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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-14 09:15 |
愛媛 | 愛媛県男女共同参画センター | 単発DCストレス測定による負バイアス温度不安定性のAC特性を再現可能なモデル ○保坂 巧（埼玉大）・西澤真一（福岡大）・岸田 亮（東京理科大）・松本高士（東大）・小林和淑（京都工繊大）  VLD2019-35 DC2019-59 |
本論文ではコンパクトな負バイアス温度不安定性（NBTI）モデルを提案する．提案モデルは反応拡散（tn）およびホールトラッ... [more] | VLD2019-35 DC2019-59 pp.57-62 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 09:50 |
広島 | サテライトキャンパスひろしま | レプリカセンサを用いたNBTIによる回路特性変動予測に関する検討 ○大島國弘・辺 松・廣本正之・佐藤高史（京大） VLD2018-67 DC2018-53 |
集積回路の主要な信頼性問題である NBTI (Negative bias temperature instability... [more] | VLD2018-67 DC2018-53 pp.195-200 |
| SDM | 2016-01-28 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トンネルトランジスタにおけるBTIの理解 ○水林 亘・森 貴洋・福田浩一・石川由紀・森田行則・右田真司・太田裕之・柳 永勛・大内真一・塚田順一・山内洋美・松川 貴・昌原明植・遠藤和彦（産総研） SDM2015-122 |
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] | SDM2015-122 pp.9-12 |
| DC | 2014-12-19 13:00 |
富山 | 高岡テクノドーム | FPGAのリングオシレータにおけるNBTI劣化量の低減と制御に関する検討 ○佐藤康夫・三宅庸資・梶原誠司（九工大） DC2014-67 |
リングオシレータはLSIやFPGAの信頼性向上の様々な用途に使われているが，NBTI等の物理劣化現象による特性の悪化が問... [more] | DC2014-67 pp.1-6 |
| SCE | 2014-10-15 14:30 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 導波路結合型超伝導ナノワイヤ単一光子検出器の作製と評価 ○和木健太朗（阪大/NICT）・山下太郎（NICT）・井上振一郎（NICT/JST）・三木茂人・寺井弘高（NICT）・生田力三・山本 俊・井元信之（阪大） SCE2014-37 |
近年，様々な光学部品をワンチップに集約するモノリシック集積回路が注目されているが，そのキーデバイスとして導波路結合型超伝... [more] | SCE2014-37 pp.17-21 |
| DC | 2014-06-20 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | リング発振器を用いたLSIの劣化推定法 池田龍史・○三浦幸也（首都大東京） DC2014-11 |
ナノスケールのトランジスタではNegative Bias Temperature Instability（NBTI）やP... [more] | DC2014-11 pp.7-14 |
| CPSY, RECONF, VLD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2014-01-29 15:40 |
神奈川 | 慶応義塾大学 日吉キャンパス | オンチップリークモニタ回路を用いたNBTI測定手法の提案と有効性 ○佐藤貴晃・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2013-131 CPSY2013-102 RECONF2013-85 |
近年の微細化によって、トランジスタの経年劣化現象がLSIの正常動作を妨げる要因として顕著になってきている。そのため、この... [more] | VLD2013-131 CPSY2013-102 RECONF2013-85 pp.173-178 |
| DC | 2013-06-21 16:30 |
東京 | 機械振興会館 | リング発振器を用いたトランジスタの劣化推定法 ○池田龍史・三浦幸也（首都大東京） DC2013-15 |
ナノスケールのトランジスタではNegative Bias Temperature Instability（NBTI）やP... [more] | DC2013-15 pp.31-36 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 12:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Reliability Measurement of PFETs under Post Fabrication Self-Improvement Scheme for SRAM ○Nurul Ezaila Alias・Anil Kumar・Takuya Saraya（Univ. of Tokyo）・Shinji Miyano（STARC）・Toshiro Hiramoto（Univ. of Tokyo） |
The negative bias temperature instability (NBTI) reliability... [more] | |
| VLD | 2012-03-07 09:15 |
大分 | ビーコンプラザ | NBTIを考慮した電源配線最適化の一手法 ○長田賢明・福井正博（立命館大）・築山修治（中大） VLD2011-132 |
LSIの微細化・高集積化技術の進展に伴い, LSIの信頼性問題であるNBTI (負バイアス温度不安定性)によるタイミング... [more] | VLD2011-132 pp.73-78 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2011-11-28 10:30 |
