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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-10-19
17:20
ONLINE オンライン開催に変更 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討
田沼将一Joong-Won Shin大見俊一郎東工大SDM2022-63
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] SDM2022-63
pp.38-42
SDM 2021-10-21
13:25
ONLINE オンライン開催 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討
田沼将一Joong-Won Shin大見俊一郎東工大SDM2021-47
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] SDM2021-47
pp.12-15
SDM 2019-10-23
14:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成
片岡正和林 将生キム ミンギ大見俊一郎東工大SDM2019-54
本研究では、ノンドープHfO2薄膜を用いた強誘電体ゲートFETの実現を目的として、Hf界面層の導入による低誘電率SiO2... [more] SDM2019-54
pp.7-10
US 2012-09-24
14:45
秋田 秋田大学 手形キャンパス RFマグネトロンスパッタ法における基板へのイオン照射を用いた極性反転ZnO薄膜の作製
生駒 遼同志社大)・柳谷隆彦名工大)・高柳真司同志社大)・鈴木雅視名工大)・小田川裕之熊本高専)・松川真美同志社大US2012-61
ZnO結晶のc軸方向には極性があり,通常,スパッタ法などで作製したc軸配向ZnO薄膜は成長終端がZn極性面となるように成... [more] US2012-61
pp.21-25
CPM 2011-08-11
09:25
青森 弘前大学 文京町キャンパス RFマグネトロンスパッタ法によるAZO透明導電膜の作製
梅原 猛野毛 悟沼津高専CPM2011-67
RFマグネトロンスパッタ法によるAZO薄膜の成膜条件に関する検討結果について報告する.放電ガスAr中に反応性ガス$O_2... [more] CPM2011-67
pp.55-60
US 2010-09-30
10:50
宮城 東北大学 工学部 電子情報システム・応物系 南講義棟103会議室 RFバイアススパッタ法によるc軸平行配向ZnO薄膜の形成 ~ バイアス周波数が配向性に及ぼす影響 ~
高柳真司同志社大)・柳谷隆彦名工大)・松川真美渡辺好章同志社大US2010-62
c軸が基板面と平行かつ一方向に配向した((11-20)面,(10-10) 面配向)ZnO薄膜を用いた共振子は横波を励振す... [more] US2010-62
pp.75-80
US 2009-09-30
09:00
北海道 祝いの宿 登別グランドホテル 会議室 c軸傾斜反転配向ZnO多層膜の作製と横波共振子への応用
守里直希高柳真司同志社大)・柳谷隆彦名工大)・松川真美渡辺好章同志社大US2009-47
本研究では,これまでに電界方向に対してc軸が23°傾いたZnO膜の作製に成功している.この薄膜を用いてc軸の傾斜方向を交... [more] US2009-47
pp.53-58
US 2009-09-30
09:50
北海道 祝いの宿 登別グランドホテル 会議室 直線状エロージョンマグネトロンスパッタリングによる(11-20)配向ZnO圧電膜の大面積成膜
川本貴之同志社大/オムロン)・柳谷隆彦名工大)・松川真美渡辺好章同志社大)・森 嘉一佐々木 昌大場正利オムロンUS2009-49
これまで,円形エロージョンを有したRFマグネトロンスパッ装置を用いた(11-20)ZnO圧電膜の作製の報告がなされている... [more] US2009-49
pp.65-70
US 2009-09-30
11:45
北海道 祝いの宿 登別グランドホテル 会議室 LFB超音波材料解析システムによる石英ガラス上のZnO多結晶薄膜の評価
近藤貴則吉田 翔高麗友輔大橋雄二荒川元孝櫛引淳一東北大)・藤井 知セイコーエプソンUS2009-53
DCスパッタリング法およびRFマグネトロンスパッタリング法により合成石英ガラス基板上に作製した複数の異なる膜厚のZnO多... [more] US2009-53
pp.89-94
US 2007-09-28
13:00
宮城 東北大学 (1120)ZnO膜/石英基板構造のSH型SAW伝搬特性
田中厚志同志社大)・柳谷隆彦東北大)・松川真美渡辺好章同志社大US2007-48
これまでに我々は非結晶基板上に(11-20)面配向ZnO膜を作製する技術を確立してきた.この膜にIDTを形成すると,SH... [more] US2007-48
pp.31-36
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