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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-10-19
17:20
ONLINE オンライン開催に変更 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討
田沼将一Joong-Won Shin大見俊一郎東工大SDM2022-63
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] SDM2022-63
pp.38-42
SDM 2021-10-21
13:25
ONLINE オンライン開催 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討
田沼将一Joong-Won Shin大見俊一郎東工大SDM2021-47
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] SDM2021-47
pp.12-15
SDM 2019-10-23
14:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成
片岡正和林 将生キム ミンギ大見俊一郎東工大SDM2019-54
本研究では、ノンドープHfO2薄膜を用いた強誘電体ゲートFETの実現を目的として、Hf界面層の導入による低誘電率SiO2... [more] SDM2019-54
pp.7-10
SDM 2018-10-18
10:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 on Si(100) by RF magnetron sputtering
Min Gee KimRengie Mark D. MailigShun-ichiro OhmiTokyo Tech.SDM2018-58
In this study, we investigated thin film formation of ferroe... [more] SDM2018-58
pp.31-34
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
13:15
京都 京都大学 GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用
髙木 瞭龍谷大)・梅田鉄馬奈良先端大)・松田時宜龍谷大)・上沼睦典奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2017-16 SDM2017-77
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O(a-GTO)薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] EID2017-16 SDM2017-77
pp.23-28
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
13:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価
吉岡敏博小川淳史弓削政博松田時宜木村 睦龍谷大EID2015-15 SDM2015-98
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] EID2015-15 SDM2015-98
pp.27-30
EID, SDM
(共催)
2015-12-14
15:15
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価
小川淳史弓削政博吉岡敏博松田時宜木村 睦龍谷大EID2015-20 SDM2015-103
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] EID2015-20 SDM2015-103
pp.49-52
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
14:45
京都 京都大学 GaSnO薄膜の特性評価
加藤雄太西本大樹松田時宜木村 睦龍谷大EID2014-28 SDM2014-123
RFマグネトロンスパッタリング法により組成比の異なる2種類のGaSnO(GTO)薄膜をそれぞれ成膜圧力を変えて作製し、特... [more] EID2014-28 SDM2014-123
pp.79-82
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-07-12
13:50
東京 中央大学 L10型規則構造を持つ強磁性合金薄膜の表面平坦性制御
板橋 明大竹 充中大)・桐野文良東京藝術大)・二本正昭中大MR2013-7
L10構造を持つエピタキシャルFePd,FePt,および,CoPt合金薄膜を超高真空RFマグネトロンスパッタリング法によ... [more] MR2013-7
pp.7-12
US 2012-09-24
14:45
秋田 秋田大学 手形キャンパス RFマグネトロンスパッタ法における基板へのイオン照射を用いた極性反転ZnO薄膜の作製
生駒 遼同志社大)・柳谷隆彦名工大)・高柳真司同志社大)・鈴木雅視名工大)・小田川裕之熊本高専)・松川真美同志社大US2012-61
ZnO結晶のc軸方向には極性があり,通常,スパッタ法などで作製したc軸配向ZnO薄膜は成長終端がZn極性面となるように成... [more] US2012-61
pp.21-25
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
14:50
