChatGPTに至るまで,人工知能(AI)の技術の... [more] MRIS2023-3
pp.13-20
ICD 2023-04-10
11:00
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]高性能IoTマイコン向け22nmロジック混載STT-MRAMの高速読み出し、高速書き換え回路技術の開発
下井貴裕松原 謙斉藤朋也小川大也帯刀恭彦金田義宣伊豆名雅之武田晃一三谷秀徳伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクスICD2023-2
高性能IoTマイコン向け、22nmロジック混載プロセスにて試作した32Mb STT-MRAMの高精度センスアンプ回路技術... [more] ICD2023-2
p.7
ICD 2023-04-11
15:15
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]MCU向け混載MRAM IP開発の動向
斉藤朋也ルネサス エレクトロニクスICD2023-12
MCU向け混載不揮発メモリとして、近年MRAMをはじめとする様々なEmerging メモリが開発され、その一部では量産が... [more] ICD2023-12
p.29
ICD 2023-04-11
16:05
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[基調講演]スピントロニクス省電力半導体によるゲームチェンジと、カーボンニュートラル社会への貢献 ~ STT/SOT-MRAMからIoT/AIプロセッサーへの展開 ~
遠藤哲郎東北大ICD2023-13
 [more] ICD2023-13
p.30
SDM 2023-01-30
14:10
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]10^7以上の書き換え耐性のあるはんだリフロー工程対応のeFlash用25nmiPMA型Hexa-MTJ
本庄弘明西岡浩一三浦貞彦・○永沼 博渡辺俊成那須野 孝谷川高穂野口靖夫井上博文安平光雄池田正二遠藤哲郎東北大SDM2022-81
A solder reflow capable eflash-type MRAM was realized by int... [more] SDM2022-81
pp.9-12
SDM 2022-01-31
13:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]16nm Fin FETプロセス混載STT-MRAM における72%の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式
斉藤朋也伊藤 孝帯刀恭彦園田賢一郎渡辺源太松原 謙神田明彦下井貴裕武田晃一河野隆司ルネサス エレクトロニクスSDM2021-68
16nm FinFETロジックプロセス混載の20Mb STT-MRAMアレイを搭載したTEGチップを用いて、低エネルギー... [more] SDM2021-68
pp.1-4
HWS, VLD
(共催) [詳細]
2021-03-03
10:00
ONLINE オンライン開催 ディープラーニングモデルのMRAM格納時におけるApproximate Computingを用いたエネルギー削減手法
小野義基宇佐美公良芝浦工大VLD2020-67 HWS2020-42
近年、エッジデバイスにおけるディープラーニング、とりわけオンチップ学習が注目を集めている。加えて、磁気抵抗メモリ(MRA... [more] VLD2020-67 HWS2020-42
pp.1-6
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2020-10-05
14:20
ONLINE オンライン開催 SmFe2超磁歪薄膜を用いたピエゾエレクトロニック・磁気トンネル接合素子の最近の研究
浦下宗輝小野澤 隼北川涼太冨田誠人春本高志史 蹟中村吉男高村陽太中川茂樹東工大MRIS2020-3
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)の不揮発性記憶素子である磁気トンネル接合素子(MTJ)においては,磁化反転時に... [more] MRIS2020-3
pp.12-15
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2018-12-06
15:30
愛媛 愛媛大学 電圧トルクMRAMにおける書き込みエラー率のシミュレーション解析
今村裕志産総研MRIS2018-23
電圧印加による磁気異方性の変化を書き込みに利用した電圧トルクMRAMは高速・超低消費電力な不揮発性メモリとして注目を集め... [more] MRIS2018-23
pp.19-23
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2017-07-07
16:10
東京 東京工業大学 電圧制御型スピントロニクスメモリ (VoCSM)
