| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-10-19 17:20 |
ONLINE | オンライン開催に変更 | 強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大）  SDM2022-63 |
強誘電性HfO2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタへ(... [more] | SDM2022-63 pp.38-42 |
| SDM | 2021-10-21 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜形成に関する検討 ○田沼将一・Joong-Won Shin・大見俊一郎（東工大） SDM2021-47 |
強誘電体HfO_2薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(... [more] | SDM2021-47 pp.12-15 |
| SDM | 2019-10-23 14:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成 ○片岡正和・林 将生・キム ミンギ・大見俊一郎（東工大） SDM2019-54 |
本研究では、ノンドープHfO2薄膜を用いた強誘電体ゲートFETの実現を目的として、Hf界面層の導入による低誘電率SiO2... [more] | SDM2019-54 pp.7-10 |
| SDM | 2018-10-18 10:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | Thin film formation of ferroelectric undoped HfO2 on Si(100) by RF magnetron sputtering ○Min Gee Kim・Rengie Mark D. Mailig・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Tech.） SDM2018-58 |
In this study, we investigated thin film formation of ferroe... [more] | SDM2018-58 pp.31-34 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 13:15 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用 ○髙木 瞭（龍谷大）・梅田鉄馬（奈良先端大）・松田時宜（龍谷大）・上沼睦典（奈良先端大）・木村 睦（龍谷大） EID2017-16 SDM2017-77 |
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O（a-GTO）薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] | EID2017-16 SDM2017-77 pp.23-28 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 13:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 ○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-15 SDM2015-98 |
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] | EID2015-15 SDM2015-98 pp.27-30 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 ○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-20 SDM2015-103 |
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] | EID2015-20 SDM2015-103 pp.49-52 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 14:45 |
京都 | 京都大学 | GaSnO薄膜の特性評価 ○加藤雄太・西本大樹・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-28 SDM2014-123 |
RFマグネトロンスパッタリング法により組成比の異なる2種類のGaSnO(GTO)薄膜をそれぞれ成膜圧力を変えて作製し、特... [more] | EID2014-28 SDM2014-123 pp.79-82 |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2013-07-12 13:50 |
東京 | 中央大学 | L10型規則構造を持つ強磁性合金薄膜の表面平坦性制御 ○板橋 明・大竹 充（中大）・桐野文良（東京藝術大）・二本正昭（中大） MR2013-7 |
L10構造を持つエピタキシャルFePd，FePt，および，CoPt合金薄膜を超高真空RFマグネトロンスパッタリング法によ... [more] | MR2013-7 pp.7-12 |
| US | 2012-09-24 14:45 |
秋田 | 秋田大学 手形キャンパス | RFマグネトロンスパッタ法における基板へのイオン照射を用いた極性反転ZnO薄膜の作製 ○生駒 遼（同志社大）・柳谷隆彦（名工大）・高柳真司（同志社大）・鈴木雅視（名工大）・小田川裕之（熊本高専）・松川真美（同志社大） US2012-61 |
ZnO結晶のc軸方向には極性があり，通常，スパッタ法などで作製したc軸配向ZnO薄膜は成長終端がZn極性面となるように成... [more] | US2012-61 pp.21-25 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 14:50 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価 ○丹羽彬夫・以西雅章・中村光宏・野口貴史（静岡大） ED2012-37 CPM2012-21 SDM2012-39 |