宮崎 | ニューウェルシティ宮崎 | 90nmプロセス商用FPGAにマッピングしたリングオシレータの発振周波数の劣化評価 ○石井翔平（京都工繊大）・小林和淑（京都工繊大/JST） VLD2011-55 DC2011-31 |
微細化に伴い顕著になってきたFPGAの経年劣化に関する問題に着目し、NBTIによるFPGAの劣化を定量的に評価した。FP... [more] | VLD2011-55 DC2011-31 pp.19-24 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2011-11-29 15:05 |
宮崎 | ニューウェルシティ宮崎 | NBTI回復現象を利用したマルチコアLSIの自己特性補償法 ○松本高士・牧野紘明（京大）・小林和淑（京都工繊大）・小野寺秀俊（京大） CPM2011-160 ICD2011-92 |
近年のLSI の微細化により、信頼性の高いシステムを構築することはますます困難となってきている。主要な要因の１つとして、... [more] | CPM2011-160 ICD2011-92 pp.59-63 |
| ICD | 2010-12-16 15:10 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | ［ポスター講演］測定時の劣化の影響を除去した高速NBTI回復特性センサーの検討 ○松本高士・牧野紘明（京大）・小林和淑（京都工繊大/JST）・小野寺秀俊（京大/JST） ICD2010-104 |
本論文において我々は400nsの測定遅延を持つNBTI回復センサー回路を提案した。本回路は多数のユニットセルを含む。1つ... [more] | ICD2010-104 pp.55-58 |
| CAS (第二種研究会) |
2010-10-06 09:45 |
千葉 | 幕張メッセ | ［招待講演］DFRシミュレーション、デバイスから回路へ ○松澤一也・萩島大輔・石原貴光（東芝） |
LSIの価値には機能と性能だけでなく、長期信頼性も重要な要素として含まれる。従来は、膜レベルとデバイス・レベルでの信頼性... [more] | |
| ICD (ワークショップ) |
2010-08-16 - 2010-08-18 |
海外 | ホーチミン市百科大学 | ［招待講演］Circuit Failure Prediction by Field Test (DART) with Delay-Shift Measurement Mechanism ○Yasuo Sato・Seiji Kajihara（Kyusyu Institute of Technology）・Michiko Inoue・Tomokazu Yoneda・Satoshi Ohtake・Hideo Fujiwara（NAIST）・Yukiya Miura（Tokyo Metropolitan Univ.） |
The main task of test had traditionally been screening of ha... [more] | |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2010-07-22 10:45 |
大阪 | 常翔学園大阪センター | PMOS/NMOSのプロセスばらつきを独立に検出するためのリング型バッファチェインを用いたオンチップモニタ ○飯塚哲也・名倉 徹・浅田邦博（東大） ICD2010-24 |
本論文では、リング型バッファチェインとパルスカウンタを用いたプロセスばらつきモニタを提案し、その理論的解析を行う。提案回... [more] | ICD2010-24 pp.15-20 |
| SCE | 2008-07-24 14:15 |
東京 | 機械振興会館 | μmスケールのNb-SIS接合とNbTiN-マイクロストリップ線路がそれぞれ水晶基板に直接接する構造を有するSISミクサ素子 ○遠藤 光（東大/国立天文台/学振）・野口 卓・クロッグ マティアス（国立天文台）・シトフ セルゲイ（国立天文台/高周波電子工学研）・単 文磊（紫金山天文台）・田村友範（国立天文台）・小嶋崇文（国立天文台/阪府大）・鵜沢佳徳・酒井 剛（国立天文台）・井上裕文（東大/国立天文台）・河野孝太郎（東大） SCE2008-17 |
SIS接合と薄膜伝送線路に異なる材料を採用したSIS素子の、新しい構造と製法について報告する。このSIS素子の構造上の特... [more] | SCE2008-17 pp.13-18 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 09:00 |
東京 | 機械振興会館 | (100), (110)基板上High-k/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察 ○佐藤基之・杉田義博・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-128 ICD2008-38 |
(110) 基板は(100) 基板上と比較して正孔の有効質量が実効的に小さいことから大きな正孔移動度が得られる。しかしな... [more] | SDM2008-128 ICD2008-38 pp.1-6 |
| SDM | 2007-10-04 15:15 |
宮城 | 東北大学 | 先端ＤＲＡＭでのＳｉＯＮゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について ○村川惠美（東京エレクトロン/東北大）・竹内政志・本田 稔・石塚修一・中西敏雄・廣田良浩（東京エレクトロンAT）・菅原卓也・田中義嗣・赤坂泰志（東京エレクトロン）・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2007-175 |
プラズマ窒化によるＳｉＯＮゲート絶縁膜形成において、高分解ＲＢＳによって校正されたＡＲ－ＸＰＳを用いて絶縁膜中窒素濃度分... [more] | SDM2007-175 pp.11-14 |
| SDM | 2007-06-08 09:25 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果 ○寺井真之・藤枝信次（NEC） SDM2007-40 |
プラズマ酸窒化膜をゲート絶縁膜に用いたp型MOSFETのNBTIに対し、プラズマ窒化及びフッ素導入が及ぼす効果を調べた。... [more] | SDM2007-40 pp.49-54 |
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