ブヤンダライ アルタンサルガイ與田博明清水真理子井口智明大沢裕一下村尚治白鳥聡志杉山英行加藤侑志上口裕三鴻井克彦及川壮一石川瑞恵斉藤好昭黒部 篤東芝MR2017-16
電圧制御型スピントロニクスメモリ(voltage-control spintronics memory: VoCSM)は... [more] MR2017-16
pp.37-40
ICD 2017-04-20
10:35
東京 機械振興会館 [依頼講演]2Xnm世代以降のトランジスタに向けた,高速且つ低消費電力動作する不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発
才田大輔柏田沙織矢ヶ部恵弥大坊忠臣伊藤順一野口紘希安部恵子藤田 忍東芝)・福本三芳三輪真嗣鈴木義茂阪大ICD2017-2
 [more] ICD2017-2
pp.5-9
ICD 2017-04-20
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]9F2型高密度セルと階層ビット線方式を採用しLPDDR2インターフェースを実装した4GビットSTT-MRAM
土田賢二東芝)・Kwangmyoung RhoDongkeun KimSK hynix)・白井 豊東芝)・Jihyae BaeSK hynix)・稲場恒夫野呂寛洋東芝)・Hyunin MoonSungwoong ChungSK hynix)・須之内一正東芝)・Jinwon ParkKiseon ParkSK hynix)・山本明人東芝)・Seoungju ChungHyeongon KimSK hynixICD2017-3
開発した4Gb STT-MRAMは、垂直記録型TMR素子を採用した1T1MTJ型のメモリセルを導入する事で90nm×90... [more] ICD2017-3
pp.11-16
SDM 2017-01-30
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]電圧トルクMRAM (VCM) 向け読み出し/書き込み回路と大容量キャッシュメモリへの応用
塩田陽一産総研)・野口紘希池上一隆安部恵子藤田 忍東芝)・野崎隆行湯浅新治産総研)・鈴木義茂阪大SDM2016-135
電圧トルク MRAM は、電圧パルスによる磁化反転を書き込み原理に利用する MRAM である。磁化反 転に電流を必要とせ... [more] SDM2016-135
pp.21-24
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-10-20
14:00
福岡 九州大学西新プラザ 磁気渦コアの運動および極性反転の誘導検出シミュレーション
牙 暁瑞田中輝光松山公秀九大MR2016-23
本研究では,磁気渦コア(VC)の運動解析と極性反転に関するシミュレーション結果について述べる.磁気渦コア(VC)の運動に... [more] MR2016-23
pp.19-22
ICD 2016-04-14
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計
小池洋紀三浦貞彦本庄弘明渡辺俊成佐藤英夫佐藤創志那須野 孝野口靖夫安平光雄谷川高穂丹羽正昭伊藤顕知池田正二大野英男遠藤哲郎東北大ICD2016-10
高密度1T-1MTJ STT-MRAM実現に最適な,高ばらつき耐性・高動作マージンリファレンス電圧(Vref)生成回路,... [more] ICD2016-10
pp.51-56
SDM 2016-01-28
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ
池上一隆野口紘希高谷 聡鎌田親義天野 実安部恵子櫛田桂一北川英二落合隆夫下村尚治才田大輔川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝SDM2015-126
MTJをキャッシュメモリに応用することで、プロセッサの消費電力を大幅に低減することが期待されている。しかし、10 ns以... [more] SDM2015-126
pp.27-30
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2015-07-10
16:35
東京 早稲田大学 [招待講演]固体磁気メモリの現状と新材料開発
三谷誠司物質・材料研究機構
MRAMや不揮発ロジックへの応用のための強磁性トンネル接合に係る材料開発の現状を、素子及びデバイス開発の動向・問題点とと... [more]
SDM 2015-03-02
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価
角田浩司青木正樹能代英之射場義久吉田親子山崎裕一高橋 厚畑田明良中林正明杉井寿博超低電圧デバイス技研組合SDM2014-166
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて,メモリアレイのデータ保持特性... [more] SDM2014-166
pp.23-28
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