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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2024-01-16 14:50 |
ONLINE | オンライン開催 | 自己組織化単分子膜を利用した金属酸化物抵抗変化型メモリの抵抗変化挙動の制御 ○中野正浩・松井裕輝・Md. Shahiduzzaman・當摩哲也・辛川 誠（金沢大）  OME2023-80 |
[more] | OME2023-80 pp.13-17 |
| CPM | 2023-07-31 15:10 |
北海道 | 北見工業大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
抵抗変化型メモリとしてのZrN電極を用いたMIM構造の検討 ○三浦豊生・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2023-14 |
近年, 急速に進む情報社会において, 不揮発性メモリには, さらなる高性能化が求められているため, 次世代不揮発性メモリ... [more] | CPM2023-14 pp.11-12 |
| SDM | 2022-11-11 09:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］信号電子の混合効果の抑制によるスーパー時間分解を目指して ○江藤剛治（阪大）・下ノ村和弘・安藤妙子・松長誠之・廣瀬 裕（立命館大）・志村考功・渡部平司（阪大）・鎌倉良成（阪工大）・武藤秀樹（リンクリサーチ） SDM2022-71 |
シリコン（Si）イメージセンサの理論的限界時間分解能は11.1psである1)．それ以下の時間分解能をスーパー時間分解（S... [more] | SDM2022-71 pp.32-39 |
| MRIS, CPM (共催) ITE-MMS (連催) [詳細] |
2022-10-27 13:30 |
長野 | 信州大学＋オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
磁気抵抗効果測定によるC11b Cr-Al薄膜の磁気構造の検討 ○井口颯太・藤原壮甫・豊木研太郎・白土 優・中谷亮一（阪大） MRIS2022-6 CPM2022-37 |
磁気抵抗(MR)効果素子やTHz帯で動作可能な磁気デバイスの発展には，反強磁性体のライブラリ 拡大が必要不可欠である.通... [more] | MRIS2022-6 CPM2022-37 pp.1-5 |
| CPM | 2021-10-27 15:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 抵抗変化メモリのためのHfO2膜の特性評価 ○川合祐貴・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2021-31 |
近年，フラッシュメモリより動作速度が速く，消費電力を低くすることができる抵抗変化メモリが注目されている．しかしながら，低... [more] | CPM2021-31 pp.43-45 |
| CPM | 2021-03-03 13:45 |
ONLINE | オンライン開催 | 薄いCuOx膜を用いたZr/ZrO2/Pt構造の電気的特性 ○川合祐貴・山本和輝・大塚 祐・佐藤 勝・武山真弓（北見工大） CPM2020-69 |
近年、抵抗変化型メモリは、最も有望な次世代の不揮発性メモリの1つとして注目されている。本研究では、動作電流を低減させるた... [more] | CPM2020-69 pp.52-54 |
| ED | 2021-02-22 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | MEMS力センサによるヒトiPS細胞由来心筋細胞の拍動計測 ○池上怜汰・塚越拓哉・野田堅太郎・玉本拓巳・小柳健一・大島 徹（富山県立大）・松平謙英（東大）・下山 勲（富山県立大） ED2020-40 |
ピエゾ抵抗型力センサを用いて，ヒトiPS細胞由来心筋細胞の拍動を計測した．シリコンプロセスにより作製した可動培養基板上に... [more] | ED2020-40 pp.9-11 |
| ED | 2016-07-23 15:30 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | p-Cu2O/AlOx/n-SiC/n-Si構造の不揮発性pnメモリダイオードと低電圧動作 ○土屋充沙・塚本貴広・須田良幸（東京農工大） ED2016-30 |
我々は最近，不揮発性メモリ特性と整流特性の双方を有する理論的に最密のクロスポイント型配列に適した2端子抵抗変化型のp-C... [more] | ED2016-30 pp.17-20 |
| ICD | 2016-04-14 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察 ○高橋庸夫（北大）・工藤昌輝（九大）・有田正志（北大） ICD2016-5 |
抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている．しかし、その長期信頼... [more] | ICD2016-5 pp.21-26 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-01 14:40 |
長崎 | 長崎県勤労福祉会館 | 隣接線の信号遷移による遅延変動を用いる半断線故障の判別法について ○伊勢幸太郎・四柳浩之・橋爪正樹（徳島大）・樋上喜信・高橋 寛（愛媛大） VLD2015-42 DC2015-38 |
IC 内で発生する半断線故障は抵抗成分を持ち,故障の影響は微小遅延として顕在化する.また,トランジスタのばらつきの影響に... [more] | VLD2015-42 DC2015-38 pp.31-36 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:45 |
