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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2020-10-05
14:20
ONLINE オンライン開催 SmFe2超磁歪薄膜を用いたピエゾエレクトロニック・磁気トンネル接合素子の最近の研究
浦下宗輝小野澤 隼北川涼太冨田誠人春本高志史 蹟中村吉男高村陽太中川茂樹東工大MRIS2020-3
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)の不揮発性記憶素子である磁気トンネル接合素子(MTJ)においては,磁化反転時に... [more] MRIS2020-3
pp.12-15
ITE-MMS, MRIS
(連催)
2010-10-14
16:15
秋田 秋田県産業技術総合研究センター 高度技術研究所 垂直磁気異方性制御が可能なL10型Fe(PdxPt1-x)合金を用いたスピン注入書き込みMRAM用FePt基TMR積層膜の作製
大宮翔吾吉村 哲江川元太斉藤 準秋田大MR2010-27
我々は、高い規則度を有しながら垂直磁気異方性磁界の制御が可能なL10-Fe(Pd,Pt)薄膜を作製した。
本薄膜をスピ... [more]
MR2010-27
pp.31-36
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
15:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit
Masashi KamiyanagiFumitaka IgaShoji IkedaTohoku Univ.)・Katsuya MiuraTohoku Univ./Hitachi)・Jun HayakawaHitachi)・Haruhiro HasegawaTakahiro HanyuHideo OhnoTetsuo EndohTohoku Univ.ED2009-52 SDM2009-47
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] ED2009-52 SDM2009-47
pp.9-12
ICD 2005-04-15
10:30
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア
辻 高晴ルネサステクノロジ)・谷崎弘晃ルネサスデバイスデザイン)・石川正敏大谷 順山口雄一郎上野修一大石 司日高秀人ルネサステクノロジ
MRAM (Magnetic Random Access Memory) は無制限の書き換え/読み出し回数による高信頼性... [more] ICD2005-13
pp.1-6
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