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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-11-11
15:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]プラズマからのイオン衝撃により形成される欠陥構造の解析技術
江利口浩二京大SDM2021-57
電子デバイス製造においてプラズマプロセスは重要な役割を担っている.プラズマエッチングでは,イオン照射と表面反応最適化によ... [more] SDM2021-57
pp.23-28
SDM 2021-01-28
15:35
ONLINE オンライン開催 [招待講演]プラズマ曝露中に確率的ラテラル散乱によって導入されるシリコン中の欠陥が超低リーク電流デバイスに与える影響の評価
佐藤好弘山田隆善西村佳壽子山崎雅之村上雅史パナソニック)・占部継一郎江利口浩二京大SDM2020-53
イメージセンサに代表される超低リーク電流デバイスを設計する上で,極微少量欠陥の存在および分布がデバイス特性に及ぼす影響を... [more] SDM2020-53
pp.17-20
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
14:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 65nmSOTBプロセスで試作したリングオシレータを用いたアンテナダメージによる初期発振周波数劣化の測定と評価
大島 梓岸田 亮籔内美智太郎小林和淑京都工繊大SDM2014-79 ICD2014-48
近年の集積回路の微細化に伴い, BTIやアンテナダメージの影響が深刻化してい
る。本研究では, 65nm バルク・S... [more]
SDM2014-79 ICD2014-48
pp.93-98
SDM 2014-02-28
10:10
東京 機械振興会館 [招待講演]先端Low-k配線技術における課題と指針
井上尚也ルネサス エレクトロニクスSDM2013-166
先端LSIの多層配線の開発トレンドを概観しながら、Low-k材料に注目したインテグレーションの課題とその解決策についてま... [more] SDM2013-166
pp.7-12
SDM 2012-10-25
16:35
宮城 東北大学未来研 温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析
松田朝彦中久保義則鷹尾祥典江利口浩二斧 高一京大
プラズマエッチング時のソースドレインエクステンション領域でのSi基板ダメージは,MOSFET劣化の要因として問題となって... [more]
SDM 2011-10-21
14:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル
江利口浩二中久保義則松田朝彦鷹尾祥典斧 高一京大SDM2011-110
プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが,デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した.イオンの... [more] SDM2011-110
pp.73-78
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