京都 | 京都大学 | 抵抗変化メモリ(ReRAM)における導電性パス生成機構の検討 ～ 第一原理計算手法を用いたNiOの様々な面方位の表面状態解析 ～ ○森山拓洋（鳥取大）・山崎隆浩・大野隆央（物質・材料研究機構）・岸田 悟・木下健太郎（鳥取大） EID2014-39 SDM2014-134 |
抵抗変化メモリ(ReRAM)の実用化において, 遷移金属酸化物(TMO)内に生成される導電性パスの物性解明が必須である.... [more] | EID2014-39 SDM2014-134 pp.135-138 |
| SDM | 2014-06-19 15:40 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性 ○大塚慎太郎・濱田佳典・清水智弘・新宮原正三（関西大） SDM2014-57 |
抵抗変化メモリは次世代不揮発性メモリとして期待されているが，抵抗変化のメカニズムが詳しく解明されていないことが問題である... [more] | SDM2014-57 pp.75-78 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-28 11:40 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察 ○大野裕輝・廣井孝弘・工藤昌輝・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫（北大） ED2013-148 SDM2013-163 |
固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では，固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作... [more] | ED2013-148 SDM2013-163 pp.89-94 |
| DC | 2013-02-13 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | 半断線故障検出のための信号遅延の特性評価 ○大栗裕人・四柳浩之・橋爪正樹（徳島大）・堤 利幸・山崎浩二（明大）・樋上善信・高橋 寛（愛媛大） DC2012-84 |
半断線故障が発生すると，故障配線の信号遅延により回路性能が低下する場合がある. しかし，故障配線に信号遷移を与える検査入... [more] | DC2012-84 pp.25-30 |
| NC, MBE (併催) |
2011-03-07 15:00 |
東京 | 玉川大学 | 複数の帯域通過型空間フィルタを有する視覚センサ ○安川真輔・奥野弘嗣・八木哲也（阪大） NC2010-139 |
複数の帯域通過型空間フィルタを有する視覚センサを構築した．本センサはAPS （active pixel sensor），... [more] | NC2010-139 pp.71-76 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Transient characteristic of fabricated Magnetic Tunnel Junction (MTJ) programmed with CMOS circuit ○Masashi Kamiyanagi・Fumitaka Iga・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-52 SDM2009-47 |
In this paper, it is shown that our fabricated MTJ of 60x180... [more] | ED2009-52 SDM2009-47 pp.9-12 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-24 15:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study of the DC Performance of Fabricated Magnetic Tunnel Junction Integrated on Back-end Metal Line of CMOS Circuits ○Fumitaka Iga・Masashi Kamiyanagi・Shoji Ikeda（Tohoku Univ.）・Katsuya Miura（Tohoku Univ./Hitachi）・Jun Hayakawa（Hitachi）・Haruhiro Hasegawa・Takahiro Hanyu・Hideo Ohno・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2009-53 SDM2009-48 |
In this paper, we have succeeded in the fabrication of high ... [more] | ED2009-53 SDM2009-48 pp.13-16 |
| SDM | 2007-03-15 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | 抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討 ○佐藤嘉洋・木下健太郎・能代英之・青木正樹・杉山芳弘（富士通研） |
あらまし 我々は二元系金属酸化物 (BMO) 素子からなる抵抗変化メモリ(ReRAM)のセルにパルス電圧を印加する評価を... [more] | SDM2006-255 pp.7-10 |
| ICD | 2005-04-15 10:30 |
福岡 | 福岡システムLSI 総合開発センター | 低電圧・高速動作を実現した1.2V単一動作の130nm混載向け1Mbit MRAMコア ○辻 高晴（ルネサステクノロジ）・谷崎弘晃（ルネサスデバイスデザイン）・石川正敏・大谷 順・山口雄一郎・上野修一・大石 司・日高秀人（ルネサステクノロジ） |
MRAM (Magnetic Random Access Memory) は無制限の書き換え／読み出し回数による高信頼性... [more] | ICD2005-13 pp.1-6 |
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