RFマグネトロンスパッタリング法により，Li二次電池正極用のLiMn2O4薄膜を生成している．本研究では，様々な条件で薄... [more] | ED2012-37 CPM2012-21 SDM2012-39 pp.99-104 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 15:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | TiO2薄膜の光触媒特性向上のための助触媒効果 ○以西雅章・中村郁太・稗田祐貴・深澤史也（静岡大）・星 陽一（東京工芸大） ED2012-38 CPM2012-22 SDM2012-40 |
あらまし 本研究は、RFマグネトロンスパッタリング法により生成した酸化チタン薄膜に銅と鉄を助触媒として担持することで光触... [more] | ED2012-38 CPM2012-22 SDM2012-40 pp.105-109 |
| CPM | 2011-10-26 13:50 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | RF-DC結合形スパッタ法による室温成膜AZO薄膜の特性 ○樫出 淳・名越克仁・富口祐輔・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・永田向太郎・福嶋康夫・坪井 望・野本隆宏（新潟大） CPM2011-111 |
本研究では，低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法（低電圧スパッタ法）に注目し，この方法により室温にてAZ... [more] | CPM2011-111 pp.11-15 |
| CPM | 2011-08-11 09:25 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | RFマグネトロンスパッタ法によるAZO透明導電膜の作製 ○梅原 猛・野毛 悟（沼津高専） CPM2011-67 |
RFマグネトロンスパッタ法によるAZO薄膜の成膜条件に関する検討結果について報告する．放電ガスAr中に反応性ガス$O_2... [more] | CPM2011-67 pp.55-60 |
| EMD, CPM, OME (共催) |
2011-06-30 16:55 |
東京 | 機械振興会館 | 低電圧スパッタ法を用いた室温成膜AZO薄膜の特性 ○樫出 淳・名越克仁・清水英彦・岩野春男・川上貴浩・永田向太郎・福嶋康夫・坪井 望・野本隆宏（新潟大） EMD2011-18 CPM2011-54 OME2011-32 |
本研究では，低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法と，ターゲットの焼結温度に注目し，高エネルギー粒子が膜に... [more] | EMD2011-18 CPM2011-54 OME2011-32 pp.59-63 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 13:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | TiO2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性 ○中村郁太・佐藤孝紀・以西雅章（静岡大）・星 陽一（東京工芸大） ED2011-28 CPM2011-35 SDM2011-41 |
RFマグネトロンスパッタリング法により生成した酸化チタン薄膜に白金を担持させ、光触媒特性を比較・評価した。白金を助触媒と... [more] | ED2011-28 CPM2011-35 SDM2011-41 pp.139-143 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | スパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成と評価 ○中村光宏・丹羽彬夫・以西雅章（静岡大） ED2011-29 CPM2011-36 SDM2011-42 |
RFマグネトロンスパッタリング法により、Li二次電池正極用のLiMn2O4薄膜を生成している。本研究では、様々な条件で薄... [more] | ED2011-29 CPM2011-36 SDM2011-42 pp.145-149 |
| ITE-MMS, MRIS (連催) |
2010-12-10 10:15 |
愛媛 | 愛媛大学 総合メディアセンター | RFマグネトロンスパッタリング法によりGaAs(001)基板上に作製したFe(001)薄膜の磁気特性評価 ○和田祐也・池谷浩和・高橋 豊・稲葉信幸（山形大）・桐野文良（東京藝術大）・大竹 充・二本正昭（中大） MR2010-50 |
RFマグネトロンスパッタリング法を用いてGaAs(001)基板上にFe(001)薄膜(膜厚 >= 6 nm)を成膜し，Ｘ... [more] | MR2010-50 pp.59-63 |
| US | 2010-09-30 10:50 |
宮城 | 東北大学 工学部 電子情報システム・応物系 南講義棟103会議室 | RFバイアススパッタ法によるc軸平行配向ZnO薄膜の形成 ～ バイアス周波数が配向性に及ぼす影響 ～ ○高柳真司（同志社大）・柳谷隆彦（名工大）・松川真美・渡辺好章（同志社大） US2010-62 |
c軸が基板面と平行かつ一方向に配向した（(11-20)面，(10-10) 面配向）ZnO薄膜を用いた共振子は横波を励振す... [more] | US2010-62 pp.75-80 |
| US | 2010-09-30 11:40 |
宮城 | 東北大学 工学部 電子情報システム・応物系 南講義棟103会議室 | Ta2O5薄膜／Si基板を用いた圧電薄膜共振子の作製 ○土屋彰教・垣尾省司（山梨大）・中川恭彦（山梨大名誉教授） US2010-64 |
酸素ラジカル源を搭載した高周波スパッタ装置を用いて，SiO2基板上にX軸配向Ta2O5薄膜を作製し，その配向性，レイリー... [more] | US2010-64 pp.87-92 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]