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価
丹羽彬夫以西雅章中村光宏野口貴史静岡大ED2012-37 CPM2012-21 SDM2012-39
RFマグネトロンスパッタリング法により,Li二次電池正極用のLiMn2O4薄膜を生成している.本研究では,様々な条件で薄... [more] ED2012-37 CPM2012-21 SDM2012-39
pp.99-104
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
15:15
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー TiO2薄膜の光触媒特性向上のための助触媒効果
以西雅章中村郁太稗田祐貴深澤史也静岡大)・星 陽一東京工芸大ED2012-38 CPM2012-22 SDM2012-40
あらまし 本研究は、RFマグネトロンスパッタリング法により生成した酸化チタン薄膜に銅と鉄を助触媒として担持することで光触... [more] ED2012-38 CPM2012-22 SDM2012-40
pp.105-109
CPM 2011-10-26
13:50
福井 福井大学 産学官連携本部研修室 RF-DC結合形スパッタ法による室温成膜AZO薄膜の特性
樫出 淳名越克仁富口祐輔清水英彦岩野春男川上貴浩永田向太郎福嶋康夫坪井 望野本隆宏新潟大CPM2011-111
本研究では,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法(低電圧スパッタ法)に注目し,この方法により室温にてAZ... [more] CPM2011-111
pp.11-15
CPM 2011-08-11
09:25
青森 弘前大学 文京町キャンパス RFマグネトロンスパッタ法によるAZO透明導電膜の作製
梅原 猛野毛 悟沼津高専CPM2011-67
RFマグネトロンスパッタ法によるAZO薄膜の成膜条件に関する検討結果について報告する.放電ガスAr中に反応性ガス$O_2... [more] CPM2011-67
pp.55-60
EMD, CPM, OME
(共催)
2011-06-30
16:55
東京 機械振興会館 低電圧スパッタ法を用いた室温成膜AZO薄膜の特性
樫出 淳名越克仁清水英彦岩野春男川上貴浩永田向太郎福嶋康夫坪井 望野本隆宏新潟大EMD2011-18 CPM2011-54 OME2011-32
本研究では,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法と,ターゲットの焼結温度に注目し,高エネルギー粒子が膜に... [more] EMD2011-18 CPM2011-54 OME2011-32
pp.59-63
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
13:50
愛知 名古屋大学 VBL TiO2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性
中村郁太佐藤孝紀以西雅章静岡大)・星 陽一東京工芸大ED2011-28 CPM2011-35 SDM2011-41
RFマグネトロンスパッタリング法により生成した酸化チタン薄膜に白金を担持させ、光触媒特性を比較・評価した。白金を助触媒と... [more] ED2011-28 CPM2011-35 SDM2011-41
pp.139-143
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
14:15
愛知 名古屋大学 VBL スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価
中村光宏丹羽彬夫以西雅章静岡大ED2011-29 CPM2011-36 SDM2011-42
RFマグネトロンスパッタリング法により、Li二次電池正極用のLiMn2O4薄膜を生成している。本研究では、様々な条件で薄... [more] ED2011-29 CPM2011-36 SDM2011-42
pp.145-149
ITE-MMS, MRIS
(連催)
2010-12-10
10:15
愛媛 愛媛大学 総合メディアセンター RFマグネトロンスパッタリング法によりGaAs(001)基板上に作製したFe(001)薄膜の磁気特性評価
和田祐也池谷浩和高橋 豊稲葉信幸山形大)・桐野文良東京藝術大)・大竹 充二本正昭中大MR2010-50
RFマグネトロンスパッタリング法を用いてGaAs(001)基板上にFe(001)薄膜(膜厚 >= 6 nm)を成膜し,X... [more] MR2010-50
pp.59-63
US 2010-09-30
10:50
宮城 東北大学 工学部 電子情報システム・応物系 南講義棟103会議室 RFバイアススパッタ法によるc軸平行配向ZnO薄膜の形成 ~ バイアス周波数が配向性に及ぼす影響 ~
高柳真司同志社大)・柳谷隆彦名工大)・松川真美渡辺好章同志社大US2010-62
c軸が基板面と平行かつ一方向に配向した((11-20)面,(10-10) 面配向)ZnO薄膜を用いた共振子は横波を励振す... [more] US2010-62
pp.75-80
US 2010-09-30
11:40
宮城 東北大学 工学部 電子情報システム・応物系 南講義棟103会議室 Ta2O5薄膜/Si基板を用いた圧電薄膜共振子の作製
土屋彰教垣尾省司山梨大)・中川恭彦山梨大名誉教授US2010-64
酸素ラジカル源を搭載した高周波スパッタ装置を用いて,SiO2基板上にX軸配向Ta2O5薄膜を作製し,その配向性,レイリー... [more] US2010-64
pp.87-92
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